有机电致发光结构及显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种有机电致发光结构及显示装置。有机电致发光结构包括：衬底基板；钝化保护层设于衬底基板的一侧；钝化保护层远离衬底基板的一侧设置有多个间隔设置的内切部，内切部具有朝向衬底基板的第一面及远离衬底基板的第二面，第一面在衬底基板上的正投影位于第二面在衬底基板上的正投影内，相邻两个内切部之间设有凹槽，凹槽为内切结构；阳极层包括多个间隔设置的阳极，每一阳极对应设于第二面，阳极在第二面上的正投影位于第二面内；有机发光功能层具有空穴注入层，内切部的厚度大于空穴注入层的厚度，内切部将空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块，每一空穴注入块对应设置在一阳极上。该方案中可改善串扰问题。该方案中可改善串扰问题。该方案中可改善串扰问题。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光结构及显示装置
[0001]本申请是申请日为2020年1月6日、中国申请号为202010009942.1、专利技术名称为“有机电致发光结构及其制作方法、显示装置”的专利技术申请的分案申请。


[0002]本申请涉及显示
，具体而言，涉及一种有机电致发光结构及显示装置。

技术介绍

[0003]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diodes，有机发光二极管)显示技术作为新型的显示技术，已广泛应用于智能手表、手机、平板电脑、显示器等领域。硅基OLED显示因为采用单晶硅作为有源驱动背板，具有高像素密度、高度集成、体积小、易于携带、抗震性能好、超低功耗等优异特性，是目前显示技术研究的热点之一。
[0004]但现有的硅基OLED容易出现不同亚像素之间发生串扰(Crosstalk)的问题，其中的一个重要原因是由于与各阳极直接接触的空穴注入层(HIL)为整层设置的共同层，且其具有低电阻率，因此，低电阻率的HIL层容易导致亚像素之间导通。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本申请的目的在于提供一种有机电致发光结构及显示装置，可以改善由于空穴注入层的低电阻率导致的串扰问题，从而可提高显示效果。
[0007]本申请第一方面提供了一种有机电致发光结构，其包括：
[0008]衬底基板；
>[0009]钝化保护层，设于所述衬底基板的一侧；所述钝化保护层远离所述衬底基板的一侧设置有多个间隔设置的内切部，所述内切部具有朝向所述衬底基板的第一面及远离所述衬底基板的第二面，所述第一面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二面在所述衬底基板上的正投影内，且所述第一面的边缘与所述第二面的边缘之间具有非零间距，相邻两个所述内切部之间设置有凹槽，所述凹槽为内切结构；
[0010]阳极层，包括多个间隔设置的阳极，每一所述阳极对应设于所述第二面，所述阳极在所述第二面上的正投影位于所述第二面内，且与所述第二面的边缘具有非零间距；
[0011]有机发光功能层，具有空穴注入层，所述内切部的厚度大于所述空穴注入层的厚度，所述内切部将所述空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块，每一所述空穴注入块对应设置在一所述阳极上；
[0012]阴极层，设于所述有机发光功能层背离所述阳极层的一侧。
[0013]在本申请的一种示例性实施例中，所述有机电致发光结构还包括：
[0014]金属复合层，具有多个间隔设置的金属复合部，每一所述金属复合部与一所述阳极连接；
[0015]所述金属复合部包括依次层叠设置在所述衬底基板上的金属保护膜、金属反射膜及第一导电连接块，所述金属反射膜位于所述内切部远离所述阳极的一侧，所述第一导电连接块穿过所述内切部与所述阳极连接；所述金属反射膜在所述衬底基板上的正投影位于所述金属保护膜在所述衬底基板上的正投影内，或与所述金属保护膜在所述衬底基板上的正投影重合；所述第一导电连接块在所述衬底基板上的正投影位于所述第一面在所述衬底基板上的正投影内。
[0016]在本申请的一种示例性实施例中，所述第一导电连接块靠近所述阳极的一面高于所述凹槽的槽底壁。
[0017]在本申请的一种示例性实施例中，所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影覆盖且大于所述阳极在所述衬底基板上的正投影。
[0018]在本申请的一种示例性实施例中，所述有机电致发光结构还包括：
[0019]驱动电路，设置在所述金属复合层靠近所述衬底基板的一侧，所述驱动电路包括晶体管，所述晶体管具有半导体层，所述半导体层位于所述衬底基板的内部，所述半导体层在所述衬底基板上的正投影位于所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影内；
[0020]第二导电连接块，连接于所述所述晶体管与所述金属复合层之间。
[0021]在本申请的一种示例性实施例中，所述第一导电连接块的宽度大于所述第二导电连接块的宽度。
[0022]在本申请的一种示例性实施例中，所述晶体管还包括：
[0023]栅极，设于所述钝化保护层的内部，所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述半导体层在所述衬底基板上的正投影有交叠，所述栅极在所述衬底基板上的正投影位于所述金属复合部在所述衬底基板上的正投影内。
[0024]在本申请的一种示例性实施例中，所述第一导电连接块的材料为钨，所述钝化保护层的材料为无机材料。
[0025]在本申请的一种示例性实施例中，自所述第一面至所述第二面的方向上，所述内切部的横截面面积逐渐增大，所述横截面为与所述衬底基板平行的面。
[0026]在本申请的一种示例性实施例中，所述第一面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二面在所述衬底基板上的正投影的中心区域。
[0027]本申请第二方面提供了一种显示装置，其包括上述任一项所述的有机电致发光结构。
[0028]本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：
[0029]本申请所提供的有机电致发光结构及显示装置，通过将钝化保护层中远离衬底基板的一侧形成多个间隔设置的内切部，可在后续形成空穴注入层时起到隔断作用，即：将形成的空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块，每一空穴注入块对应形成一阳极上。由于各阳极上的空穴注入块间隔设置(即：相互独立)，因此，可以改善由于空穴注入层的低电阻率而导致亚像素之间导通，从而发生串扰问题，提高了显示效果。此外，该有机电致发光结构不需要增加额外的工艺步骤来制备，制备流程简单，且不需要增加光罩。另外，阳极在第二面上的正投影位于第二面内，且与第二面的边缘具有非零间距，即阳极在第二面上的正投影的边缘与第二面的边缘不重合，阳极没有占据第二面的边缘部，使得内切部，可在后续形成空穴注入层时起到隔断作用，避免阳极对隔断作用的影响；而且，阳极可以增加内
切部的高度，更有利于隔断空穴注入层。
[0030]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0031]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本申请一实施例所述的有机电致发光结构的示意图；
[0033]图2为本申请另一实施例所述的有机电致发光结构的示意图；
[0034]图3为本申请又一实施例所述的有机电致发光结构的示意图；
[0035]图4为本申请另一实施例所述的显示装置的示意图；
[0036]图5为本申请一实施例所述的有机电致发光结构的流程图；
[0037]图6为完成步骤S302之后的示意图；
[0038]图7为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光结构，其特征在于，包括：衬底基板；钝化保护层，设于所述衬底基板的一侧；所述钝化保护层远离所述衬底基板的一侧设置有多个间隔设置的内切部，所述内切部具有朝向所述衬底基板的第一面及远离所述衬底基板的第二面，所述第一面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二面在所述衬底基板上的正投影内，且所述第一面的边缘与所述第二面的边缘之间具有非零间距，相邻两个所述内切部之间设置有凹槽，所述凹槽为内切结构；阳极层，包括多个间隔设置的阳极，每一所述阳极对应设于所述第二面，所述阳极在所述第二面上的正投影位于所述第二面内，且与所述第二面的边缘具有非零间距；有机发光功能层，具有空穴注入层，所述内切部的厚度大于所述空穴注入层的厚度，所述内切部将所述空穴注入层隔断成多个间隔设置的空穴注入块，每一所述空穴注入块对应设置在一所述阳极上；阴极层，设于所述有机发光功能层背离所述阳极层的一侧。2.根据权利要求1所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述有机电致发光结构还包括：金属复合层，具有多个间隔设置的金属复合部，每一所述金属复合部与一所述阳极连接；所述金属复合部包括依次层叠设置在所述衬底基板上的金属保护膜、金属反射膜及第一导电连接块，所述金属反射膜位于所述内切部远离所述阳极的一侧，所述第一导电连接块穿过所述内切部与所述阳极连接；所述金属反射膜在所述衬底基板上的正投影位于所述金属保护膜在所述衬底基板上的正投影内，或与所述金属保护膜在所述衬底基板上的正投影重合；所述第一导电连接块在所述衬底基板上的正投影位于所述第一面在所述衬底基板上的正投影内。3.根据权利要求2所述的有机电致发光结构，其特征在于，所述第一导电连接块靠近所述阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘李，卢鹏程，杨盛际，张逵，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：