稠环化合物、包括其的发光装置和电子设备制造方法及图纸

本申请提供了稠环化合物、包括其的发光装置以及电子设备，该发光装置包括由式1表示的稠环化合物，其中，在式1中，G1为由式2表示的基团，并且G2为由式3A至式3C中的一个表示的基团：团：团：团：

【技术实现步骤摘要】
稠环化合物、包括其的发光装置和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年2月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0014337号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的实施方式的一个或多个方面涉及稠环化合物、包括稠环化合物的发光装置和包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置为自发射装置，其具有宽视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的卓越的或适当的特性。
[0005]示例发光装置包括基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)可随后在发射层中复合以产生激子。这些激子可从激发态跃迁到基态，从而生成光。

技术实现思路

[0006]本公开的实施方式的一个或多个方面涉及新型稠环化合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层，其中所述发光装置包括由式1表示的稠环化合物：式1其中，在式1中，G1为由式2表示的基团，并且G2为由式3A至式3C中的一个表示的基团：式2式3A
式3B式3C其中，在式1、式2和式3A至式3C中，X
31
为N(R
35
)、O或S，Z
31
为C(R
36
)或N，Z
32
为C(R
37
)或N，Z
33
为C(R
38
)或N，并且Z
31
至Z
33
中的至少一个为N，L
21
至L
23
和L
31
至L
34
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a21至a23和a31至a34各自独立地为选自1至3的整数，Ar
21
至Ar
23
、Ar
31
和Ar
32
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基或
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)，b21至b23、b31和b32各自独立地为选自1至5的整数，R1至R5和R
31
至R
38
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，c1、c2和c33各自独立地为选自1至3的整数，c3、c31、c32和c34各自独立地为选自1至4的整数，*指示与相邻原子的结合位点，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；
各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基或C1‑
C
60
杂环基：氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括所述由式1表示的稠环化合物。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，所述发射层中所述主体的含量大于所述发射层中所述掺杂剂的含量，并且所述主体包括所述由式1表示的稠环化合物。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，所述发射层中所述主体的含量大于所述发射层中所述掺杂剂的含量，并且所述掺杂剂包括所述由式1表示的稠环化合物。5.如权利要求2所述的发光装置，其中所述发射层用来发射具有390nm至440nm的范围内的最大发射波长的蓝光。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。7.一种电子设备，包括如权利要求1至6中任一项所述的发光装置。8.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。9.一种由式1表示的稠环化合物：式1
其中，在式1中，G1为由式2表示的基团，并且G2为由式3A至式3C中的一个表示的基团：式2式3A式3B
式3C其中，在式1、式2和式3A至式3C中，X
31
为N(R
35
)、O或S，Z
31
为C(R
36
)或N，Z
32
为C(R
37
)或N，Z
33
为C(R
38
)或N，并且Z
31
至Z
33
中的至少一个为N，L
21
至L
23
和L
31
至L
34
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a21至a23和a31至a34各自独立地为选自1至3的整数，Ar
21
至Ar
23
、Ar
31
和Ar
32
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基或
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)，b21至b23、b31和b32各自独立地为选自1至5的整数，R1至R5和R
31
至R
38
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，c1、c2和c33各自独立地为选自1至3的整数，c3、c31、c32和c34各自独立地为选自1至4的整数，*指示与相邻原子的结合位点，并且R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫
基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或各自未被...

【专利技术属性】
技术研发人员：李艺瑟，金炯民，安熙春，严贤娥，李孝荣，林怡朗，赵恕院，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：