驱动背板及其制备方法、显示面板技术

本申请公开了一种驱动背板及其制备方法、显示面板。驱动背板包括基底、氧化物半导体层、氧化铝层、氧化硅层、源极、漏极以及栅极。氧化物半导体层设置在基底上，且包括沟道和位于沟道相对两侧的源极接触部和漏极接触部；氧化铝层覆盖在氧化物半导体层的表面，氧化铝层中开设有开口，开口裸露出沟道；氧化硅层设置在氧化铝层远离氧化物半导体层的一侧，氧化硅层填充于开口，并与沟道的表面接触；源极和漏极设置在氧化硅层远离氧化铝层的一侧；栅极设置在氧化物半导体层靠近基底的一侧或氧化硅层靠近源极的一侧。本申请改善了现有驱动背板中的短沟道效应，实现了薄膜晶体管的小型化设计。实现了薄膜晶体管的小型化设计。实现了薄膜晶体管的小型化设计。

【技术实现步骤摘要】
驱动背板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种驱动背板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]随着OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术的发展，将IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)应用于OLED背板已经处于显示行业的火热阶段。
[0003]IGZO具有较低的漏电流和比非晶硅(a
‑
Si)更好的迁移率，故可作为薄膜晶体管器件中的半导体层材料。然而，在现有技术的导体化工艺中，通常会单独对半导体层的沟道两侧进行导体化处理。具体来说，在惰性气体下进行等离子体表面处理来夺取半导体层位于沟道两侧的部分中的氧，或者，利用现有膜层中的氢扩散至半导体层位于沟道两侧的部分中，从而实现沟道两侧的导体化。然而，在上述工艺路线中，导体化工艺中所用的惰性气体或者氢容易扩散至沟道内，导致沟道所在区域部分被导体化，其中，沟道的导体化长度可接近2微米，进而使得沟道长度无法做小，随着沟道长度的缩小，短沟道效应会越明显，从而限制了薄膜晶体管的小型化设计。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种驱动背板及其制备方法、显示面板，以改善现有驱动背板中的短沟道效应，实现薄膜晶体管的小型化设计。
[0005]本申请实施例提供一种驱动背板，其包括：
[0006]基底；
[0007]氧化物半导体层，设置在所述基底的一侧，所述氧化物半导体层包括沟道和位于所述沟道相对两侧的源极接触部和漏极接触部；
[0008]氧化铝层，覆盖在所述氧化物半导体层的表面，所述氧化铝层中开设有开口，所述开口裸露出所述沟道；
[0009]氧化硅层，设置在所述氧化铝层远离所述氧化物半导体层的一侧，所述氧化硅层填充于所述开口，并与所述沟道的表面接触；以及
[0010]源极和漏极，设置在所述氧化硅层远离所述氧化铝层的一侧，所述源极连接于所述源极接触部，所述漏极连接于所述漏极接触部；以及
[0011]栅极，设置在所述氧化物半导体层靠近所述基底的一侧或所述氧化硅层靠近所述源极的一侧。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，自所述源极接触部朝向所述漏极接触部的方向，所述沟道的长度大于或等于所述开口的开口长度。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述沟道的长度介于2微米至3微米的范围内。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极设置在所述氧化硅层靠近所述源极的一侧，所述栅极于所述基底所在平面的正投影覆盖所述沟道于所述基底所在平面的正投
影，所述栅极的线宽小于或等于4微米。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动背板还包括金属氧化物阻隔层，所述金属氧化物阻隔层设置在所述氧化硅层和所述源极之间。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动背板还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层设置在所述金属氧化物阻隔层和所述源极之间，所述刻蚀阻挡层于所述基底所在平面的正投影覆盖所述金属氧化物阻隔层于所述基底所在平面的正投影。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物阻隔层的材料包括氧化铝，所述刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅。
[0018]本申请实施例提供一种显示面板，其包括如前述任一实施例所述的驱动背板。
[0019]本申请实施例还提供一种驱动背板的制备方法，其包括以下步骤：
[0020]提供基底；
[0021]在所述基底的一侧形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道区和位于所述沟道区相对两侧的源区和漏区；
[0022]在所述氧化物半导体层远离所述基底的一侧形成铝层，所述铝层覆盖所述沟道区、所述源区以及所述漏区；
[0023]对所述铝层进行热氧化处理，所述铝层形成为氧化铝层，所述铝层中的铝夺取所述氧化物半导体层中的氧，以使所述氧化物半导体层导体化，所述氧化物半导体层位于所述源区的部分形成为源极接触部，所述氧化物半导体层位于所述漏区的部分形成为漏极接触部；
[0024]对所述氧化铝层进行图案化处理，以形成裸露出所述沟道区的开口；
[0025]在所述氧化铝层远离所述氧化物半导体层的一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层填充于所述开口；以及
[0026]在所述氧化硅层远离所述氧化铝层的一侧形成源极和漏极，所述源极连接于所述源极接触部，所述漏极连接于所述漏极接触部；
[0027]其中，在所述氧化硅层远离所述氧化铝层的一侧形成源极和漏极的步骤之前或之后，对所述氧化硅层进行退火处理，所述氧化硅层中的氧扩散至所述氧化物半导体层中，以使所述氧化物半导体层半导体化，所述氧化物半导体层位于所述沟道区的部分形成为沟道。
[0028]可选的，在本申请的一些实施例中，自所述源极接触部朝向所述漏极接触部的方向，所述沟道的长度大于或等于所述开口的开口长度，所述沟道的长度介于2微米至3微米的范围内。
[0029]本申请提供一种驱动背板及其制备方法、显示面板。其中，本申请提供的驱动背板通过在氧化物半导体层的表面形成氧化铝层，一方面，在形成氧化铝层的同时即可实现氧化物半导体层的导体化，进而得到源极接触部和漏极接触部；另一方面，在对氧化物半导体层进行局部半导体化的工艺中，由于氧化铝层覆盖源极接触部和漏极接触部，氧化铝层的阻隔作用可以确保氧化硅层中的氧仅扩散至沟道内，进而不会出现氧向源极接触部和漏极接触部扩散的情况，从而能够避免短沟道效应的发生，进而在曝光机精度一定的情况下，能够缩小沟道的长度，进而有利于缩小薄膜晶体管的尺寸，实现薄膜晶体管的小型化设计，以提高显示产品的分辨率。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1是本申请第一实施例提供的驱动背板的结构示意图。
[0032]图2是本申请第二实施例提供的驱动背板的结构示意图。
[0033]图3是本申请第三实施例提供的驱动背板的结构示意图。
[0034]图4是本申请第四实施例提供的驱动背板的结构示意图。
[0035]图5是本申请提供的一对比例和一实施例中氮化硅层中的氢的扩散量随温度的变化曲线图。
[0036]图6是本申请第五实施例提供的驱动背板的结构示意图。
[0037]图7是本申请第六实施例提供的驱动背板的结构示意图。
[0038]图8是本申请提供的显示面板的结构示意图。
[0039]图9是本申请实施例提供的驱动背板的制备方法的流程示意图。
[0040]图10A至图10H是图9所示的驱动背板的制备方法中各步骤依次得到的结构示意图。
具体实施方式
[0041本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动背板，其特征在于，包括：基底；氧化物半导体层，设置在所述基底的一侧，所述氧化物半导体层包括沟道和位于所述沟道相对两侧的源极接触部和漏极接触部；氧化铝层，覆盖在所述氧化物半导体层的表面，所述氧化铝层中开设有开口，所述开口裸露出所述沟道；氧化硅层，设置在所述氧化铝层远离所述氧化物半导体层的一侧，所述氧化硅层填充于所述开口，并与所述沟道的表面接触；以及源极和漏极，设置在所述氧化硅层远离所述氧化铝层的一侧，所述源极连接于所述源极接触部，所述漏极连接于所述漏极接触部；以及栅极，设置在所述氧化物半导体层靠近所述基底的一侧或所述氧化硅层靠近所述源极的一侧。2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，自所述源极接触部朝向所述漏极接触部的方向，所述沟道的长度大于或等于所述开口的开口长度。3.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述沟道的长度介于2微米至3微米的范围内。4.根据权利要求3所述的驱动背板，其特征在于，所述栅极设置在所述氧化硅层靠近所述源极的一侧，所述栅极于所述基底所在平面的正投影覆盖所述沟道于所述基底所在平面的正投影，所述栅极的线宽小于或等于4微米。5.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括金属氧化物阻隔层，所述金属氧化物阻隔层设置在所述氧化硅层和所述源极之间。6.根据权利要求5所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层设置在所述金属氧化物阻隔层和所述源极之间，所述刻蚀阻挡层于所述基底所在平面的正投影覆盖所述金属氧化物阻隔层于所述基底所在平面的正投影。7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑帅，宋志伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：