一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法技术

本发明专利技术公开一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，通过在p型含氧金属化合物薄膜中掺杂原子，所掺杂的原子的最外围轨道能和氧2p轨道形成化学键，能提高价带顶部的散度和增加价带顶的斜率，故而能提高提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率。可以是，所掺杂的原子的最外围轨道为2s或3s轨道，或者所掺杂的原子的最外围轨道具有3d

【技术实现步骤摘要】
一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法


[0001]本专利技术涉及半导体导电
，尤其涉及一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法。

技术介绍

[0002]含氧金属化合物薄膜通过调整其金属和氧的组分，可以控制薄膜的光透射率、导电性，实现同时具有高导电性和高光透射率这两种矛盾的特性，这种透明导电薄膜正广泛应用在各式各样的半导体光电器件中，如太阳电池、TFT器件等。提高薄膜的导电性可以通过提高其载流子迁移率或是载流子浓度来达成，一般来说通过提升迁移率的方式更收到青睐，因为提升载流子浓度会造成散射效应，迁移率降低，而高浓度的载流子也会使薄膜在长波长光线的吸收量增加，不利于某些器件的应用，例如太阳电池。通过提高迁移率的方式，则可以避免这个问题，同时高的迁移率意味着电子可以进行高速移动，电响应速度快，应用于开关元件更具优势。
[0003]含氧金属化合物的能带结构，可以分为导带和价带，n型半导体的导电性是通过电子进行传输，所以是取决于导带的结构，而p型半导体则由共价带的空穴决定。不管是电子或是空穴都被视为是载流子，根据半导体物理，载流子的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，其特征在于：通过在p型含氧金属化合物薄膜中掺杂原子，所掺杂的原子的最外围轨道能和氧2p轨道形成化学键，能提高价带顶部的散度和增加价带顶的斜率。2.根据权利要求1所述的提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，其特征在于：所掺杂的原子的最外围轨道为2s或3s轨道。3.根据权利要求2所述的提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，其特征在于：所掺杂的原子为Li。4.根据权利要求3所述的提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，其特征在于：所述p型含氧金属化合物薄膜是Cu2O薄膜；本方法使用原子层沉积系统，配备CH3LiO和C
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CuO4前驱金属源，以及配备O2等离子源，调整CH3LiO和C
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CuO4的流量比，以控制Li的掺杂量，沉积出掺杂Li的氧化亚铜薄膜。5.根据权利要求4所述的提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，其特征在于：设置CH3LiO和C
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CuO4的流量比为1:6。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：连水养，许嘉巡，赵铭杰，
申请(专利权)人：厦门理工学院，
类型：发明
国别省市：