三色芯片及其制备方法技术

本公开提供了三色芯片，属于芯片制作技术领域。三色芯片中，芯片组所包括的红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片并列分布在支撑基板上，不需要控制红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片之间的连接质量。三个芯片不需刻蚀进行电极走线，可以避免造成外延材料的浪费且所使用的芯片可以更小。而电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，每个走线均与一个电极焊盘中的连接焊盘相连，控制三个芯片同时或者单独发光，可以提高三色芯片的通用性。并且电极走线的最大高度均相等，保证出光稳定。保证出光稳定。保证出光稳定。

【技术实现步骤摘要】
三色芯片及其制备方法


[0001]本公开涉及芯片制作
，特别涉及一种三色芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管是一种应用非常广泛的发光器件，常用于通信号灯、汽车内外灯、城市照明、医疗检测或者净化等，发光二极管芯片则是用于制备发光二极管的基础结构。三色芯片是发光二极管芯片中的一种，三色芯片包括支撑基板及设置在支撑基板上且相互连接的红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片。对红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片同时通电，则红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片可以同时发光并出射三种颜色的光混合之后得到的白光。
[0003]相关技术中，三色芯片中，红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片设置为竖直方向上叠置的结构，但这种红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片叠置的结构对制备工艺的要求较高，需要保证叠置的三种材料之间的连接稳定性，高要求的制备工艺会导致三色芯片的制备周期长；同时红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片叠置的结构，需要对三色芯片中的至少两种芯片进行较大面积的刻蚀，以在对应的芯片上留存出用于走电极线的空间，会造成材料的浪费且也会对芯片的微型化造成困难。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了三色芯片，能够缩小三色芯片的体积的同时降低三色芯片的制备周期。所述技术方案如下：
[0005]本公开实施例提供了一种三色芯片，所述三色芯片包括支撑基板、芯片组、绝缘层、电极走线与电极焊盘，
[0006]所述芯片组包括并列分布在所述支撑基板上的红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，所述红光发光二极管芯片包括红光外延层及层叠在所述红光外延层上的红光正电极与红光负电极，所述绿光发光二极管芯片包括绿光外延层及层叠在所述绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，所述蓝光发光二极管芯片包括蓝光外延层及层叠在所述蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，所述绝缘层覆盖所述芯片组与所述支撑基板的表面，且所述绝缘层具有与所述红光正、负电极、所述绿光正、负电极及所述蓝光正、负电极对应的通孔；
[0007]所述电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，所述总电极走线与所述红光正电极、所述绿光正电极及所述蓝光正电极均相连，所述红光电极走线与所述红光负电极相连，所述绿光电极走线与所述绿光负电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光负电极相连，或者所述总电极走线与所述红光负电极、所述绿光负电极及所述蓝光负电极均相连，所述红光电极走线与所述红光正电极相连，所述
绿光电极走线与所述绿光正电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光正电极相连；
[0008]所述电极焊盘包括四个相互间隔且分别与所述总电极走线、所述红光电极走线、所述绿光电极走线及所述蓝光电极走线相连的连接焊盘。
[0009]可选地，所述通孔与所述支撑基板的表面之间的夹角为60
°
～80
°
。
[0010]可选地，所述绝缘层远离所述红光发光二极管芯片的表面平行于所述支撑基板的表面。
[0011]可选地，所述三色芯片还包括保护层，所述保护层位于所述电极走线与所述电极焊盘之间，所述保护层远离所述红光发光二极管芯片的表面平行于所述支撑基板的表面。
[0012]本公开实施例提供了一种三色芯片的制备方法，所述制备方法包括：
[0013]提供支撑基板、红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，所述红光发光二极管芯片包括红光外延层及层叠在所述红光外延层上的红光正电极与红光负电极，所述绿光发光二极管芯片包括绿光外延层及层叠在所述绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，所述蓝光发光二极管芯片包括蓝光外延层及层叠在所述蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，所述绝缘层覆盖所述芯片组与所述支撑基板的表面；
[0014]将所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片与所述蓝光发光二极管芯片转移至所述支撑基板上，以得到所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片与所述蓝光发光二极管芯片并列分布在所述支撑基板上的芯片组；
[0015]形成覆盖所述芯片组与所述支撑基板的表面的绝缘层，所述绝缘层具有与所述红光正、负电极、所述绿光正、负电极及所述蓝光正、负电极对应的通孔；
[0016]在所述绝缘层上形成电极走线，所述电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，所述总电极走线与所述红光正电极、所述绿光正电极及所述蓝光正电极均相连，所述红光电极走线与所述红光负电极相连，所述绿光电极走线与所述绿光负电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光负电极相连，或者所述总电极走线与所述红光负电极、所述绿光负电极及所述蓝光负电极均相连，所述红光电极走线与所述红光正电极相连，所述绿光电极走线与所述绿光正电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光正电极相连；
[0017]在所述电极走线上形成所述电极焊盘，所述电极焊盘包括四个相互间隔且分别与所述总电极走线、所述红光电极走线、所述绿光电极走线及所述蓝光电极走线相连的连接焊盘。
[0018]可选地，所述提供支撑基板、红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，包括：
[0019]在红光生长基板、绿光生长基板与蓝光生长基板上分别形成红光发光二极管芯片；
[0020]所述红光发光二极管芯片远离所述红光生长基板的一侧、所述绿光发光二极管芯片远离所述绿光生长基板的一侧与所述蓝光发光二极管芯片远离所述蓝光生长基板的一侧分别粘连红光临时基板、绿光临时基板与蓝光临时基板。
[0021]可选地，所述将所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片与所述蓝光发光二极管芯片转移至所述支撑基板上，包括：
[0022]在所述支撑基板上标记红光区域、绿光区域与蓝光区域；
[0023]将所述红光发光二极管、所述绿光发光二极管与所述蓝光发光二极管分别转移至所述红光区域、绿光区域与蓝光区域；
[0024]去除所述红光临时基板、所述绿光临时基板与所述蓝光临时基板。
[0025]可选地，所述制备方法还包括：将所述红光发光二极管转移至所述红光区域，包括：
[0026]使所述红光发光二极管芯片与所述红光区域相对且所述红光发光二极管芯片位于所述红光区域上方；
[0027]激光照射所述红光临时基板与所述红光发光二极管芯片以分离所述红光临时基板与所述红光发光二级管芯片，所述红光发光二极管芯片在重力作用下移动只所述红光区域并与所述粘连层相连。
[0028]可选地，在所述支撑基板上标记红光区域、绿光区域与蓝光区域前，在所述支撑基板上设置具有粘性的粘连层。
[0029]可选地，所述制备方法还包括：将所述红光发光二极管转移至所述红光区域，包括：
[0030]使所述红光发光二极管芯片与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三色芯片，其特征在于，所述三色芯片包括支撑基板、芯片组、绝缘层、电极走线与电极焊盘，所述芯片组包括并列分布在所述支撑基板上的红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，所述红光发光二极管芯片包括红光外延层及层叠在所述红光外延层上的红光正电极与红光负电极，所述绿光发光二极管芯片包括绿光外延层及层叠在所述绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，所述蓝光发光二极管芯片包括蓝光外延层及层叠在所述蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，所述绝缘层覆盖所述芯片组与所述支撑基板的表面，且所述绝缘层具有与所述红光正、负电极、所述绿光正、负电极及所述蓝光正、负电极对应的通孔；所述电极走线包括最大高度相等的总电极走线、红光电极走线、绿光电极走线或蓝光电极走线，所述总电极走线与所述红光正电极、所述绿光正电极及所述蓝光正电极均相连，所述红光电极走线与所述红光负电极相连，所述绿光电极走线与所述绿光负电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光负电极相连，或者所述总电极走线与所述红光负电极、所述绿光负电极及所述蓝光负电极均相连，所述红光电极走线与所述红光正电极相连，所述绿光电极走线与所述绿光正电极相连，所述蓝光电极走线与所述蓝光正电极相连；所述电极焊盘包括四个相互间隔且分别与所述总电极走线、所述红光电极走线、所述绿光电极走线及所述蓝光电极走线相连的连接焊盘。2.根据权利要求1所述的三色芯片，其特征在于，所述通孔与所述支撑基板的表面之间的夹角为60
°
～80
°
。3.根据权利要求1所述的三色芯片，其特征在于，所述绝缘层远离所述红光发光二极管芯片的表面平行于所述支撑基板的表面。4.根据权利要求1～3任一项所述的三色芯片，其特征在于，所述三色芯片还包括保护层，所述保护层位于所述电极走线与所述电极焊盘之间，所述保护层远离所述红光发光二极管芯片的表面平行于所述支撑基板的表面。5.一种三色芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供支撑基板、红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片，所述红光发光二极管芯片包括红光外延层及层叠在所述红光外延层上的红光正电极与红光负电极，所述绿光发光二极管芯片包括绿光外延层及层叠在所述绿光外延层上的绿光正电极与绿光负电极，所述蓝光发光二极管芯片包括蓝光外延层及层叠在所述蓝光外延层上的蓝光正电极与蓝光负电极，绝缘层覆盖所述芯片组与所述支撑基板的表面；将所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片与所述蓝光发光二极管芯片转移至所述支撑基板上，以得到所述红光发光二极管芯片、所述绿光发光二极管芯片与所述蓝光发光二极管芯片并列分布在所述支撑基板上的芯片组；形成覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：张威，赵世彬，吴志浩，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：