乙丙绝缘熔断器电缆的制造方法技术

一种乙丙绝缘熔断器电缆的制造方法，所述电缆的结构为：围绕同一轴线，自内而外依次是导体、导体屏蔽层、绝缘层；构成所述导体屏蔽层的是乙丙橡胶半导电屏蔽料；构成所述绝缘层的是三元乙丙橡胶绝缘料；所述导体的截面积不小于630mm2；导体屏蔽层的厚度不小于0.61mm；绝缘层的厚度为3.4～10.5mm；所述电缆的制造步骤包括：先制造导体，再采用双层共挤工艺制造导体屏蔽层和绝缘层。采用本工艺，可较好地提高乙丙绝缘熔断器电缆的优品率。高乙丙绝缘熔断器电缆的优品率。高乙丙绝缘熔断器电缆的优品率。

【技术实现步骤摘要】
乙丙绝缘熔断器电缆的制造方法


[0001]本技术方案涉及电缆
，具体是一种乙丙绝缘熔断器电缆的制造方法及电缆。

技术介绍

[0002]熔断器广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中，作为短路和过电流的保护器，是应用最普遍的保护器件之一。与交联聚乙烯架空绝缘线比较，中压乙丙绝缘熔断器电缆更加柔软、耐候、耐高温性能，并且电缆使用时可以压接密封接头，起到防水、抗震的作用，安装更加方便，运行更加可靠。由于中压乙丙绝缘熔断器电缆的性能，目前在国内外运用越来越广泛。
[0003]乙丙绝缘熔断器电缆的的外径要求很小，结构较为简单。其导体外防护层需要具备绝缘的主要作用以及承担部分护套的作用，这就对防护层的加工工艺提出较高要求。而且，在熔断器使用场景中，电磁环境较复杂，为了避免器件误操作，线缆的屏蔽尤为重要。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提出一种乙丙绝缘熔断器电缆制造方法。
[0005]一种乙丙绝缘熔断器电缆的制造方法，所述电缆的结构为：围绕同一轴线，自内而外依次是导体、导体屏蔽层、绝缘层；构成所述导体屏蔽层的是乙丙橡胶半导电屏蔽料；构成所述绝缘层的是三元乙丙橡胶绝缘料；所述导体的截面积不大于630mm2；导体屏蔽层的厚度不小于0.61mm；绝缘层的厚度为3.4～10.5mm；所述电缆的制造步骤包括：
[0006]1)制造导体：
[0007]把由镀锡铜单丝绞合构成截面是圆形的导体；
[0008]2)制造导体屏蔽层：
[0009]先把半导电尼龙带绕包在导体外，再在其外挤包乙丙橡胶半导电屏蔽料；半导电尼龙带标称厚度为0.1～0.15mm，搭盖率不小于50％；
[0010]半导电尼龙带标称厚度为0.1～0.15mm，搭盖率不小于50％；所述半导电尼龙带在使用前烘干，烘干温度为50～60℃，烘干时间不少于24h；冷却至常温后及时密封保存；经烘干处理的半导电尼龙带应在12h内使用完；
[0011]对于生产过程中未使用完并且已开封的半导电尼龙带应及时进行密封保存；绕包半导电尼龙带导体应在半导电带绕包完成后72h内转入下道工序步骤进行生产；
[0012]3)制造绝缘层：
[0013]在导体屏蔽层外挤包三元乙丙橡胶绝缘料，构成绝缘层；
[0014]最后采用光洁钢盘收线；
[0015]所述步骤2)～3)中，挤包乙丙橡胶半导电屏蔽料和三元乙丙橡胶绝缘料是采用双层共挤工艺由挤橡机制造；
[0016]自进料到出料方向，机身温度控制如下：
[0017]乙丙橡胶半导电屏蔽料挤出用第一挤橡机的机身温区设定为：一区温度范围是60～65℃、二区温度范围是70～75℃、三区温度范围是75～80℃；
[0018]三元乙丙橡胶绝缘料挤出用第二挤橡机的机身温区设定为：一区温度范围是66～72℃、二区温度范围是78～84℃、三区温度范围是87～91℃；
[0019]其中：一区为入料段，二区为塑化段，三区为均化段；
[0020]自进料到出料方向，机头单元温区为：95℃；
[0021]其中：一区为机头段、二区为机颈段、三区为模口段；
[0022]汽压控制：1.0
‑
1.2Mpa，线速控制：3
‑
10m/min；
[0023]配模工艺：模套承线为1～2倍的绝缘层标称厚度，对模距离为标称厚度的1～1.5倍；挤出膨胀：1.0～2.0mm。
[0024]在制造过程中，由于导体屏蔽层与绝缘层相比，厚度极小，仅不足1/5，当绝缘要求较高(导体规格较大)时，不足1/10，这对双层共挤工艺要求极为苛刻。尤其是为了提高绝缘层绝缘和防护性能，本专利技术采用了新型绝缘材料，这对工艺的制定更增加了难度。
[0025]采用本工艺，可较好地提高乙丙绝缘熔断器电缆的优品率。
附图说明
[0026]图1是本例方法制得的电缆截面示意图，
[0027]图中：导体1、导体屏蔽层2、绝缘层3。
具体实施方式
[0028]下面结合附图与具体实施方式对本案进行说明：
[0029]本例方法制成电缆如图1所示，
[0030]一种乙丙绝缘熔断器电缆的制造方法，所述电缆的结构为：围绕同一轴线，自内而外依次是导体、导体屏蔽层、绝缘层；构成所述导体屏蔽层的是乙丙橡胶半导电屏蔽料；构成所述绝缘层的是三元乙丙橡胶绝缘料；所述导体的截面积不大于630mm2；导体屏蔽层的厚度不小于0.61mm；绝缘层的厚度为3.4～10.5mm；所述电缆的制造步骤包括：
[0031]1)制造导体：
[0032]把由镀锡铜单丝绞合构成截面是圆形的导体；
[0033]2)制造导体屏蔽层：
[0034]先把半导电尼龙带绕包在导体外，再在其外挤包乙丙橡胶半导电屏蔽料；半导电尼龙带标称厚度为0.12mm，搭盖率为65％。
[0035]所述半导电尼龙带在使用前烘干，烘干温度为50～60℃，烘干时间不少于24h；冷却至常温后及时密封保存；经烘干处理的半导电尼龙带应在12h内使用完；
[0036]对于生产过程中未使用完并且已开封的半导电尼龙带应及时进行密封保存；绕包半导电尼龙带导体应在半导电带绕包完成后72h内转入下道工序步骤进行生产；
[0037]3)制造绝缘层：
[0038]在导体屏蔽层外挤包三元乙丙橡胶绝缘料，构成绝缘层；
[0039]最后采用光洁钢盘收线；
[0040]所述步骤2)～3)中，挤包乙丙橡胶半导电屏蔽料和三元乙丙橡胶绝缘料是采用双层共挤工艺由挤橡机制造；
[0041]自进料到出料方向，机身温度控制如下：
[0042]乙丙橡胶半导电屏蔽料挤出用第一挤橡机的机身温区设定为：一区温度范围是60～65℃、二区温度范围是70～75℃、三区温度范围是75～80℃；
[0043]三元乙丙橡胶绝缘料挤出用第二挤橡机的机身温区设定为：一区温度范围是66～72℃、二区温度范围是78～84℃、三区温度范围是87～91℃；
[0044]其中：一区为入料段，二区为塑化段，三区为均化段；
[0045]自进料到出料方向，机头单元温区为：95℃；
[0046]其中：一区为机头段、二区为机颈段、三区为模口段；
[0047]汽压控制：1.0
‑
1.2Mpa，线速控制：3
‑
10m/min；
[0048]配模工艺：模套承线为1～2倍的绝缘层标称厚度，对模距离为标称厚度的1～1.5倍；挤出膨胀：1.0～2.0mm。
[0049]截面积最大的630mm2规格导体电缆的制造难度最大，该规格电缆的导体屏蔽层的厚度不小于0.7mm；绝缘层的厚度为10.5mm；所述电缆的制造步骤中，双层共挤工艺要求为：
[0050]实施例1：
[0051]乙丙橡胶半导电屏蔽料的选牌号为PEJD，三元乙丙橡胶绝缘的牌号为XJ...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种乙丙绝缘熔断器电缆的制造方法，其特征是所述电缆的结构为：围绕同一轴线，自内而外依次是导体、导体屏蔽层、绝缘层；构成所述导体屏蔽层的是乙丙橡胶半导电屏蔽料；构成所述绝缘层的是三元乙丙橡胶绝缘料；所述导体的截面积不大于630mm2；导体屏蔽层的厚度不小于0.61mm；绝缘层的厚度为3.4～10.5mm；所述电缆的制造步骤包括：1)制造导体：把由镀锡铜单丝绞合构成截面是圆形的导体；2)制造导体屏蔽层：先把半导电尼龙带绕包在导体外，再在其外挤包乙丙橡胶半导电屏蔽料；半导电尼龙带标称厚度为0.1～0.15mm，搭盖率不小于50％；所述半导电尼龙带在使用前烘干，烘干温度为50～60℃，烘干时间不少于24h；冷却至常温后及时密封保存；经烘干处理的半导电尼龙带应在12h内使用完；对于生产过程中未使用完并且已开封的半导电尼龙带应及时进行密封保存；绕包半导电尼龙带导体应在半导电带绕包完成后72h内转入下道工序步骤进行生产；3)制造绝缘层：在导体屏蔽层外挤包三元乙丙橡胶绝缘料，构成绝缘层；最后采用光洁钢盘收线；所述步骤2)～3)中，挤包乙丙橡胶半导电屏蔽料和三元乙丙橡胶绝缘料是采用双层共挤工艺由挤橡机制造；自进料到出料方向，机身温度控制如下：乙丙橡胶半导电屏蔽料挤出用第一挤橡机的机身温区设定为：一区温度范围是60～65℃、二区温度范围是70～75℃、三区温度范围是75～80℃；三元乙丙橡胶绝缘料挤出用第二挤橡机的机身温区设定为：一区温度范围是66～72℃、二区温度范围是78～84℃、三区温度范围是87～91℃；其中：一区为入料段，二区为塑化段，三区为均化段；自进料到出料方向，机头单元温区为：95℃；其中：一区为机头段、二区为机颈段、三区为模口段；汽压控制：...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤陈旦，李斌，刘雄军，凌国桢，袁杰，殷赛莲，
申请(专利权)人：江苏上上电缆集团新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：