一种发光二极管芯片及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种发光二极管芯片及制备方法，该发光二极管芯片包括衬底以及设于衬底上的发光结构，发光结构包括P型电极以及N型电极，P型电极包括P型中心电极以及环设于P型中心电极外围的P型牺牲电极，N型电极包括N型中心电极以及环设于N型中心电极外围的N型牺牲电极；其中，P型中心电极和P型牺牲电极之间设有第一间隙，N型中心电极和N型牺牲电极之间设有第二间隙。当发生电化学腐蚀时，P型牺牲电极和N型牺牲电极会优先发生电化学腐蚀，由于P型中心电极与P型牺牲电极两者之间存在间隙，N型中心电极与N型牺牲电极两者之间存在间隙，使得P型中心电极与N型中心电极不会受到电化学腐蚀的影响，避免了掉电极现象的发生。避免了掉电极现象的发生。避免了掉电极现象的发生。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管，(LightEmitting Diode，简称LED)，是一种半导体组件。初时多用作为指示灯、显示发光二极管板等，现如今，已广泛应用于照明领域，并且在人们的日常生活中得到普及。
[0003]其中，现有常规的户内小间距显示发光二极管芯片的结构一般包括衬底以及设置在衬底上的发光结构。然而，由于现有的户内小间距显示芯片的尺寸较小，导致P型电极和N型电极两者之间的间距较小，在通电使用的过程中，会产生较大的电位差，从而会加速电极材料的腐蚀，P型电极和N型电极离得越近，则腐蚀越严重，进而导致P型电极和N型电极离得最近处的电极底部的欧姆接触层发生腐蚀，并最终导致整个电极的底部被腐蚀而发生掉电极的现象。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种发光二极管芯片及制备方法，以解决现有技术的P型电极和N型电极离得最近处的电极底部的欧姆接触层容易发生腐蚀，并导致整个电极的底部被腐蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，包括衬底以及设于所述衬底上的发光结构，其特征在于：所述发光结构包括P型电极以及N型电极，所述P型电极包括P型中心电极以及环设于所述P型中心电极外围的P型牺牲电极，所述N型电极包括N型中心电极以及环设于所述N型中心电极外围的N型牺牲电极；其中，所述P型中心电极和所述P型牺牲电极之间设有第一间隙，所述N型中心电极和所述N型牺牲电极之间设有第二间隙。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述发光结构还包括依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层以及透明导电层，所述N型半导体层上设有贯穿所述量子阱发光层、所述P型半导体层以及所述透明导电层的凹槽；其中，所述N型中心电极和所述N型牺牲电极均设于所述凹槽内并均与所述N型半导体层电连接，所述P型中心电极和所述P型牺牲电极均设于所述透明导电层上。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P型半导体层上设有贯穿所述透明导电层的通孔；所述P型中心电极设于所述通孔内且与所述P型半导体层电连接，并延伸出所述通孔覆盖至所述通孔外围的所述透明导电层上。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P型中心电极、所述P型牺牲电极、所述N型中心电极以及所述N型牺牲电极均包括依次层叠的欧姆接触层、反射层、包覆层以及焊线层；所述欧姆接触层、所述反射层以及所述焊线层均为由金属材料Cr、Al、Au、Pt、Ni以及Ti中任一种或多种制成的单层结构，所述包覆层为由金属材料Cr、Al、Au、Pt、Ni以及Ti中任一种或多种制成的叠层结构。5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：在所述P型中心电极中，所述欧姆接触层设于所述通孔内且与所述P型半导体层电连接，并延伸出所述通孔覆盖至所述通孔外围的所述透明导电层上，所述反射层完全覆盖所述欧姆接触层的外表面并延伸覆盖至所述欧姆接触层外围的所述透明导电层上，所述包覆层完全覆盖所述反射层的外表面并延伸覆盖至所述反射层外围的所述透明导电层上，所述焊线层完全覆盖所述包覆层的外表面并延伸覆盖至所述包覆层外围的所述透明导电层上。6.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：在所述P型牺牲电极中，所述欧姆接触层设于所述透明导电层上，所述反射层完全覆盖所述欧姆接触层的外表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，张雪，李美玲，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：