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本发明提供了一种发光二极管芯片及制备方法，该发光二极管芯片包括衬底以及设于衬底上的发光结构，发光结构包括P型电极以及N型电极，P型电极包括P型中心电极以及环设于P型中心电极外围的P型牺牲电极，N型电极包括N型中心电极以及环设于N型中心电极外...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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