半导体装置或包括该半导体装置的显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法。另外，本发明专利技术提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。的方式形成。的方式形成。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置或包括该半导体装置的显示装置
本申请是申请日为“2017年05月10日”、申请号为“201780027953.9”、专利技术名称为“半导体装置或包括该半导体装置的显示装置”的专利申请的分案申请。


[0001]本专利技术的一个实施方式涉及一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。此外，本专利技术的一个实施方式涉及一种包括上述半导体装置的显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个实施方式涉及一种工序、机器、产品或组合物。本专利技术的一个实施方式尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。
[0003]注意，本说明书等中的半导体装置是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置。除了晶体管等半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个实施方式。摄像装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池或有机薄膜太阳能电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在所述沉积室中在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序，其中，所述沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。2.一种半导体装置的制造方法，包括：在沉积室中加热衬底的第一工序；在所述沉积室中在所述衬底上形成第一氧化物半导体膜的第二工序；以及在所述沉积室中在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第三工序，其中，所述沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。3.一种半导体装置的制造方法，包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在所述沉积室中在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序，其中，所述沉积室中的气氛的压力为1
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‑7至300Pa。4.一种半导体装置的制造方法，包括：在沉积室中加热衬底的第一工序；在所述沉积室中在所述衬底上形成第一氧化物半导体膜的第二工序；以及在所述沉积室中在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第三工序，其中，所述沉积室中的气氛的压力为1
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‑7至300Pa。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都利用溅射法形成。6.根据权利要求1
‑
4中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，黑崎大辅，中泽安孝，冈崎健一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：