钎料、接合体、陶瓷电路基板及接合体的制造方法技术

根据实施方式，其特征在于，对于用于将陶瓷基板与金属板接合的钎料，在通过差示扫描量热计(DSC)来测定DSC曲线时，在升温工序的550℃～700℃的范围内具有吸热峰。此外，钎料优选含有Ag、Cu及Ti。此外，钎料优选在升温工序的550℃～650℃的范围内具有2个以上的吸热峰。550℃～650℃的范围内具有2个以上的吸热峰。550℃～650℃的范围内具有2个以上的吸热峰。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钎料、接合体、陶瓷电路基板及接合体的制造方法


[0001]后述的实施方式涉及钎料、接合体、陶瓷电路基板及接合体的制造方法。

技术介绍

[0002]陶瓷基板与铜板的接合体作为搭载半导体元件等的电路基板来使用。在国际公开第2018/021472号公报(专利文献1)中公开了将陶瓷基板与铜板接合而成的陶瓷铜电路基板。在专利文献1中，在接合层中使用了含有Ag、Cu、Ti等的钎料。此外，通过控制接合层的纳米压痕硬度而提高了TCT特性。在专利文献1中，通过使接合层中存在AgTi晶体或TiC而控制了纳米压痕硬度。在专利文献1中，通过控制纳米压痕硬度而提高了接合强度和TCT特性。
[0003]在专利文献1中，以接合温度780～850℃的高温进行了接合。若接合温度高，则接合设备的负担增加。此外，在高温的接合中，对陶瓷基板或铜板施加了热应力。热应力的负载会成为陶瓷铜电路基板的变形的原因。因此，要求更低的温度下的接合。
[0004]例如，在国际公开第2018/199060号公报(专利文献2)中，公开了以接合温度720～800℃接合而成的陶瓷铜电路基板。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种钎料，其特征在于，其是用于将陶瓷基板与金属板接合的钎料，在通过差示扫描量热计(DSC)来测定DSC曲线时，在升温工序的550℃～700℃的范围内具有吸热峰。2.根据权利要求1所述的钎料，其特征在于，含有Ag、Cu及Ti。3.根据权利要求1～权利要求2中任一项所述的钎料，其特征在于，在所述升温工序的550℃～650℃的范围内具有2个以上的所述吸热峰。4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的钎料，其特征在于，所述升温工序的处于550℃～650℃的所述吸热峰大于所述升温工序的处于700℃以上的吸热峰。5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的钎料，其特征在于，在所述升温工序的450℃～520℃的范围内具有吸热峰。6.根据权利要求1～权利要求5中任一项所述的钎料，其特征在于，含有20质量％～60质量％的Ag、15质量％～40质量％的Cu、1质量％～15质量％的Ti或TiH2中的1种或2种、1质量％～50质量％的Sn或In中的1种或2种。7.根据权利要求1～权利要求6中任一项所述的钎料，其特征在于，含有碳。8.根据权利要求1～权利要求7中任一项所述的钎料，其特征在于，在所述升温...

【专利技术属性】
技术研发人员：米津麻纪，末永诚一，藤泽幸子，佐野孝，
申请(专利权)人：东芝高新材料公司，
类型：发明
国别省市：