本发明专利技术提供了一种T/R组件微穿墙过渡结构及T/R组件，属于微波毫米波及太赫兹技术领域，包括基板，基板的正面设有镀金焊盘，基板的背面设有BGA植球焊盘；基板上设有连接镀金焊盘与BGA植球焊盘的金属化孔。T/R组件包括具有正面腔体和背面腔体的盒体、盒体隔墙、微波板、控制板和T/R组件微穿墙过渡结构。本发明专利技术提供的T/R组件微穿墙过渡结构，利用便于自动化生产的微穿墙过渡结构，相比传统的绝缘子过渡针体积大大缩小，成本更低，可操作性更强；同时因弥补了射频板和电源板过渡的高度差，相比传统的键合丝穿墙过渡，可靠性更高，更便于自动化生产。产。产。
【技术实现步骤摘要】
T/R组件微穿墙过渡结构及T/R组件
[0001]本专利技术属于微波毫米波及太赫兹
，具体涉及一种T/R组件微穿墙过渡结构及T/R组件。
技术介绍
[0002]T/R组件是相控阵雷达的核心部件，其主要功能是完成对发射信号的高功率放大及对接收信号的低噪声放大，同时实现对收/发信号的幅度和相位控制，因此其性能指标直接决定了雷达系统的性能。随着现代通信技术的发展，对相控阵雷达也提出了更高的要求：更远距离、更优探测、更低重量、更低功耗以及更可靠的工作，因此T/R组件朝着高性能、高集成、低成本、高可靠的方向迅速发展。
[0003]因此，T/R组件的小型化设计具有非常重要的意义，而目前为满足用户小型化、轻量化的需求，多数的T/R组件会采用盒体上下分腔的结构。典型结构为盒体上腔为射频微波部分，下腔为电源及控制处理部分。这样既合理利用了盒体空间又很好地将射频信号和电源控制信号有效分开，避免了两者的相互干扰。因此在保证高可靠和易装配的前提下，如何实现更小尺寸的电源及控制信号穿墙过渡是目前T/R组件设计中急需解决的问题。
[0004]而目前，传统的玻璃绝缘子穿墙方式，尺寸较大，一般单点尺寸为：1.10mm
×
1.27mm，不适用目前组件类产品小型化的设计目标；同时玻璃绝缘子成本高，周期长，搪锡烧焊耗时长，增加了组件的物料成本及人力成本。
[0005]传统的金丝键合穿墙方式，键合丝从正面芯片或者焊盘引出，穿过盒体隔墙和正面PCB板，键合到背面PCB板的镀金焊盘上。因为键合丝要跨过盒体正面PCB版及盒体隔墙，所以这种穿墙过渡方式键合丝会很长。过长的键合丝会存在以下几个方面的缺点：(a)有限空间内穿墙键合不能适用自动键合平台，只能靠手动键合，耗时长；(b)手动键合操作难度大，存在磕刀等问题；(c)深腔键合容易出现与盒壁短路、键合丝间搭连等，存在可靠性隐患。
技术实现思路
[0006]本专利技术实施例提供一种T/R组件微穿墙过渡结构及T/R组件，能够解决现有穿墙方式制作周期长、连接可靠性低的问题。
[0007]为实现上述目的，第一方面，本专利技术采用的技术方案是：提供一种T/R组件微穿墙过渡结构，包括：基板，所述基板的正面设有镀金焊盘，所述基板的背面设有BGA植球焊盘；所述基板上设有连接所述镀金焊盘与所述BGA植球焊盘的金属化孔。
[0008]结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述基板的板材为环氧树脂。
[0009]结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述镀金焊盘与所述BGA植球焊盘的数量均为奇数个，且位置一一对应，所述金属化孔为直通孔。
[0010]结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述镀金焊盘与所述BGA植球焊盘在各自的平面上呈多排排列，且错位布设。
[0011]结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述镀金焊盘与所述BGA植球焊盘的间距S≥0.65mm。
[0012]结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述镀金焊盘及所述BGA植球焊盘的最外边缘距所述基板的边缘的距离L1≥0.2mm。
[0013]结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述BGA植球焊盘凸点高度在0.28mm～0.35mm范围，共面性≤0.04mm。
[0014]结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述金属化孔内有填充树脂。
[0015]结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述镀金焊盘自所述基板向外依次包括镀镍层和镀金层。
[0016]本专利技术提供的T/R组件微穿墙过渡结构，与现有技术相比，有益效果在于：
[0017](1)通过微穿墙过渡结构，直接将正面腔体内的芯片与背面控制板连通，将该微穿墙过渡结构焊接到背面控制板上，弥补正面和背面PCB板的高度差，使键合点与芯片处于同平面，解决了传统键合丝穿墙方式容易与盒壁短路、键合丝间易搭连等可靠性低的问题。
[0018](2)该微穿墙过渡结构作为独立的模块制作，正面键合采用自动键合平台，背面利用BGA全自动表面贴装工艺进行焊接，省去搪锡等步骤，提高了产品装配效率。
[0019]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种T/R组件，包括：
[0020]具有正面腔体和背面腔体的盒体；
[0021]盒体隔墙，设于所述盒体内，以分隔为所述正面腔体和所述背面腔体，所述盒体隔墙上设于安装孔；
[0022]微波板，设置于所述盒体隔墙的正面，且位于所述正面腔体内；
[0023]控制板，设置于所述盒体隔墙的背面，且位于所述背面腔体内；
[0024]所述的T/R组件微穿墙过渡结构，其基板的厚度H与所述盒体隔墙的关系式为：h≤H≤2W；h为盒体隔墙的厚度，W为基板的窄边宽度。
[0025]本专利技术提供的T/R组件，基于微组装(MCM)和表面贴装(SMT)工艺技术，利用便于自动化生产的微穿墙过渡结构，较传统的绝缘子过渡针体积大大缩小，成本更低，可操作性更强；同时因弥补了射频板和电源板过渡的高度差，较传统的键合丝穿墙过渡，可靠性更高，更便于自动化生产。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例提供的T/R组件的结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的T/R组件微穿墙过渡结构的结构示意图；
[0028]图3为本专利技术实施例提供的T/R组件微穿墙过渡结构的背面焊盘布置示意图(数量11至3)；
[0029]图4为本专利技术实施例提供的T/R组件微穿墙过渡结构的正面镀金焊盘布置示意图(数量11至3)；
[0030]附图标记说明：
[0031]1、微波板；2、盒体隔墙；3、控制板；4、背面腔体；5、安装孔；6、微穿墙过渡结构；61、镀金焊盘；62、基板；63、金属化孔；64、填充树脂；65、BAG植球焊盘；7、键合丝；8、正面腔体。
具体实施方式
[0032]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0033]请一并参阅图1及图2，现对本专利技术提供的T/R组件微穿墙过渡结构进行说明。所述T/R组件微穿墙过渡结构，包括：基板62，基板62的正面设有镀金焊盘61，基板62的背面设有BGA植球焊盘；基板62上设有连接镀金焊盘61与BGA植球焊盘的金属化孔63。
[0034]本实施例提供的T/R组件微穿墙过渡结构6，与现有技术相比，(1)该穿墙过渡结构尺寸小、成本低、加工周期短，解决了目前传统玻璃绝缘子穿墙结构尺寸大、成本高以及加工周期长的问题，两者详细对比如下表1所示。
[0035]表1微穿墙过渡结构和玻璃绝缘子尺寸对比
[0036] 尺寸(W
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S)排列方式成本/每键合点加工周期玻璃绝缘子1.10mm
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1.27mm单排20元30天微穿墙过渡结构1.47mm
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0.65mm双排2元7天
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种T/R组件微穿墙过渡结构，其特征在于，包括：基板(62)，所述基板(62)的正面设有镀金焊盘(61)，所述基板(62)的背面设有BGA植球焊盘；所述基板(62)上设有连接所述镀金焊盘(61)与所述BGA植球焊盘的金属化孔(63)。2.如权利要求1所述的T/R组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述基板(62)的板材为环氧树脂。3.如权利要求1所述的T/R组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)与所述BGA植球焊盘的数量均为奇数个，且位置一一对应，所述金属化孔(63)为直通孔。4.如权利要求3所述的T/R组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)与所述BGA植球焊盘在各自的平面上呈多排排列，且错位布设。5.如权利要求3所述的T/R组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)与所述BGA植球焊盘的间距S≥0.65mm。6.如权利要求3所述的T/R组件微穿墙过渡结构，其特征在于，所述镀金焊盘(61)及所述BGA植球焊盘的最外边缘距所述基板(62)的边缘的距离L1≥0.2mm。7.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋赞勤，厉志强，刘星，李浩，冀乃一，许春良，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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