一种高效率片上声光偏转器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及片上集成光子学技术领域，更具体地，涉及一种高效率片上声光偏转器及其制备方法。包括设置在氧化硅基片上的铌酸锂

【技术实现步骤摘要】
一种高效率片上声光偏转器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及片上集成光子学
，更具体地，涉及一种高效率片上声光偏转器及其制备方法。

技术介绍

[0002]声光器件是一种利用声波和光波相互作用的多物理场耦合元件，是微波与光波相互作用中不可或缺的器件。虽然这些声光器件都是基于片上波导电极等结构，利用也都是声波与光波的相互作用原理，但在功能、结构和应用上有非常大的差别，目前市面上发展了各种不同应用场景和结构的声光器件，如声光调制器、声光移频器、声光偏转器、声光滤波器以及声光Q开关等，用于实现光波传输强度、方向和频率的有效控制，结合电声换能器与压电晶体材料，对入射光波信号相关参数进行多维度调控的物理器件。
[0003]其中声光偏转器是一种常见且应用最为广泛的声光器件，相对于调制器利用声波改变了光波的强度，声光偏转器是利用声波的多普勒效应改变光波的传播方向。从结构上讲，声光偏转器没有马赫增德尔干涉仪或者谐振腔结构。声光偏转器目前分为体波驱动与表面波驱动，由于其驱动功率小、体积小、偏转效率高、易于集成等优点，在光通信、激光加工技术、激光测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效率片上声光偏转器，其特征在于，包括设置在氧化硅基片上的铌酸锂
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氮化硅异质结构；所述的铌酸锂
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氮化硅异质结构包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上集成的以氮化硅结构形成的光子多模式耦合器(2)；所述铌酸锂薄膜上设有可激发声波的叉指换能器(4)，所述叉指换能器(4)包括若干个叉指电极。2.根据权利要求1所述的高效率片上声光偏转器，其特征在于，所述的铌酸锂
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氮化硅异质结构是基于硅
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二氧化硅基底的片上结构，不需要对铌酸锂进行刻蚀，只需通过刻蚀氮化硅以定义平面器件结构。3.根据权利要求1所述的高效率片上声光偏转器，其特征在于，所述的铌酸锂
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氮化硅异质结构包括输入直波导(1)、多模式耦合器(2)、两根锥形输出波导(3)；所述的输入直波导(1)、锥形输出波导(3)均与多模式耦合器(2)连接。4.根据权利要求3所述的高效率片上声光偏转器，其特征在于，所述的多模式耦合器(2)为多边形结构。5.根据权利要求4所述的高效率片上声光偏转器，其特征在于，所述的多模式耦合器(2)的偏转光出射面与光波波矢方向垂直。6.根据权利要求5所述的高效率片上声光偏转器，其特征在于，所述的叉指换能器(4)与输入直波导(1)形成一定角度，以满足布拉格衍射公式。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李朝晖，杨志强，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：