碳化硅外延生长管路系统技术方案

本发明专利技术公开一种碳化硅外延生长管路系统，其包括储液装置、输入单元以及输出单元，储液装置包括恒温机构及设于其内的液罐，输入单元包括一输入管路，输入管路的两端分别密封地连接于液罐、载气源，输入管路上设有第一流量控制器；输出单元包括输出主管路以及并联于其的多个输出支管路，输出主管路的一端密封地连接于液罐并且其上设有压力控制器，至少一部分输出支管路上设有第二流量控制器，第二流量控制器用于控制其所在的输出支管路的流量。本发明专利技术可以实现各输出支管路的流量的分别独立控制，以及各输出支管路的剂量分配比例可调，尤其适用于大尺寸(8

【技术实现步骤摘要】
碳化硅外延生长管路系统


[0001]本专利技术涉及第三代半导体碳化硅材料外延设备领域，尤其涉及一种能够实现多路独立控制的碳化硅外延生长管路系统。

技术介绍

[0002]第三代半导体碳化硅外延生长通常使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)方式，其中，由三氯氢硅(TCS)负责提供外延生长所需的硅元素，由三甲基铝(TMA)负责提供外延生长中P型掺杂所需的铝元素。三氯氢硅(TCS)、三甲基铝(TMA)在常温状态下均为液态，通常状态下TCS、TMA作为液相源是无法直接通入炉腔内使用的，目前通用的方案是将载气(通常情况下为氢气)通入恒温恒压的TCS或TMA液相源中，通过载气携带出饱和状态下的TCS蒸汽或者TMA蒸汽，以饱和蒸汽的气体形式将TCS或TMA携带入反应腔室内进行外延生长。
[0003]由于TCS是碳化硅外延重要的生长源，因此其剂量直接决定了外延调试的重要影响因素C、Si，而TMA作为碳化硅外延重要的掺杂源，其剂量则直接决定了P型外延的掺杂浓度，因此保证TCS、TMA的剂量线性可控至关重要。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，包括：储液装置，其包括恒温机构以及设于所述恒温机构内的液罐，所述恒温机构用于保持所述液罐的温度恒定；输入单元，其包括一输入管路，所述输入管路的两端分别密封地连接于载气源及所述液罐，所述输入管路上设有第一流量控制器，所述第一流量控制器用于控制所述输入管路的流量；输出单元，其包括输出主管路以及多个输出支管路，所述输出主管路的一端密封地连接于所述液罐，所述输出主管路的另一端并联多个所述输出支管路，且所述输出主管路上设有压力控制器，所述压力控制器用于保持所述液罐的压力恒定，至少一部分所述输出支管路上设有第二流量控制器，所述第二流量控制器用于控制其所在的所述输出支管路的流量。2.如权利要求1所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述输出支管路包括一第一输出支管路以及至少一个第二输出支管路，每一所述第二输出支管路上均设有所述第二流量控制器，所述第二流量控制器用于控制所述第二输出支管路的流量，通过计算所述第一输出支管路的流量，或者计算各所述第二输出支管路的流量之和在所述输出主管路的总流量中的占比，或者直接控制所述第一输出支管路的流量，以调节所述第一输出支管路与各所述第二输出支管路的流量分配比例。3.如权利要求2所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述输出主管路上设有第一流量检测器，所述第一流量检测器用于检测所述输出主管路的总流量，通过所述第二流量控制器的流量与所述第一流量检测器的流量的比值来计算各所述第二输出支管路的流量之和在所述输出主管路的总流量中的占比，或者通过所述第一流量检测器的流量与所述第二流量控制器的流量之差来计算所述第一输出支管路的流量。4.如权利要求2或3所述的碳化硅外延生长管路系统，其特征在于，所述第一输出支管路上设有流量检测及控制单元，通过所述流量检测及控制单元来检测并直接控制所述第一输出支管路的流量。5.如权利要求4所述的碳化硅外延生...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩景瑞，丁雄傑，杨旭腾，李锡光，
申请(专利权)人：东莞市天域半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：