基于拓扑化学法制备硅纳米片的实验装置制造方法及图纸

技术编号:34428596 阅读:47 留言:0更新日期:2022-08-06 16:03
本实用新型专利技术涉及基于拓扑化学法制备硅纳米片的实验装置,包括集热式恒温磁力搅拌器和圆底烧瓶,集热式恒温磁力搅拌器包括主机、支架和搅拌磁子,主机上设有水浴锅,水浴锅内侧壁上设有温度传感器,温度传感器与主机连接,搅拌磁子放置在圆底烧瓶中,圆底烧瓶中倒入纯化后的硅化钙、分散剂和氯化亚锡溶液,圆底烧瓶上端设有冷凝管,支架上设有夹持冷凝管的夹头,冷凝管上端设有气球,冷凝管包括外管和内管,外管两端密封设置在内管外壁上,内管下端与圆底烧瓶连通,上端与气球连通,外管下半部上设有进口,上半部上设有出口,外管接通循环冷却水,循环冷却水从进口进入,从出口流出。具有结构设计简单、可操作性强、成本低、无需氮气保护等优点。保护等优点。保护等优点。

【技术实现步骤摘要】
基于拓扑化学法制备硅纳米片的实验装置


[0001]本技术涉及硅纳米片制备实验设备
,具体涉及基于拓扑化学法制备硅纳米片的实验装置。

技术介绍

[0002]硅原子以蜂窝状阵列于晶格之中,即形成硅纳米片材料,其结构似石墨烯,呈二维片层结构。硅纳米片与硅材料相比,层间相互作用的范德华力可使金属离子在材料层间自由移动,确保充放电过程中材料结构的完整性,从而有效抑制传统的硅材料电极,在使用中产生的电极体积膨胀,这样电极材料的性能和循环利用次数都可以大幅度提升,因此该材料应用前景广阔。
[0003]硅纳米片中主要存在Si

Si共价键以及Si

Ca键,Si

Ca键能相对Si

Si共价键的键能弱,但是相对硅纳米片层间范德华力强。Si

Ca键的结合力相对于Si

Si共价键较弱,所以Ca层原子反应活性相对较高,可以通过刻蚀实现剥离,从而得到二维层状结构的硅纳米片材料。然而现有硅纳米片实验设备整体结构设计复杂,可操作性差,制备时间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于拓扑化学法制备硅纳米片的实验装置,其特征在于,包括集热式恒温磁力搅拌器和圆底烧瓶,所述集热式恒温磁力搅拌器包括主机、支架和搅拌磁子,所述主机上设有水浴锅,所述水浴锅内侧壁上设有温度传感器,所述温度传感器与主机连接,所述搅拌磁子放置在圆底烧瓶中,所述圆底烧瓶中倒入纯化后的硅化钙、分散剂和氯化亚锡溶液,所述圆底烧瓶上端密封设有冷凝管,所述支架上设有夹持冷...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘菲赵彦亮谭俊华朱开金
申请(专利权)人:太原工业学院
类型:新型
国别省市:

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