正交分频电路及其工作方法、CMOS结构的锁存器技术

一种正交分频电路及其工作方法、CMOS结构的锁存器，其中，正交分频电路包括：第一锁存器和第二锁存器，所述第一锁存器和第二锁存器均包括第一伪反相锁存器、第二伪反相锁存器和双稳态电路，所述第一伪反相锁存器包括第一PMOS晶体管、第一CMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第二伪反相锁存器包括第二PMOS晶体管、第二CMOS晶体管和第二NMOS晶体管。由于所述第一锁存器和第二锁存器均包括CMOS结构，因此，能够使所述正交分频电路集成度高、在工作中的耗电小、成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
正交分频电路及其工作方法、CMOS结构的锁存器


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种正交分频电路及其工作方法、CMOS结构的锁存器。

技术介绍

[0002]正交四相分频电路被广泛的应用于高速串行电路中，相比采用差分时钟的结构，使用正交四相分频电路的结构具有更高的能效比。
[0003]在现有的正交分频电路中，通常采用2个电流模式逻辑锁存器(Current Mode Logic latch，下称CML锁存器)，以实现正交4相分频的功能。
[0004]然而，当正交分频电路工作时，由于在CML锁存器的电路中，电源电压端和接地端导通，因此，正交分频电路的电流较大、耗电也大。同时，由于高频工作环境下，对CML锁存器的电路中电阻的限制较大，即，需要采用阻值很小的电阻，导致所述电阻在集成电路中占用面积较大，造成正交分频电路的集成度差。不仅如此，由于CML锁存器的电路中，需要使用电流镜、电阻较等器件，因此，一方面，电流镜的器件占用面积较大，造成正交分频电路的集成度差，另一方面，使用电流镜、电阻等器件也会造成正交分频电路的成本高。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正交分频电路，其特征在于，包括：第一锁存器，所述第一锁存器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、以及第一时钟端和第二时钟端，所述第一时钟端和第二时钟端用于输入反相的时钟信号；第二锁存器，所述第二锁存器具有第三输入端、第四输入端、第三输出端、第四输出端、以及第三时钟端和第四时钟端，所述第三时钟端和第四时钟端用于输入反相的时钟信号，且向所述第一时钟端和第三时钟端输入的时钟信号反相；所述第一锁存器和第二锁存器均包括第一伪反相锁存器、第二伪反相锁存器和双稳态电路，所述第一伪反相锁存器包括第一PMOS晶体管、第一CMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第二伪反相锁存器包括第二PMOS晶体管、第二CMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其中，所述第一CMOS晶体管的漏端连接第一PMOS晶体管，所述第一CMOS晶体管的源端连接连接第一NMOS晶体管，所述第二CMOS晶体管的漏端连接第二PMOS晶体管，所述第二CMOS晶体管的源端连接第二NMOS晶体管，所述双稳态电路的两端分别与第一CMOS晶体管的输出端以及第二CMOS晶体管的输出端连接，并且，在所述第一锁存器的电路中，双稳态电路的两端还分别与第一输出端及第二输出端耦合，在所述第二锁存器的电路中，双稳态电路的两端还分别与第三输出端及第四输出端耦合；与所述第一输入端和第四输出端连接的第一信号节点；与所述第二输入端和第三输出端连接的第二信号节点；与所述第一输出端和第三输入端连接的第三信号节点；与所述第二输出端和第四输入端连接的第四信号节点。2.如权利要求1所述的正交分频电路，其特征在于，在所述第一锁存器的电路中，第一CMOS晶体管的漏端通过第一PMOS晶体管与第一时钟端耦合，第一CMOS晶体管的源端通过第一NMOS晶体管与第二时钟端耦合，第一CMOS晶体管的输入端与第一输入端耦合，第一CMOS晶体管的输出端与第一输出端耦合，第二CMOS晶体管的漏端通过第二PMOS晶体管与第一时钟端耦合，第二CMOS晶体管的源端通过第二NMOS晶体管与第二时钟端耦合，第二CMOS晶体管的输入端与第二输入端耦合，第二CMOS晶体管的输出端与第二输出端耦合。3.如权利要求1所述的正交分频电路，其特征在于，在所述第二锁存器的电路中，第一CMOS晶体管的漏端通过第一PMOS晶体管与第三时钟端耦合，第一CMOS晶体管的源端通过第一NMOS晶体管与第四时钟端耦合，第一CMOS晶体管的输入端与第三输入端耦合，第一CMOS晶体管的输出端与第三输出端耦合，第二CMOS晶体管的漏端通过第二PMOS晶体管与第三时钟端耦合，第二CMOS晶体管的源端通过第二NMOS晶体管与第四时钟端耦合，第二CMOS晶体管的输入端与第四输入端耦合，第二CMOS晶体管的输出端与第四输出端耦合。4.如权利要求1所述的正交分频电路，其特征在于，在所述第一锁存器的电路中，第一PMOS晶体管的漏端连接电源电压，第一PMOS晶体管的源端连接第一CMOS晶体管的漏端，第一PMOS晶体管的栅极与第一时钟端耦合，第二PMOS晶体管的漏端连接电源电压，第二PMOS晶体管的源端连接第二CMOS晶体管的漏端，第二PMOS晶体管的栅极与第一时钟端耦合，第一NMOS晶体管的漏端接地，第一NMOS晶体管的源端连接第一CMOS晶体管的源端，第一NMOS晶体管的栅极与第二时钟端耦合，第二NMOS晶体管的漏端接地，第二NMOS晶体管的源端连接第二CMOS晶体管的源端，第二NMOS晶体管的栅极与第二时钟端耦合。5.如权利要求1所述的正交分频电路，其特征在于，在所述第二锁存器的电路中，第一
PMOS晶体管的漏端连接电源电压，第一PMOS晶体管的源端连接第一CMOS晶体管的漏端，第一PMOS晶体管的栅极与第三时钟端耦合，第二PMOS晶体管的漏端连接电源电压，第二PMOS晶体管的源端连接第二CMOS晶体管的漏端，第二PMOS晶体管的栅极与第三时钟端耦合，第一NMOS晶体管的漏端接地，第一NMOS晶体管的源端连接第一CMOS晶体管的源端，第一NMOS晶体管的栅极与第四时钟端耦合，第二NMOS晶体管的漏端接地，第二NMOS晶体管的源端连接第二CMOS晶体管的源端，第二NMOS晶体管的栅极与第四时钟端耦合。6.如权利要求1所述的正交分频电路，其特征在于，所述第一CMOS晶体管包括：第三PMOS晶体管，第三PMOS晶体管的栅极连接第一CMOS晶体管的输入端，第三PMOS晶体管的源端连接第一CMOS晶体管的输出端，第三PMOS晶体管的漏端连接第一CMOS晶体管的漏端；第三NMOS晶体管，第三NMOS晶体管的栅极连接第一CMOS晶体管的输入端，第三NMOS晶体管的源端连接第一CMOS晶体管的输出端，第三NMOS晶体管的漏端连接第一CMOS晶体管的源端。7.如权利要求1所述的正交分频电路，其特征在于，所述第二CMOS晶体管包括：第四PMOS晶体管，第四PMOS晶体管的栅极连接第二CMOS晶体管的输入端，第四PMOS晶体管的源端连接第二CM...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐进涛，陈廷乾，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：