SiCMOS驱动电路及电子设备制造技术

本实用新型专利技术涉及驱动电路技术领域，提供了一种SiCMOS驱动电路及电子设备，上述电路包括：开关管、第一二极管、第二二极管、第一稳压二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子及第二输出端子；第一输入端子和第二输入端子接收外部差分控制信号，第一输出端子与SiCMOS管的栅极连接，第二输出端子与SiCMOS管的源极连接。当第一输入端子和第二输入端子之间电压差值为正时，开关管断开，SiCMOS管导通；当第一输入端子和第二输入端子之间电压差值为正时，开关管导通，通过第一稳压二极管使SiCMOS管负压关断，减小关断时间，有效提高了SiCMOS管的工作频率。工作频率。工作频率。

【技术实现步骤摘要】
SiCMOS驱动电路及电子设备


[0001]本技术属于驱动电路
，尤其涉及一种SiCMOS驱动电路及电子设备。

技术介绍

[0002]SiC是一种物理化学特性极其优异的半导体材料，基于SiC材料制成的SiCMOS开关频率大、功率高，在电力电子设备中得到了广泛的应用。
[0003]在SiCMOS管的高频率应用中，受开关时间的制约，现有驱动电路已经不能满足高频应用需求，严重制约了SiCMOS管的工作频率。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术实施例提供了一种SiCMOS驱动电路及电子设备，以解决现有技术中MOS管的驱动电路受开关时间的制约，无法满足高频应用需求的问题。
[0005]本技术实施例第一方面提供了一种SiCMOS驱动电路，包括：开关管、第一二极管、第二二极管、第一稳压二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子及第二输出端子；
[0006]开关管，第一端分别与第一二极管的阴极、第一电阻的第一端、第三电阻的第一端及第一输出端子连接，第二端分别与第二二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiCMOS驱动电路，其特征在于，包括：开关管、第一二极管、第二二极管、第一稳压二极管、第一电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子及第二输出端子；所述开关管，第一端分别与所述第一二极管的阴极、所述第一电阻的第一端、所述第三电阻的第一端及所述第一输出端子连接，第二端分别与所述第二二极管的阳极、所述第一稳压二极管的阳极及所述第一电容的第一端连接，控制端与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端分别与所述第二二极管的阴极及所述第二输入端子连接；所述第一稳压二极管的阴极分别与所述第一电容的第二端、所述第三电阻的第二端及所述第二输出端子连接；所述第一二极管的阳极分别与所述第一电阻的第二端及所述第一输入端子连接；所述第一输入端子和所述第二输入端子用于接收外部差分控制信号，所述第一输出端子用于与SiCMOS管的栅极连接，所述第二输出端子用于与所述SiCMOS管的源极连接。2.如权利要求1所述的SiCMOS驱动电路，其特征在于，所述SiCMOS驱动电路还包括：第二稳压二极管和第三稳压二极管；所述第二稳压二极管，阳极与所述第三稳压二极管的阳极连接，阴极分别与所述第一输出端子、所述第三电阻的第一端、所述开关管的第一端、所述第一二极管的阴极及所述第一电阻的第一端连接；所述第三稳压二极管的阴极分别与所述第二输出端子、所述第三电阻的第二端、所述第一稳压二极管的阴极及所述第一电容的第二端连接。3.如权利要求2所述的SiCMOS驱动电路，其特征在于，所述SiCMOS驱动电路还包括：第四电阻；所述第四电阻，第一端分别与所述开关管的第一端、所述第一电阻的第一端及所述第一二极管的阴极连接，第二端分别与所述第二稳压二极管的阴极、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志彬，陈宝煌，王锋，孙泗棍，
申请(专利权)人：科华数据股份有限公司，
类型：新型
国别省市：