一种4-8通道高速CMOS驱动芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种4

【技术实现步骤摘要】
一种4
‑
8通道高速CMOS驱动芯片


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种4
‑
8通道高速CMOS驱动芯片。

技术介绍

[0002]高分辨率成像技术是对地观测的重要手段之一，CCD(Charge
‑
coupled Device，电荷耦合元件)作为一种光电转换器件，具有成本低、结构简单、扫描速度快、频率响应高等优点，因而越来越广泛地应用于高分辨率成像领域。
[0003]CCD的工作状态会直接影响图像的质量，每片CCD出厂最佳工作状态不一致，需要参数可调的外围驱动芯片。目前，相关技术中多采用分立式驱动芯片，由于分立器件过多，因此存在相互产生干扰、通道串扰等问题，会导致遥感图像的质量急剧下降；并且，分立式器件还会使电子学系统的可靠性下降，发生器件故障的概率将增大。为了满足高分辨率需求，需要增加驱动芯片的通道数量，这进一步降低了电子学系统的集成度，其结构更加复杂，体积、重量、功耗都严重受限。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种4
‑
8通道高速CMOS驱动芯片，其特征在于，包括：单通道驱动电路、保护电路和输出电路，所述单通道驱动电路用于将输入的数字信号转换为第一预设电压：V
S
+、V
S
‑
、V
H
和V
L
，所述保护电路用于在过温或过流时关断所述CMOS驱动芯片，所述输出电路用于提高所述CMOS驱动芯片的输出电压范围；所述单通道驱动电路包括：电源电压检测模块、电平转换器和三态控制模块；其中，所述三态控制模块用于控制所述输出电路在不同工作模式之间进行切换，所述工作模式包括驱动模式和不定态，所述驱动模式包括高电平输入模式和低电平输入模式；所述电源电压检测模块用于在检测到V
S
‑
从零开始减小至预设阈值时，控制所述电平转换器切换至高电平输入模式或低电平输入模式；所述电平转换器用于将输入的所述数字信号平移至不随电源电压变化的第二预设电压，并转化为具有固定上升下降沿延迟的输出信号。2.根据权利要求1所述的4
‑
8通道高速CMOS驱动芯片，其特征在于，所述电源电压检测模块包括晶体管：M1、M2和M3及反相器：I1和I2；其中，M1的栅极和M2的栅极接地，M1的源极与V
S
+连接，M2的源极与V
S
‑
连接，M1的漏极、M2的漏极和M3的漏极与I1的输入端连接，M3的源极与V
S
+连接，I1的输出端和I2的输入端连接，且I1的输出端与I2的输入端之间包括第一节点，M3的栅极连接至所述第一节点。3.根据权利要求2所述的4
‑
8通道高速CMOS驱动芯片，其特征在于，还包括电源电压信号端和偏置电压信号端，所述保护电路包括过温保护电路；所述过温保护电路包括比例运算放大器、单位增益跟随器、迟滞比较器、晶体管：Q1和M4、电阻：R1、R2、R3和R4；其中，Q1的基极和集电极接地、发射极与M4的漏极连接，M4的栅极与所述偏置电压信号端连接、源极与所述电源电压信号端连接；Q1的发射极与M4的漏极之间包括第二节点，所述比例运算放大器的同相端与所述第二节点连接、反相端经R1接地、输出端与所述迟滞比较器的反相端连接，R2并联于所述比例运算放大器的反相输入端与输出端之间；所述单位增益跟随器的同相端与所述参考电压信号端连接、反相端与输出端连接；所述迟滞比较器的同相端与第三节点连接，所述第三节点位于R3和R4之间，所述迟滞比较器的同相端经R3连接至所述单位增益跟随器的输出端、并经R4接地。4.根据权利要求3所述的4
‑
8通道高速CMOS驱动芯片，其特征在于，Q1为PNP型双极晶体管，M4为PMOS晶体管。5.根据权利要求3所述的4
‑
8通道高速CMOS驱动芯片，其特征在于，还包括带隙基准电压源电路、第一信号输入端和第二信号输入端，所述带隙基准电压源电路包括第三节点、第四节点、第五节点、第六节点、第七节点、电阻：R5、R6和R7、以及晶体管：M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12和M13；其中，M5的栅极与所述偏置电压信号端连接、漏极与所述第三节点连接、源极与所述电源电压信号端连接，M6的源极与M7的源极均连接至所述第三节点，M6的漏极、M8的栅极和M9的栅极与所述第四节点连接、M6的栅极与第一信号输入端连接，M7的栅极与第二信号输入端连接、漏极与M9的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娅妮，周志余，郑玉晗，周卉卉，朱樟明，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院，
类型：发明
国别省市：