保持镀膜腔真空度稳定的方法、装置以及可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种保持镀膜腔真空度稳定的方法，应用于真空镀膜生产线，其包括：位于所述镀膜腔室前侧的所述基材往所述镀膜腔室移动的过程中、所述第一真空门阀打开之前，往所述前过渡腔室充入与所述镀膜腔室类型相同的工艺气体，并控制所述前过渡腔室的真空度，使得所述基材到达所述前过渡腔室的后端时或到达所述前过渡腔室的后端之前，所述前过渡腔室的真空度相对于所述镀膜腔室的真空度在预定偏差范围之内；类似的，所述第二真空门阀打开之前，参照上述过程进行。本发明专利技术还公开了可以实现上述方法的装置以及可读存储介质。通过上述的方法可以保持镀膜腔室的稳定，有利于兼顾镀膜的效率以及质量。镀膜的效率以及质量。镀膜的效率以及质量。

【技术实现步骤摘要】
保持镀膜腔真空度稳定的方法、装置以及可读存储介质


[0001]本专利技术涉及镀膜生产线的生产控制方法及装置，特别涉及一种保持镀膜腔真空度稳定的方法、装置以及可读存储介质。

技术介绍

[0002]真空镀膜生产线用于对基材进行镀膜，真空镀膜生产线包括前过渡腔室、镀膜腔室、后过渡腔室以及基材移动装置，前过渡腔室和后过渡腔室分别设置于镀膜腔室的前后侧，前过渡腔室和镀膜腔室之间通过第一真空门阀连通，镀膜腔室和后过渡腔室之间通过第二真空门阀连通。镀膜时，待镀膜的基材进入前过渡腔室并去往镀膜腔室，并在镀膜腔室中完成镀膜，镀膜完成后通过后过渡腔室离开。基材在进出镀膜腔室时，需要打开第一真空门阀和第二真空门阀。
[0003]对于利用溅射现象(指高能粒子轰击固体表面(靶)，使固体原子(或分子)从表面射出的现象)来实现镀膜的镀膜工艺中，镀膜腔室会充入工艺气体(利用工艺气体的辉光放电现象来提供高能粒子)，并且镀膜腔室会抽取到一定的真空度。现有的利用上述溅射现象的原理的真空镀膜生产线，存在镀膜效率和镀膜质量无法兼顾的问题，不能满足更高的要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种保持镀膜腔真空度稳定的方法，在真空门阀开启时，镀膜腔室比较稳定，有利于兼顾镀膜效率和镀膜质量。
[0005]本专利技术还提出一种能实现上述保持镀膜腔真空度稳定的方法的镀膜生产线的控制装置。
[0006]本专利技术还提出一种存储有实现上述保持镀膜腔真空度稳定的方法的计算机可执行指令的计算机可读存储介质。
[0007]根据本专利技术的第一方面实施例的保持镀膜腔真空度稳定的方法，应用于真空镀膜生产线，所述真空镀膜生产线用于对基材进行镀膜，所述真空镀膜生产线包括前过渡腔室、镀膜腔室以及后过渡腔室，所述前过渡腔室和所述后过渡腔室分别设置于所述镀膜腔室的前后侧，所述前过渡腔室和所述镀膜腔室之间通过第一真空门阀连通，所述镀膜腔室和所述后过渡腔室之间通过第二真空门阀连通；所述镀膜腔室充入有工艺气体以及具有真空度；所述保持镀膜腔真空度稳定的方法包括：位于所述镀膜腔室前侧的所述基材往所述镀膜腔室移动的过程中、所述第一真空门阀打开之前，往所述前过渡腔室充入与所述镀膜腔室类型相同的工艺气体，并控制所述前过渡腔室的真空度，使得所述基材到达所述前过渡腔室的后端时或到达所述前过渡腔室的后端之前，所述前过渡腔室的真空度相对于所述镀膜腔室的真空度在预定偏差范围之内；位于所述后过渡腔室前侧的所述基材往所述后过渡腔室移动的过程中、所述第二真空门阀打开之前，往所述后过渡腔室充入与所述镀膜腔室
类型相同的工艺气体，并控制所述后过渡腔室的真空度，使得所述基材到达所述镀膜腔室的后端时或到达所述镀膜腔室的后端之前，所述后过渡腔室的真空度相对于所述镀膜腔室的真空度在预定偏差范围之内。
[0008]根据本专利技术实施例的保持镀膜腔真空度稳定的方法，至少具有如下有益效果：上述的方法，通过往前过渡腔室以及后过渡腔室充入与所述镀膜腔室类型相同的工艺气体，以及通过在第一真空门阀和第二真空门阀打开之前，及时将前过渡腔室以及后过渡腔室的真空度调整至预定偏差范围之内，从而在第一真空门阀和第二真空门阀打开的时候，前过渡腔室以及后过渡腔室对镀膜腔室的气体构成以及真空度影响较小。由于第一真空门阀和第二真空门阀打开时对镀膜腔室的影响较小，那么真空镀膜生产线可以在第一真空门阀和第二真空门阀打开时，在所述镀膜腔室中进行镀膜操作，从而可以在兼顾镀膜质量的前提下提升生产线效率。另外，由于前过渡腔室以及后过渡腔室充入与所述镀膜腔室一样的工艺气体，它们与镀膜腔室的工艺气体原子碰撞机会加大，将会使镀膜腔室的工艺气体分布更合理，溅射的原子分布不断趋于平滑，膜层均匀性会有效提高。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，所述前过渡腔室的真空度相对于所述镀膜腔室的真空度在预定偏差范围之内时满足：所述前过渡腔室的真空度P1和所述镀膜腔室的真空度P0之间符合关系式：|(P0‑
P1)/P0|≤0.05；所述后过渡腔室的真空度相对于所述镀膜腔室的真空度在预定偏差范围之内时满足：所述后过渡腔室的真空度P2和所述镀膜腔室的真空度P0之间符合关系式：|(P0‑
P2)/P0|≤0.05。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，所述前过渡腔室连接有第一抽真空装置，所述第一抽真空装置用于对所述前过渡腔室抽真空，所述后过渡腔室连接有第二抽真空装置，所述第二抽真空装置用于对所述后过渡腔室抽真空；所述前过渡腔室连接有第一充气装置，所述前过渡腔室通过所述第一充气装置充入工艺气体；所述后过渡腔室连接有第二充气装置，所述后过渡腔室通过所述第二充气装置充入工艺气体；往所述前过渡腔室充入工艺气体并控制所述前过渡腔室的真空度的方法包括：在所述基材到达所述前过渡腔室的后端之前，通过控制所述第一抽真空装置抽真空的流量以及所述第一充气装置充气的流量来控制所述前过渡腔室的真空度；往所述后过渡腔室充入工艺气体并控制所述后过渡腔室的真空度的方法包括：在所述基材到达所述镀膜腔室的后端之前，通过控制所述第二抽真空装置抽真空的流量以及所述第二充气装置充气的流量来控制所述后过渡腔室的真空度。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，所述镀膜腔室分为前缓冲区、镀膜工艺区以及后缓冲区，所述前缓冲区、镀膜工艺区以及后缓冲区从前往后依次分布并能分别容置至少一个所述基材；往所述前过渡腔室充入工艺气体并控制所述前过渡腔室的真空度的方法还包括：所述基材到达所述前过渡腔室的前端时，所述第一抽真空装置开始进一步抽取所述前过渡腔室的气体，所述基材离开所述前过渡腔室的前端后，通过所述第一充气装置往所述前过渡腔室充入工艺气体，所述基材到达所述前过渡腔室的后端、所述第一真空门阀打开后，停止所述第一充气装置，所述第一抽真空装置根据所述镀膜腔室的真空度调整抽取气体的流量大小，以使所述前过渡腔室的真空度以所述镀膜腔室的真空度为目标值进行实时调整；往所述后过渡腔室充入工艺气体并控制所述后过渡腔室的真空度的方法还包括：所述基材到达所述后缓冲区的前端时，所述第二抽真空装置开始进一步抽取所述后过渡腔室的气体，所述基材离开所述后缓冲区的前端后，通过所述第二充气装置往所述后过渡腔室充入
工艺气体，所述基材到达所述后缓冲区的后端、所述第二真空门阀打开后，停止所述第二充气装置，所述第二抽真空装置根据所述镀膜腔室的真空度调整抽取气体的流量大小，以使所述后过渡腔室的真空度以所述镀膜腔室的真空度为目标值进行实时调整。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，所述第一抽真空装置包括第一真空泵组以及控制所述第一真空泵组抽真空流量的第一流量控制阀，所述第一流量控制阀具有最大流通流量Q
max1
；所述第二抽真空装置包括第二真空泵组以及控制所述第二真空泵组抽真空流量的第二流量控制阀，所述第二流量控制阀具有最大流通流量Q
max2
；往所述前过渡腔室充入工艺气体并控制所述前过渡腔室的真空度的方法还包括：所述基材到达所述前过渡腔室的前端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保持镀膜腔真空度稳定的方法，应用于真空镀膜生产线，其特征在于，所述真空镀膜生产线用于对基材(1)进行镀膜，所述真空镀膜生产线包括前过渡腔室(100)、镀膜腔室(200)以及后过渡腔室(300)，所述前过渡腔室(100)和所述后过渡腔室(300)分别设置于所述镀膜腔室(200)的前后侧，所述前过渡腔室(100)和所述镀膜腔室(200)之间通过第一真空门阀(410)连通，所述镀膜腔室(200)和所述后过渡腔室(300)之间通过第二真空门阀(420)连通；所述镀膜腔室(200)充入有工艺气体以及具有真空度；所述保持镀膜腔真空度稳定的方法包括：位于所述镀膜腔室(200)前侧的所述基材(1)往所述镀膜腔室(200)移动的过程中、所述第一真空门阀(410)打开之前，往所述前过渡腔室(100)充入与所述镀膜腔室(200)类型相同的工艺气体，并控制所述前过渡腔室(100)的真空度，使得所述基材(1)到达所述前过渡腔室(100)的后端时或到达所述前过渡腔室(100)的后端之前，所述前过渡腔室(100)的真空度相对于所述镀膜腔室(200)的真空度在预定偏差范围之内；位于所述后过渡腔室(300)前侧的所述基材(1)往所述后过渡腔室(300)移动的过程中、所述第二真空门阀(420)打开之前，往所述后过渡腔室(300)充入与所述镀膜腔室(200)类型相同的工艺气体，并控制所述后过渡腔室(300)的真空度，使得所述基材(1)到达所述镀膜腔室(200)的后端时或到达所述镀膜腔室(200)的后端之前，所述后过渡腔室(300)的真空度相对于所述镀膜腔室(200)的真空度在预定偏差范围之内。2.根据权利要求1所述保持镀膜腔真空度稳定的方法，其特征在于：所述前过渡腔室(100)的真空度相对于所述镀膜腔室(200)的真空度在预定偏差范围之内时满足：所述前过渡腔室(100)的真空度P1和所述镀膜腔室(200)的真空度P0之间符合关系式：|(P0‑
P1)/P0|≤0.05；所述后过渡腔室(300)的真空度相对于所述镀膜腔室(200)的真空度在预定偏差范围之内时满足：所述后过渡腔室(300)的真空度P2和所述镀膜腔室(200)的真空度P0之间符合关系式：|(P0‑
P2)/P0|≤0.05。3.根据权利要求1所述保持镀膜腔真空度稳定的方法，其特征在于：所述前过渡腔室(100)连接有第一抽真空装置(710)，所述第一抽真空装置(710)用于对所述前过渡腔室(100)抽真空，所述后过渡腔室(300)连接有第二抽真空装置(720)，所述第二抽真空装置(720)用于对所述后过渡腔室(300)抽真空；所述前过渡腔室(100)连接有第一充气装置(610)，所述前过渡腔室(100)通过所述第一充气装置(610)充入工艺气体；所述后过渡腔室(300)连接有第二充气装置(620)，所述后过渡腔室(300)通过所述第二充气装置(620)充入工艺气体；往所述前过渡腔室(100)充入工艺气体并控制所述前过渡腔室(100)的真空度的方法包括：在所述基材(1)到达所述前过渡腔室(100)的后端之前，通过控制所述第一抽真空装置(710)抽真空的流量以及所述第一充气装置(610)充气的流量来控制所述前过渡腔室(100)的真空度；往所述后过渡腔室(300)充入工艺气体并控制所述后过渡腔室(300)的真空度的方法包括：在所述基材(1)到达所述镀膜腔室(200)的后端之前，通过控制所述第二抽真空装置(720)抽真空的流量以及所述第二充气装置(620)充气的流量来控制所述后过渡腔室(300)的真空度。
4.根据权利要求3所述保持镀膜腔真空度稳定的方法，其特征在于：所述镀膜腔室(200)分为前缓冲区(210)、镀膜工艺区(220)以及后缓冲区(230)，所述前缓冲区(210)、镀膜工艺区(220)以及后缓冲区(230)从前往后依次分布并能分别容置至少一个所述基材(1)；往所述前过渡腔室(100)充入工艺气体并控制所述前过渡腔室(100)的真空度的方法还包括：所述基材(1)到达所述前过渡腔室(100)的前端时，所述第一抽真空装置(710)开始进一步抽取所述前过渡腔室(100)的气体，所述基材(1)离开所述前过渡腔室(100)的前端后，通过所述第一充气装置(610)往所述前过渡腔室(100)充入工艺气体，所述基材(1)到达所述前过渡腔室(100)的后端、所述第一真空门阀(410)打开后，停止所述第一充气装置(610)，所述第一抽真空装置(710)根据所述镀膜腔室(200)的真空度调整抽取气体的流量大小，以使所述前过渡腔室(100)的真空度以所述镀膜腔室(200)的真空度为目标值进行实时调整；往所述后过渡腔室(300)充入工艺气体并控制所述后过渡腔室(300)的真空度的方法还包括：所述基材(1)到达所述后缓冲区(230)的前端时，所述第二抽真空装置(720)开始进一步抽取...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈培绍，吴标平，李日天，彭中业，
申请(专利权)人：中山凯旋真空科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：