一种低介电无硅相变导热片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低介电无硅相变导热片，涉及电子领域，包括氮化硼陶瓷片，所述氮化硼陶瓷片的两侧设置有胶水层，各个所述胶水层远离氮化硼陶瓷片的一侧设置有无硅相变导热片。本申请中含有氮化硼陶瓷片，使得本申请的导热性高、介电常数低、绝缘性能好，同时本申请中无硅氧烷挥发、无硅油析出，且具有相变导热功能。热功能。热功能。

【技术实现步骤摘要】
一种低介电无硅相变导热片


[0001]本技术涉及电子领域，特别涉及一种低介电无硅相变导热片。

技术介绍

[0002]传统的无硅导热垫片及导热硅胶片的介电常数较高，且没有相变潜热储能功能。此外导热硅胶片有硅氧烷挥发或硅油析出，硅油析出可能污染电子元器件及造成电子元器件短路。

技术实现思路

[0003]本技术解决的技术问题是提供一种无硅氧烷挥发、无硅油析出、低介电常数，且具有导热、相变潜热储能功能、绝缘性佳的低介电无硅相变导热片。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种低介电无硅相变导热片，包括氮化硼陶瓷片，所述氮化硼陶瓷片的两侧设置有胶水层，各个所述胶水层远离氮化硼陶瓷片的一侧设置有无硅相变导热片。
[0005]进一步的是：所述氮化硼陶瓷片的厚度为0.1
‑
6mm。
[0006]进一步的是：所述胶水层的厚度为0.003
‑
0.050mm。
[0007]进一步的是：所述低介电无硅相变导热片的总厚度为0.3
‑
16mm。
[0008]本技术的有益效果是：本申请中含有氮化硼陶瓷片，使得本申请的导热性高、介电常数低、绝缘性能好，同时本申请中无硅氧烷挥发、无硅油析出，且具有相变导热功能。
附图说明
[0009]图1为一种低介电无硅相变导热片的整体结构示意图；
[0010]图中标记为：1、氮化硼陶瓷片；2、胶水层；3、无硅相变导热片。
具体实施方式
[0011]下面结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。
[0012]如图1所示，本申请的实施例提供了一种低介电无硅相变导热片，该低介电无硅相变导热片包括氮化硼陶瓷片1，所述氮化硼陶瓷片1的两侧设置有胶水层2，各个所述胶水层2远离氮化硼陶瓷片1的一侧设置有无硅相变导热片3，所述氮化硼陶瓷片1具有高导热、低介电常数、绝缘性能好的特点，使得本低介电无硅相变导热片的介电常数低、绝缘性能好，且具有高导热的特点，所述胶水层2用于将氮化硼陶瓷片1和无硅相变导热片3复合在一起，所述无硅相变导热片3具有压缩减震效果。
[0013]在上述基础上，所述氮化硼陶瓷片1的厚度为0.1
‑
6mm，所述氮化硼陶瓷片1的厚度可以是0.1mm、3mm或6mm。
[0014]在上述基础上，所述胶水层2的厚度为0.003
‑
0.050mm，所述胶水层2的厚度不能太厚，太厚会影响产品的导热效果，所述胶水层2的厚度可以是0.003mm、0.025mm或0.050mm。
[0015]在上述基础上，所述低介电无硅相变导热片的总厚度为0.3
‑
16mm，所述低介电无硅相变导热片的总厚度可以是0.3mm、8mm或16mm。
[0016]实施例一：
[0017]所述氮化硼陶瓷片1的厚度为0.1mm，所述胶水层2的厚度为0.003mm，所述无硅相变导热片3的厚度为0.097mm。
[0018]实施例二：
[0019]所述氮化硼陶瓷片1的厚度为6mm，所述胶水层2的厚度为0.05mm，所述无硅相变导热片3的厚度为4.95mm。
[0020]以上所述的具体实施例，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电无硅相变导热片，其特征在于：包括氮化硼陶瓷片(1)，所述氮化硼陶瓷片(1)的两侧设置有胶水层(2)，各个所述胶水层(2)远离氮化硼陶瓷片(1)的一侧设置有无硅相变导热片(3)。2.如权利要求1所述的一种低介电无硅相变导热片，其特征在于：所述氮化硼陶瓷片(1)的厚度为0.1
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【专利技术属性】
技术研发人员：黎海涛，林秋燕，
申请(专利权)人：东莞市汉品电子有限公司，
类型：新型
国别省市：