高频等效电路、高频等效电路的建模方法及建模装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种高频等效电路、高频等效电路的建模方法及建模装置。该电路包括：等效电阻、等效电容和漏极寄生电感串联，并与寄生电感、吸收电阻和吸收电容串联形成的吸收电路并联，然后串联上管导通等效电阻、功率回路寄生电感、直流链路等效串联电阻、电源、功率回路电阻以及分流电阻。通过本发明专利技术，解决了相关技术中Cascode型GaN器件在高开关频率下引起较大的振荡，从而导致严重的电压超调、额外的功率损耗、电磁干扰噪声，甚至器件击穿，降低系统的可靠性的问题，达到了定量化地抑制开关振荡的和匹配抑制振荡的参数、保证GaN器件安全可靠运行并充分发挥GaN功率器件的高频开关特性的技术效果。关特性的技术效果。关特性的技术效果。

High frequency equivalent circuit, modeling method and modeling device of high frequency equivalent circuit

【技术实现步骤摘要】
高频等效电路、高频等效电路的建模方法及建模装置


[0001]本专利技术涉及器件功率变换
，尤其涉及一种高频等效电路、高频等效电路的建模方法及建模装置。

技术介绍

[0002]近年来，由第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)制成的功率器件在高速和高功率密度的功率电子应用中逐渐兴起。GaN功率器件相比于Si、SiC，具有更高的开关频率、更小的开通电阻以及更小的栅极电荷，这就意味着在高功率密度和高效率的转换器方面，GaN器件具有明显的优势。
[0003]由于耗尽型GaN器件是是常开型器件，驱动和故障保护不容易做，不适合桥式变流器应用。为了解决这一问题，引入共源共栅级联型氮化镓(简称Cascode型GaN)和增强型GaN，使GaN开关具有常闭器件的特性。Cascode型GaN是通过将低压硅MOSFET与高压耗尽型GaN串联而成，如图1所示，图1中标注了所有结电容和寄生电感，这种结构不仅可以实现器件的常闭，还可以缓解Miller效应、提高开关速度、降低大电流条件下的关断损耗。因此，Cascode型GaN器件是大功率和高频开关应用的有力候选器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频等效电路，其特征在于，包括：等效电阻、等效电容、漏极寄生电感、寄生电感、吸收电阻、吸收电容、上管导通等效电阻、功率回路寄生电感、直流链路等效串联电阻、电源、功率回路电阻以及分流电阻，其中，所述等效电阻、所述等效电容和所述漏极寄生电感串联，并与所述寄生电感、所述吸收电阻和所述吸收电容串联形成的吸收电路并联，然后串联所述上管导通等效电阻、所述功率回路寄生电感、所述直流链路等效串联电阻、所述电源、所述功率回路电阻以及所述分流电阻。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述等效电阻的第一端与所述漏极寄生电感的第二端连接，所述等效电阻的第二端与所述等效电容的第一端连接，所述漏极寄生电感的第一端与所述上管导通等效电阻的第二端连接，所述等效电容的第二端与所述分流电阻的第二端连接。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述寄生电感的第一端连接到所述漏极寄生电感与所述上管导通等效电阻之间的线路上，所述寄生电感的第二端与所述所述吸收电阻的第一端连接，所述吸收电阻的第二端与所述吸收电容的第一端连接，所述吸收电容的第二端连接到所述等效电容与所述分流电阻之间的线路上。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述上管导通等效电阻的第一端与所述功率回路寄生电感的第二端连接，所述功率回路寄生电感的第一端与所述直流链路等效串联电阻的第二端连接，所述直流链路等效串联电阻的第一端与所述电源的第一端连接，所述电源的第二端与所述功率回路电阻的第一端连接，所述功率回路电阻的第二端与所述分流电阻的第一端连接。5.一种高频等效电路的建模方法，应用于权利要求1至4中任一项所述的电路，其特征在于，包括：建立带有寄生参数的高阶开关振荡电路模型，其中，所述寄生参数至少包括：共源共栅级联型氮化镓器件的内部级联寄生参数、包含所述共源共栅级联型氮化镓器件的桥式变换器中的半桥电路分布参数和吸收电路参数；利用开关特性提取所述高阶开关振荡电路模型的关键寄生参数，并通过电路等效变换的方式，确定所述高阶开关振荡电路模型对应的...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆光照，罗斌，鲁绪恺，刘春强，李四海，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：