【技术实现步骤摘要】
封装结构的制作方法及封装结构
[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，特别涉及封装结构的制作方法及封装结构。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的日益发展，具有高的集成密度的封装结构越来越重要。例如，采用3D封装结构可以实现芯片与芯片之间的相互堆叠。
[0003]目前现有的硅光芯片中的电芯片(电子集成电路芯片，EIC，Electronic integrated chip)和光芯片(光子集成电路芯片，PIC，Photonic integrated chip)由于采用不同的晶圆生成工艺制程，采用芯片级别的互连(例如打线或倒装的互连方式)来实现电芯片(EIC)与光芯片(PIC)之间的连接，形成三维互连结构。
[0004]在光芯片(PIC)和电芯片(EIC)的三维封装中，为了避免打薄光芯片(PIC)时造成翘曲从而导致光芯片(PIC)和电芯片(EIC)的连接点错位或失效，或者为了使光芯片(PIC)和电芯片(EIC)的封装具有较高的强度，通常需要在光芯片(PIC)表面形成塑封层。然而，光芯片(PIC)具有用于输入光的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片，每个所述第一半导体芯片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有光耦合区以及围绕所述光耦合区的非光耦合区，所述光耦合区内设置有光耦合接口；针对每个所述第一半导体芯片，提供与该第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片以及光耦合区保护环，并将所述至少一个第二半导体芯片以及所述光耦合区保护环分别固定在该第一半导体芯片的所述第一表面的所述非光耦合区上，其中，所述光耦合区保护环环绕所述光耦合区；制作塑封层，所述塑封层包覆所述至少一个第二半导体芯片和所述光耦合区保护环远离所述光耦合区的外侧表面并且所述塑封层不覆盖所述光耦合区保护环所占区域。2.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在垂直于所述第一表面的方向上，所述光耦合区保护环远离所述第一表面的顶面与所述至少一个第二半导体芯片远离所述第一表面的顶面齐平。3.如权利要求2所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作塑封层包括：提供一塑封模具，所述塑封模具上具有与所述多个第一半导体芯片一一对应的多个U形腔体，在每个所述腔体内的预设区域处设置胶状塑封材料；将设置有所述胶状塑封材料的所述塑封模具倒置并压合在所述半导体晶片的所述第一表面上，以形成所述塑封层。4.如权利要求3所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作塑封层还包括：在将所述塑封模具倒置并压合在所述半导体晶片上时，所述光耦合区保护环的远离所述第一表面的顶面与所述腔体的底部贴合。5.如权利要求3所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作塑封层还包括：在设置所述胶状塑封材料之前，在每个所述腔体的底部设置疏胶层，并在所述疏胶层的所述预设区域处设置所述胶状塑封材料。6.如权利要求5所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作塑封层还包括：在将所述塑封模具倒置并压合在所述半导体晶片上时，所述光耦合区保护环的远离所述第一表面的顶面与所述疏胶层贴合。7.如权利要求3所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述塑封层之后，去除所述塑封模具。8.如权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在去除所述塑封模具之后，对所述半导体晶片进行切割以得到多个分离的芯片封装组件，每个所述芯片封装组件包括一个第一半导体芯片、对应的至少一个第二半导体芯片、光耦合区保护环以及塑封层。9.如权利要求8所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在得到多个分离的所述芯片封装组件之后，将每个所述芯片封装组件安装至对应的封装基板上；以及将导光结构或者激光器芯片安装至所述第一半导体芯片的所述光耦合接口上。10.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
在将所述至少一个第二半导体芯片以及所述光耦合区保护环分别固定在对应的第一半导体芯片的所述第一表面的所述非光耦合区上之前，在每个所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宏杰，孟怀宇，沈亦晨，
申请(专利权)人：上海曦智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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