一种气体分配盘部件的T型槽的加工方法技术

本发明专利技术提供了一种气体分配盘部件的T型槽的加工方法，所述的加工方法包括依次进行的第一铣切与第二铣切；所述的第一铣切为采用铣刀在气体分配盘部件表面加工形成凹槽；所述的第二铣切为采用“T”型刀在所述的凹槽内加工形成“T”型槽；所述的第一铣切与第二铣切分别独立地在卧式加工车床内进行加工。本发明专利技术解决了半导体机台的气体分配盘部件内“T”型槽的加工问题，操作简单，稳定性高，提高了加工效率。提高了加工效率。提高了加工效率。

A processing method of T-shaped groove of gas distribution disk parts

The invention provides a processing method of a T-shaped groove of a gas distribution disk component, which includes first milling and second milling in sequence; The first milling is to use a milling cutter to form a groove on the surface of the gas distribution disk component; The second milling is to use a \t\ knife to process in the groove to form a \t\ groove; The first milling and the second milling are processed independently in the horizontal processing lathe. The invention solves the processing problem of the \t\ groove in the gas distribution disk part of the semiconductor machine, has simple operation, high stability, and improves the processing efficiency. The processing efficiency is improved. The processing efficiency is improved< br/>

【技术实现步骤摘要】
一种气体分配盘部件的T型槽的加工方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，涉及气体分配盘部件的加工，尤其涉及一种气体分配盘部件的T型槽的加工方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中常用到化学气相沉积技术，是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。在化学气相沉积过程中，晶圆在气体分配盘的下方，气体分配盘需保证良好的通气性能，从而保证沉积过程的稳定性，但有些小孔位置在T型槽内部，使得加工难度增加，降低了工程效率，容易造成产品失效。
[0003]CN103614706A公开了一种带氧化钇涂层的高耐腐蚀性气体分配器的生产工艺，对需加工的零件，根据设计图纸，加工步骤如下：a.留余量多次精加工来保证零件形位公差；b.通过可调节的膨胀销来定位，以保证小孔位置精度；c.通过随机钻孔来保证1009个气孔均匀性；d.机加工序与表面处理工序的合理安排，减少加工及表面处理难度；e.定制非标刀具来加工特定槽；f.出气面喷砂处理，粗糙度达到Ra5～7；g.零件整体覆盖氧化铝，膜厚0.05～0.07mm；h.出气面喷涂氧化钇，粗糙度达到Ra6～8。
[0004]CN108179261A公开了一种薄壁气体分配器的热校平工艺，其中薄壁气体分配器的加工和处理包括：按图纸要求对薄壁气体分配器进行机械加工，确保薄壁气体分配器的平面度和平行度都≤0.10mm，以及小孔的孔径均匀；所述的处理，对加工后的薄壁气体分配器进行打磨和清洗，去除机加工痕迹。
[0005]CN108000059A公开了一种卧式车床拉杆部件加工方法，包括步骤一：锯削毛坯棒料；步骤二：毛坯棒料外圆粗车加工，单面尺寸放量为3mm，外螺纹的台阶根部车成R5圆角；步骤三：毛坯棒料进行热处理至毛坯棒料的洛氏硬度为31HRC～35HRC，步骤四：利用卧式车床对拉杆坯料的端面车准、M24螺纹车准和倒角车准；步骤五：利用定位工具对铣刀与拉杆部件定位铣削键槽；步骤六：最后进行棱边倒钝。

技术实现思路

[0006]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种气体分配盘部件的T型槽的加工方法，采用特定结构的铣切刀具，解决了半导体机台的气体分配盘部件内“T”型槽的加工问题，操作简单，稳定性高，提高了加工效率。
[0007]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0008]本专利技术提供了一种气体分配盘部件的T型槽的加工方法，所述的加工方法包括依次进行的第一铣切与第二铣切；
[0009]所述的第一铣切为采用铣刀在气体分配盘部件表面加工形成凹槽；
[0010]所述的第二铣切为采用“T”型刀在所述的凹槽内加工形成“T”型槽；
[0011]所述的第一铣切与第二铣切分别独立地在卧式加工车床内进行加工。
[0012]本专利技术提供的气体分配盘部件的T型槽的加工方法中，采用特定结构的铣切刀具，通过第一铣切与第二铣切的两步工艺，采用第一铣切去除“T”型槽加工前余量，使T型刀能下降到槽底，解决了半导体机台的气体分配盘部件内“T”型槽的加工问题，操作简单，稳定性高，在卧式加工车床内进行操作，对形状较复杂，精度要求高的单件加工或中小批量多品种生产更为适用，提高了加工效率。
[0013]作为本专利技术一个优选技术方案，所述第一铣切的主轴转速为6300～6700r/min，例如可以是6300r/min、6350r/min、6380r/min、6400r/min、6450r/min、6500r/min、6550r/min、6580r/min、6600r/min、6650r/min或6700r/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用，优选为6400
‑
6600r/min。
[0014]优选地，所述第一铣切的进给量为4500～6300mm/min，例如可以是4500mm/min、4600mm/min、4800mm/min、5000mm/min、5200mm/min、5500mm/min、5700mm/min、5800mm/min、6000mm/min、6100mm/min、6300mm/min或6300mm/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0015]优选地，在所述第一铣切中，所述铣刀的削铣深度每次为0.33～0.52mm，例如可以是0.33mm、0.34mm、0.35mm、0.37mm、0.38mm、0.40mm、0.42mm、0.45mm、0.48mm、0.50mm或0.52mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0016]优选地，所述铣刀的外表面设置有螺纹。
[0017]作为本专利技术一个优选技术方案，所述第二铣切的主轴转速为2700～4200r/min，例如可以是2700r/min、2750r/min、2800r/min、2900r/min、3000r/min、3200r/min、3500r/min、3600r/min、3800r/min、3900r/min、4000r/min、4100r/min或4200r/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0018]优选地，所述第二铣切的进给量为860～1200mm/min，例如可以是860mm/min、880mm/min、900mm/min、920mm/min、950mm/min、1000mm/min、1100mm/min、1150mm/min、1180mm/min或1200mm/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0019]优选地，在所述第二铣切中，所述“T”型刀的削铣深度每次为0.06～0.17mm，例如可以是0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm、0.10mm、0.11mm、0.12mm、0.13mm、0.14mm、0.15mm、0.16mm或0.17mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]作为本专利技术一个优选技术方案，所述凹槽的直径为258～283mm，例如可以是258mm、260mm、265mm、268mm、270mm、272mm、275mm、278mm、280mm、282mm或283mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0021]优选地，所述凹槽的深度为24.7～28.8mm，例如可以是24.7mm、24.8mm、25.0mm、25.5mm、25.7mm、26.0mm、26.2mm、26.3mm、26.7mm、27.0mm、27.5mm、27.8mm、28.0mm、28.5mm或28.8mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0022]优选地，所述“T”型槽的直径为268～292mm，例如可以是268mm、270mm、272mm、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体分配盘部件的T型槽的加工方法，其特征在于，所述的加工方法包括依次进行的第一铣切与第二铣切；所述的第一铣切为采用铣刀在气体分配盘部件表面加工形成凹槽；所述的第二铣切为采用“T”型刀在所述的凹槽内加工形成“T”型槽；所述的第一铣切与第二铣切分别独立地在卧式加工车床内进行加工。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述第一铣切的主轴转速为6300～6700r/min，优选为6400～6600r/min；优选地，所述第一铣切的进给量为4500～6300mm/min；优选地，在所述第一铣切中，所述铣刀的削铣深度每次为0.33～0.52mm；优选地，所述铣刀的外表面设置有螺纹。3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，所述第二铣切的主轴转速为2700～4200r/min；优选地，所述第二铣切的进给量为860～1200mm/min；优选地，在所述第二铣切中，所述“T”型刀的削铣深度每次为0.06～0.17mm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的加工方法，其特征在于，所述凹槽的直径为258～283mm；优选地，所述凹槽的深度为24.7～28.8mm；优选地，所述“T”型槽的直径为268～292mm。5.根据权利要求1
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4任一项所述的加工方法，其特征在于，所述的“T”型刀包括固定连接的第一端部与第二端部，在第二铣切过程中，所述第一端部伸入所述的凹槽内进行加工；优选地，所述的第一端部包括第一表面与第二表面，在第二铣切过程中，所述的第一表面紧贴所述凹槽的底部表面，所述的第二表面紧贴所述凹槽的侧壁进行加工；优选地，所述“T”型刀的高度为60～64mm。6.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于，所述的第一端部设置有倒角，所述倒角的半径为1.2～1.6mm；优选地，所述第一端部的直径为25～36mm；优选地，所述第一端部的高度为11～14mm；优选地，所述第二端部的直径为10～14mm。7.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，昝小磊，王学泽，汪涛，陈春磊，
申请(专利权)人：宁波江丰芯创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：