【技术实现步骤摘要】
测温装置及化学气相沉积设备
[0001]本申请涉及测温
,具体而言,涉及一种测温装置及化学气相沉积设备。
技术介绍
[0002]目前,对于化学气相沉积设备内沉积温度的测定手段主要有热电偶和红外测温仪。但对于部分材料,例如氮化硅材料等的化学气相沉积系统而言,具有沉积温度高、沉积时间长、沉积膜层厚等严苛的条件。
[0003]通常化学气相沉积设备直接采用红外测温仪或热电偶作为测温元件进行温度测定。
[0004]其中,红外测温仪即通过接收材料表面的红外能量进行温度测定,但该方法对需测定温度的物体表面材质及距离非常敏感,另外物体表面的情况也会对测定有影响,反观化学气相沉积材料的生长过程是膜厚持续增加且沉积材料表面的材质和状态持续变化的过程,导致红外测温仪的测定温度与实际温度出现偏差,并且生长过程中炉内的不断流动的工艺气体和固态附着物也会对其产生影响,因此使用现有的红外测温仪进行温度测定时,常常面临测不准的问题。
[0005]热电偶利用其测温节点处的温度变化产生电信号以进行测温,但面对化学气相沉积严格的沉积 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测温装置,其特征在于,包括:水平布置的多级结构,具有沿其轴向可拆卸连接的多级套筒,多级结构沿其轴向具有相对的第一端以及第二端,所述第一端为封闭端,任意相邻的两级所述套筒中,靠近所述第一端的所述套筒的内径小于靠近所述第二端的所述套筒的内径,靠近所述第一端的所述套筒的长度小于靠近所述第二端的所述套筒的长度;所述多级结构的轴向长度≥800mm,位于所述第一端的所述套筒的壁厚<3mm;以及测温元件,可拆卸安装于所述多级结构内,所述测温元件用于测量所述第一端的端部的温度。2.根据权利要求1所述的测温装置,其特征在于,任意相邻的两级套筒中,靠近所述第一端的所述套筒的壁厚小于靠近所述第二端的所述套筒的壁厚。3.根据权利要求1所述的测温装置,其特征在于,所述多级结构具有2
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5级套筒。4.根据权利要求1所述的测温装置,其特征在于,各级所述套筒的材质为碳化硅、氮化硅、石墨、氧化铝或不锈钢。5.根据权利要求1
‑
4任意一项所述的测温装置,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构,
申请(专利权)人:新美光苏州半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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