HCL二次纯化器制造技术

本发明专利技术HCL二次纯化器，包括连通第一HCLVMB与第一HCL出口的管路A、连通第二HCLVMB与第二HCL出口的管路B、连通高纯氮口的管路C、连通氮气口的管路D、连通泄压口的管路E，管路C与管路A及管路B连接，管路D与管路A及管路B连接,管路A沿气体流动方向依次设有第一手动隔膜阀、第一粒子过滤器和第二手动隔膜阀，管路B沿气体流动方向依次设有第三手动隔膜阀、第二粒子过滤器和第四手动隔膜阀，管路C沿气体流动方向依次设有第五手动隔膜阀和第一单向阀，管路D沿气体流动方向依次设有手动放气阀、第二单向阀、真空发生器、第三单向阀和压力计，管路E与真空发生器连接。本发明专利技术增加纯化器，加强过滤效果，降低金属含量，得到高纯净度的HCL。得到高纯净度的HCL。得到高纯净度的HCL。

HCl secondary purifier

【技术实现步骤摘要】
HCL二次纯化器


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种HCL二次纯化器。

技术介绍

[0002]随着半导体市场生产需求的变化，高端产品的研发和量产成为当前最迫切的任务，产品研发成功与否的关键因素是金属含量，之前产品对金属敏感度相对较低，因此新产品需要降低金属含量。
[0003]外延工艺的气体HCL作为清洁腔室的主要气体，对降低金属含量起至关重要的作用，正常的工艺气体管路的连接方式是从VMB(阀门分配箱)到主机台，其要纯净度不够。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种HCL二次纯化器。
[0005]本专利技术通过如下技术方案实现上述目的：一种HCL二次纯化器，包括连通第一HCL VMB与第一HCL出口的管路A、连通第二HCL VMB与第二HCL出口的管路B、连通高纯氮口的管路C、连通氮气口的管路D、连通泄压口的管路E，管路C与管路A及管路B连接，管路D与管路A及管路B连接,管路A沿气体流动方向依次设有第一手动隔膜阀、第一粒子过滤器和第二手动隔膜阀，管路B沿气体流动方向依次设有第三手动隔膜阀、第二粒子过滤器和第四手动隔膜阀，管路C沿气体流动方向依次设有第五手动隔膜阀和第一单向阀，管路D沿气体流动方向依次设有手动放气阀、第二单向阀、真空发生器、第三单向阀和压力计，管路E与真空发生器连接。
[0006]优选的，管路C与管路A的连接处设有第六手动隔膜阀.
[0007]优选的，管路C与管路B的连接处设有第七手动隔膜阀。
[0008]优选的，管路D与管路A的连接处设有第八手动隔膜阀。
[0009]优选的，管路D与管路B的连接处设有第九手动隔膜阀。
[0010]与现有技术相比，本专利技术一种HCL二次纯化器的有益效果是：在传统工艺的基础上增加纯化器，进一步加强过滤效果，降低金属含量，得到高纯净度的HCL。
附图说明
[0011]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0012]图1为本专利技术的结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用
的任何限制。
[0014]为了保持本专利技术实施例的以下说明清楚且简明，本专利技术省略了已知功能和已知部件的详细说明。
[0015]请参阅图1，一种HCL二次纯化器100，包括连通第一HCL VMB 1与第一HCL出口4的管路A、连通第二HCL VMB 2与第二HCL出口3的管路B、连通高纯氮口7的管路C、连通氮气口6的管路D、连通泄压口5的管路E。
[0016]管路A沿气体流动方向依次设有第一手动隔膜阀11、第一粒子过滤器13和第二手动隔膜阀15。
[0017]管路B沿气体流动方向依次设有第三手动隔膜阀21、第二粒子过滤器23和第四手动隔膜阀25。
[0018]管路C沿气体流动方向依次设有第五手动隔膜阀71和第一单向阀72，管路C与管路A的连接处设有第六手动隔膜阀12，管路C与管路B的连接处设有第七手动隔膜阀22。
[0019]管路D沿气体流动方向依次设有手动放气阀61、第二单向阀62、真空发生器63、第三单向阀64和压力计65。管路D与管路A的连接处设有第八手动隔膜阀14，管路D与管路B的连接处设有第九手动隔膜阀24。
[0020]管路E与真空发生器63连接。
[0021]本专利技术的工作原理：
[0022]HCL从VMB进入二次纯化器，通过粒子过滤器将金属过滤，再经过高纯氮口和氮气的净化，得到高纯净度的HCL。
[0023]本专利技术在传统工艺的基础上增加纯化器，进一步加强过滤效果，降低金属含量，得到高纯净度的HCL。
[0024]上述实施例可以相互结合。
[0025]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
[0026]在本专利技术的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.HCL二次纯化器，其特征在于：包括连通第一HCL VMB与第一HCL出口的管路A、连通第二HCL VMB与第二HCL出口的管路B、连通高纯氮口的管路C、连通氮气口的管路D、连通泄压口的管路E，管路C与管路A及管路B连接，管路D与管路A及管路B连接,管路A沿气体流动方向依次设有第一手动隔膜阀、第一粒子过滤器和第二手动隔膜阀，管路B沿气体流动方向依次设有第三手动隔膜阀、第二粒子过滤器和第四手动隔膜阀，管路C沿气体流动方向依次设有第五手动隔膜阀和第一单向阀，管路D沿气体流动方向依次设有手...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑岳亮，杨振域，王超，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：