【技术实现步骤摘要】
一种锗晶片双面抛光的方法
[0001]本专利技术涉及一种锗晶片双面抛光的方法，属于锗片抛光
技术介绍
[0002]红外光学系统中常用的平面锗窗口片或基片，还有其他客户订单都会用到锗双面抛光晶片。对锗双面晶片抛光加工而言，多数工厂都采用逐面抛光(先抛一面、再抛另一面) 加工方法，包括上蜡法抛光和无蜡垫抛光。
[0003]上蜡法抛光是用蜡将晶片主面向下固定在陶瓷盘上，然后进行背面抛光，抛光后加热陶瓷盘卸片，化蜡。其过程中要保护好抛光面，然后再次上盘，将抛光面向下上盘，抛主面合格后卸片、化蜡、清洗，由于晶片和陶瓷盘之间只有一层薄薄的蜡，且晶片与陶瓷盘之间吸附的比较紧，卸片时非常容易造成晶片与陶瓷盘之间产生位移，导致划伤、破损，一旦产生背面划伤还要重新抛光背面再抛主面，方法流程复杂，且对操作者的手法和熟练程度要求非常高。由于抛光中有蜡作为粘合剂，晶片很容易被蜡污染，抛光后杂质、颗粒粘污多，不容易清洗。在抛光中要使用上蜡机、液体蜡、加热炉、化蜡剂等，大大增加了生产的物料成本，且这些步骤势必也要增加人工成本。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锗晶片双面抛光的方法，其特征在于：抛光设备包括下盘、上盘和游星轮；下盘和上盘直径相同、且同心设置，上盘的下表面与下盘的上表面平行；上盘的下表面贴有上抛光垫，下盘的上表面贴有下抛光垫；在上盘上有流药孔；下盘为环形，下盘内环内侧设有内齿圈，下盘外环外侧设外齿圈，内齿圈和外齿圈均可旋转，游星轮有3～5个，所有游星轮均布在下盘的抛光垫上、且位于内齿圈和外齿圈之间，游星轮为圆形，游星轮的周边同时与下盘上的内齿圈和外齿圈咬合；游星轮上设有放片孔，放片孔的直径比待加工晶片的直径大0.4～0.8mm；抛光时，将待加工晶片置于游星轮上的放片孔内，游星轮的厚度小于待加工晶片的厚度，降下上盘，使上盘压在待加工晶片上，此时待加工晶片的两面分别与下盘和上盘上抛光垫接触，开始抛光，液体由上盘流药孔流至上盘和下盘之间形成液体层，上盘和下盘做反向旋转运动，内齿圈和外齿圈作旋转运动，游星轮在内齿圈和外齿圈的带动下旋转，通过游星轮带动晶片在上下盘之间做复杂的行星式运动，同时对晶片上下表面进行抛光；抛光步骤为先药液抛、再水抛，用药液抛去除损伤层并形成抛光面，用水抛减少抛光结束时药液对晶片化学反应的影响；药液抛时，上盘对待加工晶片的压力为200～600N；下盘转速为10～60r/min，外齿圈转速5～30r/min，内齿圈转速
‑
2～
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12r/min；药液的流量为400～600ml/min，每分钟掉量为0.5
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0.8μm；水抛时，上盘对待加工晶片的压力为300～200N；下盘转速为20～10r/min，外齿圈转速10～5r/min，内齿圈转速
‑
4～
‑
2r/min；水的流量为1000～1500ml/min；运行时间15～30秒。2.如权利要求1所述的锗晶片双面抛光的方法，其特征在于：抛光垫本体为两层结构，包括无纺布衬底层和设在衬底层上的绒毛层；衬底层厚度范围800
‑
900μm,绒毛层厚度范围500
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600μm，抛光垫的硬度为50
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60
°
(邵氏硬度)，压缩率为3
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3.5％，压缩弹性率为70
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75％；前述抛光垫包括上抛光垫和下抛光垫。3.如权利要求2所述的锗晶片双面抛光的方法，其特征在于：抛光垫的绒毛层上设有凹槽，槽宽1
‑
2mm，槽深0.3
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0.5mm。4.如权利要求3所述的锗晶片双面抛光的方法，其特征在于：下抛光垫为边长为50
‑
70mm方格开槽；上抛光垫为边长20
‑
40mm方格开槽。5.如权利要求1
‑
4任意一项所述的锗晶片双面抛光的方法，其特征在于：游星轮的厚度范围是比抛光晶片厚度低80
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150μm。6.如权利要求1
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4任意一项所述的锗晶片双面抛光的方法，其特征在于：药液的制备为：将碳酸氢钠加入去离子水中，搅拌溶解，依次加入二氧化硅抛光液和二氯异氰尿酸钠，充分搅拌溶解；其中，碳酸氢钠的纯度为99％；二氧化硅抛光液的粒径为80～120nm，二氧化硅抛光液中SiO2含量为39...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋志强，刘兴达，柯尊斌，王卿伟，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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