二氧化硅膜层的抛光方法技术

本发明专利技术提出一种二氧化硅膜层的抛光方法，该方法包括：获取一外延片，并在所述外延片上生长第一SiO2层，得到待抛光外延片；获取硅片或蓝宝石衬底，并在所述硅片或所述蓝宝石衬底上生长第二SiO2层；将生长有所述第二SiO2层的多片所述硅片或所述蓝宝石衬底粘合在抛光垫或抛光盘上，所述硅片或所述蓝宝石衬底远离所述第二SiO2层的一面为粘合面；将粘合后的抛光垫或抛光盘安装在抛光机上，开启抛光机对所述待抛光外延片进行抛光，以使所述第一SiO2层和所述第二SiO2层互抛。本发明专利技术提出的二氧化硅膜层的抛光方法，通过对SiO2层采用互抛的方式进行抛光以取代传统抛光方式，避免了不同SiO2膜层需要不同抛光垫、抛光参数的问题，减少了抛光工艺的复杂性，降低了抛光成本。降低了抛光成本。降低了抛光成本。

Polishing method of silicon dioxide film

【技术实现步骤摘要】
二氧化硅膜层的抛光方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种二氧化硅膜层的抛光方法。

技术介绍

[0002]化学机械抛光技术是芯片表面加工的关键技术之一，其借助抛光液的化学 腐蚀作用以及超微粒子的研磨作用，在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的表 面。
[0003]在LED芯片行业，二氧化硅作为芯片的主要成本之一，制作SiO2层是很多 芯片的一种必要工序，例如红黄光GaAs LED倒装结构Mini或Mirco芯片均需 在特定的位置生长出SiO2膜层，生长SiO2膜层一般可采用化学气相沉积法或者 物理气相沉积法制得，并需采用化学机械抛光技术对SiO2膜层进行抛光。
[0004]然而，现有技术中，由于物理气相沉积法制得的SiO2在微观上为大量颗粒 连接在一起形成的SiO2薄膜，而气相沉积法制得的SiO2在微观上类似于层层铺 叠的片状薄膜，使得两种不同方法生长出的SiO2薄膜在同等抛光条件下的抛光 效果差异非常大，因此，为了获取所需的抛光效果，需针对不同的SiO2薄膜频 繁调节抛光参数以及选择不同的抛光物料，导致抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二氧化硅膜层的抛光方法，其特征在于，所述方法包括：获取一外延片，并采用化学气相沉积法或物理气相沉积法在所述外延片上生长出第一SiO2层，得到待抛光外延片；获取硅片或蓝宝石衬底，并在所述硅片或所述蓝宝石衬底上生长第二SiO2层，所述第二SiO2层的生长方法与所述第一SiO2层相同；将生长有所述第二SiO2层的多片所述硅片或所述蓝宝石衬底粘合在抛光垫或抛光盘上，所述硅片或所述蓝宝石衬底远离所述第二SiO2层的一面为粘合面；将粘合后的抛光垫或抛光盘安装在抛光机上，开启抛光机对所述待抛光外延片进行抛光，以使所述第一SiO2层和所述第二SiO2层互抛。2.根据权利要求1所述的二氧化硅膜层的抛光方法，其特征在于，在开启抛光机对所述待抛光外延片进行抛光的步骤中：所述抛光机的转速为20
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40r/min。3.根据权利要求2所述的二氧化硅膜层的抛光方法，其特征在于，在开启抛光机对所述待抛光外延片进行抛光的步骤中：所述第一SiO2层和所述第二SiO2层之间的抛光压力为0.1
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1kgf。4.根据权利要求2所述的二氧化硅膜层的抛光方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾钊，马婷，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西耀驰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：