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本发明提出一种二氧化硅膜层的抛光方法，该方法包括：获取一外延片，并在所述外延片上生长第一SiO2层，得到待抛光外延片；获取硅片或蓝宝石衬底，并在所述硅片或所述蓝宝石衬底上生长第二SiO2层；将生长有所述第二SiO2层的多片所述硅片或所述蓝宝...
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