一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，涉及大功率负载芯片技术领域。本实用新型专利技术包括介质基片，介质基片上表面安装有第一金属带线和第二金属带线，第一金属带线外表面安装有第一框架，第一框架内表面安装有薄膜电阻层，第二金属带线外表面安装有第二框架，薄膜电阻层外表面与第二框架内表面连接，介质基片下表面安装有金属层。本实用新型专利技术通过第一金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接；第二金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接；由于通过交叠的方式实现金属带线和薄膜电阻层之间的电连接，故能够避免局部脱落对负载芯片工作产生个影响，提高整个大功率负载芯片的可靠性。提高整个大功率负载芯片的可靠性。提高整个大功率负载芯片的可靠性。

A high power load chip based on multiple metallized vias

【技术实现步骤摘要】
一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片


[0001]本技术属于大功率负载芯片
，特别是涉及一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片。

技术介绍

[0002]随着科学技术的发展和社会科技水平的不断进步，微波毫米波电路已经越来越广泛地应用于人们的工作和社会的科学实践中；就目前而言，微波毫米波电路绝大多数选择50Ω作为系统的参考阻抗，因此在多模块的系统级联、测试测量过程中，均要求各模块的端口阻抗、连接器、测试电缆的特性阻抗均为50Ω，多端口器件中，不用的端口也需要接50Ω匹配负载来吸收信号，避免信号反射回电路中，影响器件性能。
[0003]所以在大功率微波产品中，如果50Ω负载所能承受的功率不足，就可能会引起负载或产品损坏，对微波毫米波电路的正常工作产生不利影响；但现有的大功率负载芯片中，若想要扩大其承受功率，往往会改变负载芯片内部的匹配阻抗，进而不利于与微波毫米波电路中的其它模块相匹配。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，解决现有的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0006]本技术为一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，包括介质基片，所述介质基片上表面安装有第一金属带线和第二金属带线，所述第一金属带线外表面安装有第一框架，所述第一框架内表面安装有薄膜电阻层，所述第二金属带线外表面安装有第二框架，所述薄膜电阻层外表面与第二框架内表面连接，所述介质基片下表面安装有金属层，所述金属层内表面设置有金属化过孔，所述第一金属带线与薄膜电阻层设置有第一交叠区域，所述第一金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域进行连接，所述第二金属带线与薄膜电阻层设置有第二交叠区域，所述第二金属带线与薄膜电阻层通过第二交叠区域进行连接，所述第一金属带线与第二金属带线内表面均设置有安装孔，所述金属化过孔与安装孔的直径相等，通过第一金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接；第二金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接；由于通过交叠的方式实现金属带线和薄膜电阻层之间的电连接，故能够避免局部脱落对负载芯片工作产生个影响，提高整个大功率负载芯片的可靠性。
[0007]本技术具有以下有益效果：
[0008]本技术在工作过程中，第二金属带线与金属层之间的金属化过孔会形成等效电感，从而对高频信号的接地产生影响，不利于负载芯片的正常工作；而本申请中，介质基片内部设置有多个用于连通金属层和第二金属带线的金属化过孔，虽然金属化过孔于金属层和第二金属带线依然会形成等效电感，但由于多个金属化过孔同时连接金属层和第二金
属带线，相当于等效电感并联，减小了两者之间的电感值，从而减弱了等效电感对于高频信号的隔离作用，使得高频信号通过本申请的负载芯片依然能够接地；从而负载芯片既能够应用与高频环境，也能够应用于低频环境；通过第一金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接；第二金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接；由于通过交叠的方式实现金属带线和薄膜电阻层之间的电连接，故能够避免局部脱落对负载芯片工作产生个影响，提高整个大功率负载芯片的可靠性。
[0009]当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本技术的整体结构示意图；
[0012]图2为本技术的主视结构示意图；
[0013]图3为本技术的左视结构示意图；
[0014]图4为图3中A
‑
A剖面结构示意图；
[0015]图5为本技术的俯视结构示意图。
[0016]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0017]1、介质基片；2、第一金属带线；3、第一框架；4、薄膜电阻层；5、第二金属带线；6、第二框架；7、金属层；8、金属化过孔；9、安装孔；10、第一交叠区域；11、第二交叠区域。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“中”、“外”、“内”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0020]如图所示，本技术为一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，包括介质基片1，介质基片1上表面安装有第一金属带线2和第二金属带线5，第一金属带线2外表面安装有第一框架3，第一框架3内表面安装有薄膜电阻层4，第二金属带线5外表面安装有第二框架6，薄膜电阻层4外表面与第二框架6内表面连接，介质基片1下表面安装有金属层7，金属层7内表面设置有金属化过孔8，第一金属带线2与薄膜电阻层4设置有第一交叠区域10，第一金属带线2与薄膜电阻层4通过第一交叠区域10进行连接，第二金属带线5与薄膜电阻层4设置有第二交叠区域11，第二金属带线5与薄膜电阻层4通过第二交叠区域11进行连接，第一金属带线2与第二金属带线5内表面均设置有安装孔9，金属化过孔8与安装孔9的直径相等，通过第一金属带线2与薄膜电阻层4通过第一交叠区域10实现电连接；第二金属带线5
与薄膜电阻层4通过第一交叠区域10实现电连接；由于通过交叠的方式实现金属带线和薄膜电阻层4之间的电连接，故能够避免局部脱落对负载芯片工作产生个影响，提高整个大功率负载芯片的可靠性。
[0021]本技术为一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，在工作过程中，第二金属带线5与金属层7之间的金属化过孔8会形成等效电感，从而对高频信号的接地产生影响，不利于负载芯片的正常工作；而且介质基片1内部设置有多个用于连通金属层7和第二金属带线5的金属化过孔8，虽然金属化过孔8于金属层7和第二金属带线5依然会形成等效电感，但由于多个金属化过孔8同时连接金属层7和第二金属带线5，相当于等效电感并联，减小了两者之间的电感值，从而减弱了等效电感对于高频信号的隔离作用，使得高频信号通过本申请的负载芯片依然能够接地；从而负载芯片既能够应用与高频环境，也能够应用于低频环境；通过第一金属带线2与薄膜电阻层4通过第一交叠区域10实现电连接；第二金属带线5与薄膜电阻层4通过第一交叠区域10实现电连接；由于通过交叠的方式实现金属带线和薄膜电阻层4之间的电连接，故本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于多个金属化过孔的大功率负载芯片，包括介质基片(1)，其特征在于：所述介质基片(1)上表面安装有第一金属带线(2)和第二金属带线(5)，所述第一金属带线(2)外表面安装有第一框架(3)，所述第一框架(3)内表面安装有薄膜电阻层(4)，所述第二金属带线(5)外表面安装有第二框架(6)，所述薄膜电阻层(4)外表面与第二框架(6)内表面连接，所述介质基片(1)下表面安装有金属层(7)，所述金属层(7)内表面设置有金属化过孔(8),所述第一金属带线(2)与第二金属带线(5)内表面均设置有安装孔(9),所述金属化过孔(8)与安装孔(9)的直径相等。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘涛，李俊华，
申请(专利权)人：羿升深圳电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：