显示面板制造技术

本申请提供一种显示面板和显示装置；该显示面板通过使补偿晶体管靠近驱动晶体管的子沟道的宽长比小于第一初始化晶体管的沟道的宽长比，可以减小补偿晶体管的漏电对驱动晶体管的栅极的影响或者增大第一初始晶体管的漏电对驱动晶体管的栅极的影响，从而使补偿晶体管漏电对驱动晶体管的栅极的电位的拉升影响和第一初始化晶体管对驱动晶体管的栅极的电位的拉低影响抵消，从而避免各晶体管的漏电导致驱动晶体管的栅极电位变化，改善显示闪烁的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其是涉及一种显示面板。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件由于自发光、可实现柔性等优点被广泛应用。现有OLED显示器件会采用基于LTPS(Low Temperature Poly
‑
silicon，低温多晶硅)技术的驱动电路对像素进行驱动，但在实际使用过程中，由于与驱动晶体管的栅极连接的晶体管为双栅设计的晶体管，位于双栅结构之间的半导体图案容易受到其他信号的耦合，导致电位较高，在发光阶段向驱动晶体管漏电，且在实际过程中，存在部分晶体管的向驱动晶体管的栅极漏电导致驱动晶体管的栅极电位提高，部分晶体管向驱动晶体管的栅极漏电导致驱动晶体管的栅极电位降低，总体会导致驱动晶体管的栅极电位升高，从而一帧内显示亮度变化，且在低频显示时出现明显的闪烁现象。
[0003]所以，现有显示面板存在不同晶体管对驱动晶体管的栅极的漏电影响不平衡所导致的显示闪烁的问题。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：第一初始化晶体管，与第一初始化信号线连接，用于在第一扫描信号的控制下，向第一节点输入第一初始化信号；开关晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向第二节点输入数据信号；驱动晶体管，与第一节点和第二节点电连接，用于在第一节点和第二节点电位的控制下，驱动所述发光器件发光；补偿晶体管，通过所述第一节点和第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在第三扫描信号的控制下，补偿所述驱动晶体管的阈值电压；其中，所述补偿晶体管包括至少两个子沟道，所述补偿晶体管中靠近所述驱动晶体管的子沟道的宽长比小于所述第一初始化晶体管的沟道的宽长比。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一初始化晶体管包括至少两个子沟道，所述补偿晶体管中靠近所述驱动晶体管的子沟道的宽长比小于所述第一初始化晶体管中靠近所述驱动晶体管的子沟道的宽长比。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述补偿晶体管包括第一沟道，所述第一初始化晶体管包括第二沟道，所述第一沟道至少包括第一子沟道和第二子沟道，所述第二沟道至少包括第三子沟道和第四子沟道，所述第一子沟道位于所述第二子沟道靠近所述驱动晶体管的一侧，所述第三子沟道位于所述第四子沟道靠近所述驱动晶体管的一侧，所述第一子沟道的宽长比小于所述第三子沟道的宽长比，且所述第一沟道的宽长比小于所述第一初始化晶体管的第二沟道的宽长比。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一子沟道的宽长比小于所述第二子沟道的宽长比，所述第三子沟道的宽长比大于所述第四子沟道的宽长比。5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比，或者所述第二子沟道的宽长比小于所述第四子沟道的宽长比。6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一子沟道的宽长比小于所述第二子沟道的宽长比，所述第三子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比，且所述第二子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比。7.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第三子沟道的宽长比大于所述第四子沟道的宽长比，所述第一子沟道的宽长比等于所述第二子沟道的宽长比，且所述第一子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比。8.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一子沟道的宽长比等于所述第二子沟道的宽长比，所述第三子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比。9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述补偿晶体管包括相连的第一栅极和第二栅极、第一有源图案，所述第一初始化晶体管包括相连的第三栅极和第四栅极、第二有源图案，在所述第一子沟道，所述第一有源图案所述第一栅极存在第一重合区域，在所述第二子沟道，...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁凯，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：