【技术实现步骤摘要】
一类骨架不对称的稠环n
‑
型聚合物及其制备方法与应用
[0001]本专利技术属于光电材料与应用
,具体涉及一类骨架不对称的稠环n
‑
型聚合物及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]近年来,有机太阳电池(OSCs)得到迅猛发展,其中以p
‑
型聚合物为给体、n
‑
型聚合物为受体的全聚合物太阳电池(all
‑
PSCs)凭借给/受体间可调的互补吸收、良好的形貌稳定性以及优秀的机械性能等优势,得到越来越多的关注。但由于高效的聚合物给体/受体种类较少、且长期面临光伏活性层微观相分离结构以及电荷迁移率不理想等问题,其发展较为缓慢,能量转换效率落后于以小分子材料为受体的PSCs。
[0003]考虑到非富勒烯小分子受体具有强且宽的吸收、合适的能级以及优异的光伏性能等优点,李永舫院士团队在2017年首次提出了“小分子受体高分子化”(PSMAs)策略(Angew.Chem.Int.Ed.,2017,56,13503)。他们将非富勒烯小分子作 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一类骨架不对称的稠环n
‑
型聚合物,其特征在于,结构通式如式Ⅰ所示:所述式Ⅰ中,共聚单元1为A
‑
D1A'D2
‑
A型稠环单元,用式Ⅱ表示:所述式Ⅱ中,D1A'D2单元选自下述结构式中的任一种:其中,D1A'D2单元结构式中的R1、R2、R3和R4均独立地选自H、卤素、碳原子数为1~50的直链或支链的烷基或烷氧基或烷硫基或烷硅基、烷基取代的芳基;所述烷基取代的芳基中的烷基为碳原子数为1~50的直链或支链烷基,芳基为苯环或者噻吩环;所述卤素为F、Cl或I;结构式中X和Y均独立地代表O、S或Se原子;所述D1A'D2结构式中的虚线表示与A单元的连接位点;所述式Ⅱ中,A单元选自下述结构式中的任一种:所述A单元结构式中的虚线:
①
表示A单元与D1A'D2单元的连接位点;
②
表示A单元和共聚单元2的连接位点;所述式Ⅰ中,共聚单元2为共轭芳杂环单元,选自下述结构式中的任一种:
其中,共聚单元2结构式中的R均独立地选自H、卤素、碳原子数为1~50的直链或支链的烷基或烷氧基或烷硫基或烷硅基、烷基取代的芳基;所述烷基取代的芳基中的烷基为碳原子数为1~50的直链或支链烷基,芳基为苯环或者噻吩环;所述卤素为F、Cl或I;结构式中M代表C、O或S原子;结构式中Z代表H、F或Cl原子;所述共聚单元2结构式中的虚线表示与共聚单元1的连接位点;其中,n为聚合物重复单元的个数,为1~10000的自然数。2.根据权利要求1所述一类骨架不对称的稠环n
‑
型聚合物,其特征在于,所述共聚单元1中的一种结构为式Ⅲ所示:...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。