具有过电压保护的发射器制造技术

本申请实施例公开了一种具有过电压保护的发射器，发射器包括位准转换电路、边缘调整电路以及驱动器。位准转换电路基于一输入信号产生多个第一信号与多个第二信号，其中该输入信号的电压范围、多个第一信号的电压范围与多个第二信号的电压范围彼此不同。边缘调整电路根据多个第一信号与多个第二信号调整一第一节点的位准以及一第二节点的位准，并在调整该第一节点的位准与该第二节点的位准的过程中提供一过电压保护。驱动器根据该第一节点的位准与该第二节点的位准产生一输出信号。准与该第二节点的位准产生一输出信号。准与该第二节点的位准产生一输出信号。

【技术实现步骤摘要】
具有过电压保护的发射器


[0001]本申请涉及发射器，具体涉及一种具有过电压保护的发射器，其可由具有相对较低耐压的晶体管来实现。

技术介绍

[0002]由于制程进步，晶体管的尺寸越来越小，使得晶体管的耐压也越来越低。然而，在现有的应用中，发射器仍需要传输具有较高位准的信号。若直接使用具有低耐压的晶体管来实现现有的发射器，该些晶体管需承受过大的电压而出现损坏，造成发射器的可靠度降低。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，本申请提供一种具有过电压保护的发射器，其可由具有相对较低耐压的晶体管实施。
[0004]在一些实施例中，发射器包括位准转换电路、边缘调整电路以及驱动器。位准转换电路基于一输入信号产生多个第一信号与多个第二信号，其中所述输入信号的电压范围、多个第一信号的电压范围与多个第二信号的电压范围彼此不同。边缘调整电路根据多个第一信号与多个第二信号调整一第一节点的位准以及一第二节点的位准，并在调整所述第一节点的位准与所述第二节点的位准的过程中提供过电压保护。驱动器根据所述第一节点的位准与所述第二节点的位准产生一输出信号。
[0005]本申请一些实施例中的发射器可使用具有低耐压的晶体管来发射具有高位准的输出信号，并利用过电压保护与短路电流保护来确保该些晶体管不会损坏，以提高发射器的可靠度。
[0006]有关本申请的特征、实作与功效，兹配合图式作较佳实施例详细说明如下。
附图说明
[0007]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0008]图1为根据本申请一些实施例绘制的一种发射器的示意图；
[0009]图2为根据本申请一些实施例绘制图1的位准转换电路的示意图；
[0010]图3A为根据本申请一些实施例绘制图1的边缘调整电路中的电路的示意图；
[0011]图3B为根据本申请一些实施例绘制图1的边缘调整电路中的另一电路的示意图；
[0012]图4为根据本申请一些实施例绘制图1中的驱动器的示意图；
[0013]图5A为根据本申请一些实施例绘制图3A的电路在输入信号由低位准切换至高位准且控制节点的位准仍未改变时的操作示意图；
[0014]图5B为根据本申请一些实施例绘制图3B的电路在输入信号由低位准切换至高位准且控制节点的位准仍未改变时的操作示意图；
[0015]图6A为根据本申请一些实施例绘制图3A的电路在输入信号由低位准切换至高位准且控制节点的位准改变时的操作示意图；以及
[0016]图6B为根据本申请一些实施例绘制图3B的电路在输入信号由低位准切换至高位准且控制节点位准改变时的操作示意图。
[0017]【符号说明】
[0018]100:发射器
[0019]110:位准转换电路
[0020]120:边缘调整电路
[0021]130:驱动器
[0022]210,220:比较电路
[0023]230,240,250,260:反相器
[0024]300A,300B:电路
[0025]310:下拉电路
[0026]315,335：电流源电路
[0027]320,340:保护电路
[0028]330:上拉电路
[0029]340:保护电路
[0030]AVDDH,AVDDL,AVSSH,AVSS:电压
[0031]C:电容
[0032]D1,D2:数据信号
[0033]DBH,DH,DBL,DL:信号
[0034]DIN:输入信号
[0035]DO:输出信号
[0036]d1～d10:节点
[0037]dc:控制节点
[0038]do:输出节点
[0039]R:电阻
[0040]T3～T4,N1～N13:N型晶体管
[0041]T1～T,P1～P13:P型晶体管
[0042]VO:输出信号
具体实施方式
[0043]本文所使用的所有词汇具有其通常的意涵。上述词汇在普遍常用的字典中的定义，在本申请的内容中包括任一在此讨论的词汇的使用例子仅为示例，不应限制到本申请的范围与意涵。同样地，本申请亦不仅以此说明书所示出的各种实施例为限。
[0044]关于本文中所使用的“耦接”或“连接”，均可指二或多个组件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，亦可指二或多个组件相互操作或动作。如本文所
用，用语“电路”可为由至少一个晶体管和/或至少一个主被动组件按一定方式连接以处理信号的装置。
[0045]图1为根据本申请一些实施例绘制的一种发射器100的示意图。在一些实施例中，发射器100可由具有低耐压的晶体管来实施，并设置以具有过电压保护以可用来输出具有高电压位准的信号。
[0046]发射器100包括位准转换电路110、边缘调整电路120、驱动器130与电容C。位准转换电路110基于输入信号DIN产生信号DH、信号DBH、信号DL以及信号DBL。在一些实施例中，信号DH与信号DBH具有相反的位准，且信号DL与信号DBL具有相反的位准。例如，当信号DH具有高位准时，信号DBH具有低位准；反之亦然。
[0047]在一些实施例中，输入信号DIN的电压范围、信号DH与信号DBH的电压范围与信号DL与信号DBL的电压范围彼此不同。在此例中，输入信号DIN的电压范围大于信号DH与信号DBH的电压范围，并大于信号DL与信号DBL的电压范围。例如，输入信号DIN的电压范围可由图2中的电压AVSS以及电压AVDDH而定，其中电压AVSS为输入信号DIN的电压范围的下限，且电压AVDDH为输入信号DIN的电压范围的上限。信号DH与信号DBH的电压范围可由图2中的电压AVSSH以及电压AVDDH而定，其中电压AVSSH为信号DH与信号DBH的电压范围的下限，且电压AVDDH为信号DH与信号DBH的电压范围的上限。信号DL与信号DBL的电压范围可由图2中的电压AVSS以及电压AVDDL而定，其中电压AVSS为信号DL与信号DBL的电压范围的下限，且电压AVDDL为信号DL与信号DBL的电压范围的上限。其中，电压AVDDH高于电压AVDDL，电压AVDDL高于电压AVSSH，且电压AVSSH高于电压AVSS。
[0048]例如，电压AVDDH可约为3.3伏特，电压AVDDL可约为1.8伏特，电压AVSSH可约为1.5伏特，且电压AVSS可约为0伏特。据此，应当理解，信号DH与信号DBH的电压范围的上限(即电压AVDDH)高于信号DL与信号DBL的电压范围的上限(即电压AVSSH)，且信号DH与信号DBH的电压范围的下限(即电压AVSSH)高于信号DL与信号DBL的电压范围的下限(即电压AVSS)。上述关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发射器，其特征在于，包括：一位准转换电路，基于一输入信号产生多个第一信号与多个第二信号，其中，所述输入信号的电压范围、所述多个第一信号的电压范围与所述多个第二信号的电压范围彼此不同；一边缘调整电路，根据所述多个第一信号与所述多个第二信号调整一第一节点的位准以及一第二节点的位准，并在调整所述第一节点的位准与所述第二节点的位准的过程中提供一过电压保护；以及一驱动器，根据所述第一节点的位准与所述第二节点的位准产生一输出信号。2.如权利要求1所述的发射器，其特征在于，所述边缘调整电路包括多个晶体管，所述多个晶体管中每一晶体管的耐压小于所述输入信号的电压范围的上限，且所述边缘调整电路对所述多个晶体管提供过电压保护。3.如权利要求1所述的发射器，其特征在于，所述边缘调整电路包括：一第一电路，根据所述多个第二信号中的一对应者以及所述多个第一信号调整所述第一节点的位准，以调整所述输出信号的上升边缘；以及一第二电路，用以根据所述多个第一信号中的一对应者以及所述多个第二信号调整所述第二节点的位准，以调整所述输出信号的下降边缘。4.如权利要求3所述的发射器，其特征在于，所述第一电路包括：一下拉电路，根据所述多个第二信号中的所述对应者以及所述多个第一信号下拉所述第一节点的位准与调整一控制节点的位准；一保护电路，根据所述控制节点的位准、一第一电压以及一第二电压对所述下拉电路提供过电压保护，其中所述第一电压为所述多个第一信号的电压范围的下限，且所述第二电压为所述多个第二信号的电压范围的上限。5.如权利要求4所述的发射器，其特征在于，所述下拉电路包括：一第一P型晶体管，根据所述多个第一信号中的一者选择性导通，以传输一第三电压至所述第一节点，其中所述第三电压为所述多个第一信号的电压范围的上限；一第二P型晶体管，根据所述多个第一信号中的另一者选择性导通，以耦接所述第一节点至一第三节点；一第三P型晶体管，根据所述第一电压与所述第三节点的位准选择性导通，以耦接所述第三节点至所述控制节点；一第一N型晶体管，根据所述第二电压以及一第四节点的位准选择性导通，以耦接所述控制节点至所述第四节点；一电流源电路；以及一第二N型晶体管，根据所述多个第二信号中的所述对应者选择性导通，以经由所述电流源电路下拉所述第四节点的位准至一第四电压，其中所述第四电压为所述多个第二信号的电压范围的下限。6.如权利要求5所述的发射器，其特征在于，所述保护电路包括：一第三N型晶体管，根据所述多个第一信号中的所述者选择性导通，以耦接所述第一节点至一第五节点；一第四N型晶体管，根据所述多个第一信号中的所述另一者选择性导通，以传输所述第
一电压至所述第五节点；一第四P型晶体管，根据所述控制节点的位准选择性导通，以传输所述第一电压至所述第五节点；一第五P型晶体管，根据所述控制节点的位准选择性导通，以传输所述第一电压至所述第三节点；一第五N型晶体管，根据所述控制节点的位准选择性导通，以传输所述第二电压至一第六节点；以及一第六P型晶体管，根据所述多个第二信号中的所述对应者选择性导通，以耦接所述第六节点至所述第三节点。7.如权利要求3所述的发射器，其特征在于，所述第二电路包括：一上拉电路，根据所述多个第一信号中的所述对应者以及所述多个第二信号上拉所述第二节点的位准与调整一控制节点的位准；一保护电路，根据所述控制节点的位准、一第一电压以及一第二电压对所述上拉电路提供过电压保护，其中所述第一电压为所述多个第一信号的电压范围的下限，且所述第二电压为所述多个第二信号的电压范围的上限。8.如权利要求7所述的发射器，其特征在于，所述上拉电路包括：一电流源电路；一第一P型晶体管，根据所述多个第一信号中的所述对应者...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞振洋，洪思鑫，屈甜丽，
申请(专利权)人：星宸科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：