【技术实现步骤摘要】
本申请涉及数据填充领域，具体涉及一种数据填充装置及数据填充方法。
技术介绍
1、在神经网络的卷积计算中，数据填充(padding)技术会被用来协助进行计算。数据填充操作需要先读回数据后，再对数据进行填充。上述先读回数据再进行填充的串行操作，将会限制数据的处理速度，具体来说，读回数据以及对数据进行填充均需要各自的读回时间以及填充时间，从而限制了数据的处理速度。
2、换个角度来看，若执行数据的填充操作，必须等待数据被读回后，才能对数据进行填充，从而限制了数据的处理速度。
技术实现思路
1、本申请的目的之一在于提供一种数据填充装置及数据填充方法，以改善现有技术的不足。
2、在一些实施例中，数据填充装置包括内部存储器、直接内存访问电路以及数据处理电路。直接内存访问电路根据第一填充控制信号在从外部存储器读取原始数据的过程中对原始数据进行第一方向的数据填充以产生第一方向填充数据，并将第一方向填充数据存入内部存储器，第一方向填充数据包括原始数据及源自于原始数据的第一填充数据。数据处理电路根据第二填充控制信号在从内部存储器读取第一方向填充数据的过程中对第一方向填充数据进行第二方向的数据填充以产生第二方向填充数据，第二方向填充数据包括第一方向填充数据及源自于第一方向填充数据的第二填充数据。
3、在一些实施例中，数据填充方法适用于数据填充装置，数据填充装置包括内部存储器、直接内存访问电路以及数据处理电路，数据填充方法通过处理器执行多个指令以实现，数据填充方法包括：控
4、有关本申请的特征、实作与功效，现配合附图作较佳实施例详细说明如下。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种数据填充装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的数据填充装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的数据填充装置，其特征在于，所述第一填充控制信号还包括一拉框长度，所述直接内存访问电路在取得所述第一数据后，以相反于第一读取方向的一第二读取方向跳过所述数据长度、所述拉框长度以及所述数据长度到一目标地址，并由所述目标地址以所述第一读取方向持续读取所述数据长度以取得所述原始数据中的一第二数据，其中所述第一填充数据还包括所述第二数据。
4.如权利要求1所述的数据填充装置，其特征在于，所述数据处理电路包括：
5.如权利要求1所述的数据填充装置，其特征在于，所述数据处理电路还包括：
6.如权利要求5所述的数据填充装置，其特征在于，所述数据重写器取得用作所述第二填充数据的所述第一填充数据的多个第一低位有效数据，且将所述第一低位有效数据倒置以取得多个倒置第一低位有效数据，并将所述倒置第一低位有效数据填充至所述第二方向填充数据的位置。
7.如权利要求5所述的数据填充装置，其特征在于，所述数据重写器将用作所
8.一种数据填充方法，适用于一数据填充装置，所述数据填充装置包括一内部存储器、一直接内存访问电路以及一数据处理电路，所述数据填充方法通过一处理器执行多个指令以实现，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的数据填充方法，其特征在于，所述数据填充装置还包括一填充控制器，控制所述直接内存访问电路根据所述第一填充控制信号在从所述外部存储器读取所述原始数据的过程中对所述原始数据进行所述第一方向的数据填充以产生所述第一方向填充数据包括：
10.如权利要求9所述的数据填充方法，其特征在于，所述第一填充控制信号还包括一拉框长度；以及
...【技术特征摘要】
1.一种数据填充装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的数据填充装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的数据填充装置，其特征在于，所述第一填充控制信号还包括一拉框长度，所述直接内存访问电路在取得所述第一数据后，以相反于第一读取方向的一第二读取方向跳过所述数据长度、所述拉框长度以及所述数据长度到一目标地址，并由所述目标地址以所述第一读取方向持续读取所述数据长度以取得所述原始数据中的一第二数据，其中所述第一填充数据还包括所述第二数据。
4.如权利要求1所述的数据填充装置，其特征在于，所述数据处理电路包括：
5.如权利要求1所述的数据填充装置，其特征在于，所述数据处理电路还包括：
6.如权利要求5所述的数据填充装置，其特征在于，所述数据重写器取得用作所述第二填充数据的所述第一填充数据的多个第一低位有效数据，且将所述第一低位有效数据倒置以取得多个倒置第一低位有效数据，并将所述倒置第...
【专利技术属性】
技术研发人员：张兵，汪芮合，邱育杰，朱炜，
申请(专利权)人：星宸科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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