【技术实现步骤摘要】
一种具有脉冲模式钳位电压的负载测试电路及装置
[0001]本技术涉及电子
,特别涉及一种具有脉冲模式钳位电压的负载测试电路及装置。
技术介绍
[0002]随着半导体制作工艺的不断提高,制作成本逐渐降低,低功耗电路的设计越来越成熟,采用MOS或者IGBT驱动类芯片的电子元器件正在各个领域运用的越来越广泛。为保证电路的正常运行,需要对MOS或者IGBT驱动类芯片进行最大负载电流测试,以保证MOS或者IGBT驱动类芯片的性能正常。在测试MOS或者IGBT驱动类芯片的时候,鉴于芯片手册中安全工作区内的功率考虑,芯片在输出额定电压时,最大负载电流必须是短时才行,否则会造成芯片过载以致烧毁。由于MOS或者IGBT驱动类芯片最大负载电流普遍在几安培以上,而MOS或者IGBT驱动类芯片所能承受的短时的的量级最大负载电流往往只有几十微秒。现有技术中的普通的功率源,例如,恒流源或者恒压源,其所能提供的短时电流缺高达几毫米,无法满足对MOS或者IGBT驱动类芯片的最大负载电流的测试精度,无法实现准确、有效的测量。
技术实现思路
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有脉冲模式钳位电压的负载测试电路,其特征在于,包括:运算放大器、负反馈电路、驱动三极管、第一钳位反向二极管和电流检测模块;所述运算放大器的同相输入端外接脉冲电压源;所述运算放大器的输出端连接所述驱动三极管的基极;所述驱动三极管的发射极经所述电流检测模块连接于所述负反馈电路的一端;所述驱动三极管的集电极接地;所述负反馈电路的另一端连接所述运算放大器的反相输入端;所述电流检测模块与所述负反馈电路的公共端外接被测器件的输出端;所述第一钳位反向二极管的阳极和阴极分别连接所述驱动三极管的基极和发射极。2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述脉冲电压源与所述运算放大器的同相输入端之间连接有平衡电阻。3.如权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括:第二钳位反向二极管,所述第二钳位二极管的阴极连接所述电流检测模块与所述负反馈电路的公共端,阳极外接所述被测器件的输出端。4.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述负反馈电路包括:至少一个串联连接的负反馈电阻。5.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔晖,南浩,谭峥,孟德明,
申请(专利权)人:北京励芯泰思特测试技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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