一种电流测量电路及电流测量装置制造方法及图纸

技术编号:36649543 阅读:17 留言:0更新日期:2023-02-18 13:11
本实用新型专利技术公开一种电流测量电路及电流测量装置,该电路中,第一运算放大器的同相输入端连接被测元器件,反相输入端和输出端之间连接第一电阻,输出端经第二电阻连接第二运算放大器的反相输入端;第二运算放大器的同相输入端接地,反相输入端与输出端之间连接第三电阻,输出端经第四电阻连接第三运算放大器的反相输入端;第三运算放大器的同相输入端接地,反相输入端与输出端之间连接第五电阻,输出端连接电压测量单元VM;至少一组负反馈电阻电路的一个公共端连接被测元器件,另一个公共端经第六电阻连接第四电阻和第五电阻的公共端;电流驱动电路一端连接被测元器件,另一端连接至少一组负反馈电阻电路与第六电阻的公共端。电路测量精确度高。路测量精确度高。路测量精确度高。

【技术实现步骤摘要】
一种电流测量电路及电流测量装置


[0001]本技术涉及电子
,特别涉及一种电流测量电路及电流测量装置。

技术介绍

[0002]随着晶体管的发展,各式半导体器件包括光电耦合器正在被大量使用,使得集成电路在各个领域的应用越来越广泛。在光电耦合器生产时,需要保证各类元器件的可靠性,需要对其晶体管元件包括二极管和三极管进行测试,以保证其性能正常。在测试时,通常需要测量二极管的击穿电流,而在测试光电耦合器输出为集电极开路时,经常需要测试三极管的集电极和发射级之间的击穿电流,在测量二极管的击穿电流和/或三极管的击穿电流时通常采用晶体管图示仪。本技术实施例中,为了便于描述可以将二极管的阳极和三极管的发射极称为被测元器件,并将二极管的阴极和三极管的集电极称为为晶体管的第二极。

技术实现思路

[0003]专利技术人发现,常规的晶体管图示仪,为了保证测量的精准度,电路设计非常复杂,设备体积大,成本高昂,而普通的电流测量装置的电流测试能力差,其测试精度无法达到晶体管型的电子元器件的测量精度要求,不能实现电流准确、有效测量。鉴于上述问题,提出了本技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种电流测量电路及电流测量装置。
[0004]第一方面,本技术实施例提供一种电流测量电路包括:第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器、电流驱动电路和至少一组负反馈电阻电路;
[0005]所述第一运算放大器的同相输入端连接被测元器件,所述第一运算放大器的反相输入端和输出端之间连接第一电阻,所述第一运算放大器的输出端经第二电阻连接所述第二运算放大器的反相输入端;
[0006]所述第二运算放大器的同相输入端接地,所述第二运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第三电阻,所述第二运算放大器的输出端经第四电阻连接所述第三运算放大器的反相输入端;
[0007]所述第三运算放大器的同相输入端接地;所述第三运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第五电阻,所述第三运算放大器的输出端连接电压测量单元VM;
[0008]所述至少一组负反馈电阻电路的一个公共端连接所述被测元器件,另一个公共端经第六电阻连接所述第四电阻和第五电阻的公共端;
[0009]所述电流驱动电路一端连接所述被测元器件,另一端连接所述至少一组负反馈电阻电路与所述第六电阻的公共端。
[0010]在一个或一些可选的实施例中,所述电流驱动电路包括第四运算放大器、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管;
[0011]所述第四运算放大器的同相输入端经第七电阻接地,所述第四运算放大器的反相
输入端经第八电阻连接所述被测元器件,所述第四运算放大器的同相输入端和反相输入端虚短连接,所述第四运算放大器的输出端分别连接所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的基极,所述第一三极管和第二三极管的集电极连接正向电压输入端,所述第三三极管和第四三极管的集电极连接负向电压输入端,所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的发射极连接所述至少一组负反馈电阻电路与所述第六电阻的公共端。
[0012]在一个或一些可选的实施例中,所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的基极分别经一第九电阻连接所述第四运算放大器的输出端,所述一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的发射极分别经一第十电阻连接所述至少一组负反馈电阻电路与所述第六电阻的公共端。
[0013]在一个或一些可选的实施例中,所述第一三极管和第二三极管的集电极经一第十一电阻连接正向电压输入端,所述第三三极管和第四三极管的集电极经一第十二电阻连接负向电压输入端。
[0014]在一个或一些可选的实施例中,所述负反馈电阻电路包括两个以上并联连接的负反馈电阻,所述两个以上负反馈电阻分别串联一个控制开关,其中N为大于等于2的整数。
[0015]在一个或一些可选的实施例中,所述控制开关为干簧继电器开关。
[0016]在一个或一些可选的实施例中,所述第四运算放大器的同相输入端和反相输入端通过两个对向并联的二极管连接。
[0017]在一个或一些可选的实施例中,所述第二运算放大器的反相输入端与输出端之间连接补偿电容。
[0018]在一个或一些可选的实施例中,所述第一运算放大器的第一调零端和第二调零端之间连接第一电位器。
[0019]第二方面,本技术实施例提供一种电测量装置,包括:上述任一项所述的电流测量电路。
[0020]本技术实施例提供的上述技术方案的有益效果至少包括:
[0021]本技术实施例提供的电流测量电路,通过电流驱动电路实现被测元器件的电流方向控制,使电流流入或流出被测元器件,通过第一运算放大器进行电压跟随,获取被测元器件的电压的反向电压值,并通过第二运算放大器进行电压反向,防止接地点的电压浮动对电路的影响,从而得到被测元器件的真实电压,利用第三运算放大器输入端的虚地特性,构成一个基尔霍夫电路,根据基尔霍夫电流定律(KCL),第三运算放大器的反相输入端的电流和为零,从而能够获取负载电阻电路的电压,得到表征流过被测元器件的电流的电压信号,根据电压、电阻和电流关系,即可求得流过晶体管的电流大小。满足晶体管型的电子元器件电流的测试要求,测量精度高,电路结构简单、容易操作、测量方便、快捷、稳定性高,实现对电流准确、有效的测量。同时,电路实现逻辑简单,从而,不需要复杂的电路设计,降低了电路成本,有利于利用电流测量装置的小型化。
[0022]本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0023]下面通过附图和实施例,对本技术的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0024]附图用来提供对本技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术,并不构成对本技术的限制。在附图中:
[0025]图1为本技术实施例提供的电流测量电路的结构示意图;
[0026]图2为图1所示的电流测量电路的电流驱动电路结构示意图。
具体实施方式
[0027]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0028]为了说明本技术所述的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。
[0029]实施例1
[0030]本技术实施例提供一种电流测量电路,参照图1所示,该电流测量电路包括:第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、电流驱动电路和至少一组负反馈电阻电路;
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流测量电路,其特征在于,包括:第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器、电流驱动电路和至少一组负反馈电阻电路;所述第一运算放大器的同相输入端连接被测元器件,所述第一运算放大器的反相输入端和输出端之间连接第一电阻,所述第一运算放大器的输出端经第二电阻连接所述第二运算放大器的反相输入端;所述第二运算放大器的同相输入端接地,所述第二运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第三电阻,所述第二运算放大器的输出端经第四电阻连接所述第三运算放大器的反相输入端;所述第三运算放大器的同相输入端接地;所述第三运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第五电阻,所述第三运算放大器的输出端连接电压测量单元VM;所述至少一组负反馈电阻电路的一个公共端连接所述被测元器件,另一个公共端经第六电阻连接所述第四电阻和第五电阻的公共端;所述电流驱动电路一端连接所述被测元器件,另一端连接所述至少一组负反馈电阻电路与所述第六电阻的公共端。2.如权利要求1所述的电流测量电路,其特征在于,所述电流驱动电路包括第四运算放大器、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管;所述第四运算放大器的同相输入端经第七电阻接地,所述第四运算放大器的反相输入端经第八电阻连接所述被测元器件,所述第四运算放大器的同相输入端和反相输入端虚短连接,所述第四运算放大器的输出端分别连接所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的基极,所述第一三极管和第二三极管的集电极连接正向电压输入端,所述第三三极管和第四三极管的集电极连接负向电压输入端,所述第一三极管、第二三极管、第...

【专利技术属性】
技术研发人员:南浩乔晖梁鹏程孟德明
申请(专利权)人:北京励芯泰思特测试技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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