用于激光源的气体吹扫系统技术方案

激光源包括激光腔室，激光腔室被配置为产生第一激光射束。所述激光源还包括光学系统，光学系统被耦合到激光腔室，并且被配置为接收第一激光射束并输出输出激光射束。所述激光源还包括气体吹扫系统。根据一些方面，气体吹扫系统被配置为以低于大气压的压力将氮气供应到光学系统中。根据一些方面，气体吹扫系统被配置为将氦气供应到光学系统中。配置为将氦气供应到光学系统中。配置为将氦气供应到光学系统中。

Gas purging system for laser source

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于激光源的气体吹扫系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年12月20日提交的名称为“用于激光源的低压气体吹扫系统(LOW PRESSURE GAS PURGE SYSTEM FOR ALASER SOURCE)”的美国申请案第62/951,840号；以及于2020年5月8日提交的名称为“用于激光源的气体吹扫系统(GAS PURGE SYSTEMS FOR A LASER SOURCE)”的美国申请案第63/022,023号的优先权，该等申请案均通过引用的方式整体并入本文中。


[0003]本公开涉及用于在例如光刻装置和系统中使用的激光源中提供气体吹扫系统的系统和方法。

技术介绍

[0004]光刻装置是一种将所需图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案化设备(其备选地称为掩模或掩模版)可用于产生要形成于所形成的IC的个体层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分、一个或若干管芯)上。图案的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光源，包括：激光腔室，被配置为产生第一激光射束；光学系统，被耦合到所述激光腔室，并且被配置为接收所述第一激光射束并输出输出激光射束；以及气体吹扫系统，被配置为以低于大气压的压力将气体供应到所述光学系统中。2.根据权利要求1所述的激光源，其中所述气体吹扫系统包括：供气泵，被配置为以低于大气压的所述压力将所述气体供应到所述光学系统中。3.根据权利要求2所述的激光源，其中所述气体吹扫系统还包括：第二泵，被配置为从所述光学系统中基本上去除第二气体。4.根据权利要求3所述的激光源，其中所述气体包括氮，并且所述第二气体包括氧。5.根据权利要求1所述的激光源，其中所述气体包括氮，并且所述压力在约50托与约700托之间。6.根据权利要求1所述的激光源，其中：所述光学系统包括第一光学模块和第二光学模块；以及所述气体吹扫系统包括：第一供气泵，被耦合到所述第一光学模块，以低于大气压的所述压力将所述气体供应到所述第一光学模块中；以及第二供气泵，被耦合到所述第二光学模块，以低于大气压的所述压力将所述气体供应到所述第二光学模块中。7.一种激光源，包括：激光腔室，被配置为产生第一激光射束；以及光学系统，被耦合到所述激光腔室，并且被配置为接收所述第一激光射束并输出输出激光射束，其中所述光学系统包括处于低于大气压的压力下的气体。8.根据权利要求7所述的激光源，还包括：气体吹扫系统，被配置为以低于大气压的所述压力将所述气体供应到所述光学系统中。9.根据权利要求8所述的激光源，其中所述气体吹扫系统包括：供气泵，被配置为以低于大气压的所述压力将所述气体供应到所述光学系统中；以及第二泵，被配置为从所述光学系统中基本上去除第二气体。10.根据权利要求9所述的激光源，其中所述气体包括氮，并且所述第二气体包括氧。11.根据权利要求7所述的激光源，其中所述气体包括氮，并且所述压力在约50托与约700托之间。12.根据权利要求7所述的激光源，还包括：第二激光腔室，被配置为至少间接接收所述第一激光射束，并放大所述第一激光射束以产生第二激光射束，其中所述光学系统被配置为接收所述第二激光射束，并输出所述输出激光射束。13.根据权利要求7所述的激光源，还包括：光学模块，被耦合到所述激光腔室，其中所述光学模块包括处于约为大气压的压力下
的第二气体。14.一种激光源，包括：第一激光腔室，被配置为产生第一激光射束；第二激光腔室，被配置为至少间接接收所述第一激光射束，并放大所述第一激光射束以产生第二激光射束；第一光学系统，被配置为将所述第一激光射束引向所述第二激光腔室；第二光学系统，被配置为接收所述第二激光射束，并且引导所述第二激光射束作为所述激光源的输出激光射束；以及气体吹扫系统，被配置为以低于大气压的压力将气体泵送到所述第一光学系统和所述第二光学系统中。15.根据权利要求14所述的激光源，其中所述气体吹扫系统包括：供气泵，被配置为以低于大气压的所述压力将所述气体供应到所述第一光学系统和所述第二光学系统中；以及第二泵，被配置为从所述第一光学系统和所述第二光学系统中基本上去除第二气体。16.根据权利要求14所述的激光源，其中所述气体包括氮，并且所述压力在约50托与约700托之间。17.根据权利要求14所述的激光源，还包括：光学模块，被耦合到所述第一激光腔室，其中所述光学模块包括处于约为大气压的压力下的第二气体。18.根据权利要求14所述的激光源，还包括：光学模块，被耦合到所述第二激光腔室，其中所述气体吹扫系统被配置为以低于大气压的所述压力将所述气体泵送到所述光学模块中。19.一种光刻装置，包括：照射系统，被配置为调节辐射射束；投影系统，被配置为将赋予给所述辐射射束的图案投影到衬底上，其中所述照射系统包括激光源，所述激光源包括：激光腔室，被配置为产生第一激光射束；以及光学系统，被耦合到所述激光腔室，并且被配置为接收所述第一激光射束并输出输出激光射束，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：西默有限公司，
类型：发明
国别省市：