金属陶瓷基板和用于制造这种金属陶瓷基板的方法技术

一种用于电的元器件的承载基板(1)，尤其用于电的元器件的金属陶瓷基板，包括：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属陶瓷基板和用于制造这种金属陶瓷基板的方法


[0001]本专利技术涉及一种金属陶瓷基板和一种用于制造这种金属陶瓷基板的方法。

技术介绍

[0002]例如呈金属陶瓷基板的形式的用于电的元器件的承载基板例如作为电路板或印刷电路板从现有技术中充分已知，例如从DE 10 2013 104 739A1、DE 19 927 046 B4和DE 10 2009 033 029 A1中。典型地，在金属陶瓷基板的元器件侧上设置用于电的元器件和印制导线的连接面，其中电的元器件和印制导线可一起连接成电回路。金属陶瓷基板的主要组成部分是优选由陶瓷制成的绝缘层和连结于绝缘层的金属层或元器件金属化部。由于其绝缘强度相对高，由陶瓷制成的绝缘层在电力电子技术方面证实为特别有利的。通过将金属层结构化随后可以实现用于电的元器件的印制导线和/或连接面。
[0003]对于这种承载基板，尤其对于金属陶瓷基板，由于一方面用于绝缘层和另一方面用于金属化部的不同的材料选择，出现不同的热膨胀系数的问题，所述不同的热膨胀系数在例如在承载基板的制造中或在运行中出现的放热的情况下感生或引起本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于电的元器件的承载基板(1)，包括：
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绝缘层(10)，其中所述绝缘层(10)优选地具有包括陶瓷的材料或包括至少一个陶瓷层的复合件，
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在元器件侧(BS)上构成的元器件金属化部(20)，所述元器件金属化部具有第一初级结构化部(21)，和
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在与所述元器件侧(BS)相对置的冷却侧(KS)处构成的冷却部分金属化部(30)，所述冷却部分金属化部具有第二初级结构化部(31)，其中所述绝缘层(10)、所述元器件金属化部(20)和所述冷却部分金属化部(30)沿着堆叠方向(S)上下相叠地设置，并且其中所述第一初级结构化部(21)和所述第二初级结构化部(31)沿堆叠方向(S)观察至少部段一致地伸展。2.根据权利要求1所述的承载基板(1)，其中所述第二初级结构化部(31)是冷却结构的一部分。3.根据上述权利要求中任一项所述的承载基板(1)，其中所述冷却部分金属化部(30)具有第二次级结构化部(32)，所述第二次级结构化部尤其是所述冷却结构的一部分，其中所述第二初级结构化部(31)具有第二深度(T2)和第二宽度(B2)并且所述第二次级结构化部(32)具有另外的第二深度(T2
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)和另外的第二宽度(B2
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)，其中所述第二深度(T2)大于或小于所述另外的第二深度(T2
’
)。4.根据权利要求3所述的承载基板，其中所述第二宽度(B2)大于或小于所述另外的第二宽度(B2
’
)。5.根据上述权利要求中任一项所述的承载基板(1)，其中所述元器件金属化部(20)具有沿堆叠方向(S)测量的第一厚度(D1)，其中所述第一厚度(D1)至少为1mm，优选大于1.3mm并且特别优选在1.5mm和3mm之间。6.根据上述权利要求中任一项所述的承载基板(1)，其中所述冷却部分金属化部(20)具有第二厚度(D...

【专利技术属性】
技术研发人员：维塔利耶，
申请(专利权)人：罗杰斯德国有限公司，
类型：发明
国别省市：