存储装置制造方法及图纸

在本发明专利技术中，依据存储装置的状态灵活地设定用于读出的标准电位。数据存储器单元组存储数据。参照存储器单元组存储多个参照电位。标准电位生成部从存储在参照存储器单元组中的多个参照电位中选择预定数量的参照电位，并且生成标准电位。参照电位选择控制部依据预定条件控制标准电位生成部的选择。感测放大器使用作为标准的标准电位来放大从数据存储器单元组读出的数据。组读出的数据。组读出的数据。

Storage device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储装置


[0001]本技术涉及存储装置。更具体地，本技术涉及通过使用标准电位从存储器读出数据的存储装置。

技术介绍

[0002]当读出存储在存储装置中的数据时，使用标准电位来判定数据具有低电位还是高电位。该标准电位通常被设定为低电位与高电位之间的平均电位。但是，取决于存储装置的状态，平均电位未必总是最佳的，并且存在取决于状态需要进行调整的情况。因此，例如，提出了进行温度补偿的半导体存储装置(例如，参见专利文献1)。
[0003][引文列表][0004][专利文献][0005][专利文献1][0006]JP 2003
‑
257175A

技术实现思路

[0007][技术问题][0008]在以上提及的相关技术中，通过根据温度改变供应给单元阵列的电流来进行温度补偿。然而，相关技术存在难以灵活控制标准电位的问题，因为该技术需要控制作为电流来源的电流源。
[0009]鉴于这种情况而创建了本技术，并且目的是根据存储装置的状态灵活地设定用于读出的标准电位。
[0010][问题的解决方案][0011]已本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储装置，包括：存储数据的数据存储器单元组；存储多个参照电位的参照存储器单元组；标准电位生成部，通过从存储在所述参照存储器单元组中的所述多个参照电位中选择预定数量的参照电位来生成标准电位；参照电位选择控制部，根据预定条件控制所述标准电位生成部中的选择；和感测放大器，用设定为标准的所述标准电位对从所述数据存储器单元组读出的数据进行放大。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述参照存储器单元组存储第一电位和第二电位中的任意电位作为所述多个参照电位，以及所述标准电位生成部以预定的占比选择所述第一电位和第二电位作为所述预定数量的参照电位，并且生成所述第一电位与所述第二电位之间的电位作为所述标准电位。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中所述标准电位生成部通过使以所述预定的占比选择的所述第一电位与所述第二电位在信号线上短路来生成所述标准电位。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述参照电位选择控制部包括用于测量周围环境的物理量的传感器，并根据作为所述预定条件的物理量的条件来控制所述标准电位生成部中的选择。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中所述传感器测量温度、电压和磁力中的至少一个作为所述物理量。6.根据权利要求4所述的存储装置，其中所述参照电位选择控制部根据对于所述存储装置中的每个区域不同的物理量的条...

【专利技术属性】
技术研发人员：手塚宙之，黑田真实，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：