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在本发明中，依据存储装置的状态灵活地设定用于读出的标准电位。数据存储器单元组存储数据。参照存储器单元组存储多个参照电位。标准电位生成部从存储在参照存储器单元组中的多个参照电位中选择预定数量的参照电位，并且生成标准电位。参照电位选择控制部依据...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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