【技术实现步骤摘要】
一种溅射腔用上盖锁紧装置
[0001]本技术涉及溅射台,特别涉及一种溅射腔用上盖锁紧装置。
技术介绍
[0002]溅射台主要是由溅射腔、磁控靶和工作台组成,用于在半导体及微细加工过方面,主要应用于在硅片表面镀上一层金属层,是纳米半导体器件研制中的关键工艺之一。在其工作时,首先操作人员将硅片放入至溅射腔,溅射台开始工作,完成溅射过程,之后,再将硅片取出。
[0003]但是现有溅射腔需要操作人员手动打开溅射腔,由于溅射台的工作原理是通过在靶阴极引入磁场,约束带电粒子得到搞迷糊的等离子体,电子在电场的作用下碰撞氩气原子产生氩离子,氩离子在电场的作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶材表面,使得把菜表面建设处游离的中性靶材原子/分子,这些游离的中心靶材原子/分子最终会沉积到硅片表面形成薄膜,从而实现硅片表面镀膜的目的。因此,在溅射腔工作的时候,操作人员很容易误操作打开正在工作的溅射腔,造成工作人员受伤或者硅片镀膜损坏,从而造成损失。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种溅射腔用上盖锁紧装置,具有工作安 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种溅射腔用上盖锁紧装置,其特征在于:包括溅射腔(1)、上盖(2),所述溅射腔(1)顶部固定设有第一法兰盘(3),上盖(2)与溅射腔(1)法兰连接;所述上盖(2)包括第二法兰盘(17)、密封盖(4)、锁紧装置(5),所述密封盖(4)的后侧部与第二法兰盘(17)的后侧部铰接,所述锁紧装置(5)固定位于第二法兰盘(17)的前侧部;所述锁紧装置(5)包括第一放置块(6)、第二放置块(7)、两个限位块(8)、卡块(9)、两个第一弹簧(10),所述第一放置块(6)固定位于密封盖(4)的前侧部中间位置,所述第二放置块(7)固定位于第二法兰盘(17)的前侧部中间位置,所述第一放置块(6)位于第二放置块(7)的正上方,所述卡块(9)固定位于第一放置块(6)的底部,所述卡块(9)的竖截面呈凸型,所述第二放置块(7)顶部开设有第一放置槽,所述第二放置块(7)的左侧与右侧均设有相互对称的第二放置槽,两个所述第二放置槽内侧均设有方形开口与第一放置槽相连通,两个所述限位块(8)分别滑移连接于两个所述第二放置槽内,两个所述第二放置槽面向外侧的开口处固定设有安装块(11),两个所述第一弹簧(10)分别位于两个限位块(8)与其...
【专利技术属性】
技术研发人员:季中伟,张虎,
申请(专利权)人:无锡展硕科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。