一种功率封装结构及其引线框架制造技术

公开了一种功率封装结构及其引线框架，所述引线框架包括：基岛，基岛的第一表面用于承载芯片；第一引脚，位于所述基岛的一侧，与基岛分离；第二引脚，与所述第一引脚位于所述基岛的同一侧，与所述基岛分离；以及第三引脚，位于所述基岛的另一侧，与所述基岛连接；其中，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚靠近所述基岛的一端为第一端，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚远离所述基岛的一端为第二端，所述第一端与所述第二端相对，所述第一引脚的第一端和所述第一引脚的第二端具有高度差，所述第二引脚的第一端和所述第二引脚的第二端具有高度差；所述第一引脚、第二引脚以及第三引脚中的任意一个或者多个引脚的第二端具有凹槽。端具有凹槽。端具有凹槽。

A power packaging structure and its lead frame

【技术实现步骤摘要】
一种功率封装结构及其引线框架


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种功率封装结构及其引线框架。

技术介绍

[0002]随着应用领域的不断扩展，功率器件类产品已经深入到消费类电子产品、5G工业级产品以及汽车级产品等领域，相应地，上述领域对于功率器件产品性能的要求也不断提升，要求功率器件产品具备更好的单体可靠性。功率器件产品更好的单体可靠性具体表现为更好的抗腐蚀性能，更强的抗潮湿性能，更好的分层表现，以及更强的焊点可靠性；汽车级产品更是要求功率器件类产品的封装结构具备可润湿性能，可润湿性能不仅能提高焊点可靠性，也有助于安装到PCB的过程后焊点具备自动光学检测能力，便于安装过程的检测监控。
[0003]功率器件类产品的封装结构通常包括：方形扁平无引脚封装(QFN)、双边扁平无引脚封装(DFN)、冲压工艺双边扁平无引脚封装(PDFN)等。其中，QFN、DFN封装结构通常采用蚀刻工艺形成引线框架，用蚀刻工艺形成的引线框架可以在面积较小的引脚上进行加工，以形成凹槽，使得所述引线框架具备可润湿性能，但是无法形成弯折结构；PDFN封装结构通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，包括：基岛，所述基岛的第一表面用于承载芯片；第一引脚，位于所述基岛的一侧，与所述基岛分离；第二引脚，与所述第一引脚位于所述基岛的同一侧，与所述基岛分离；以及第三引脚，位于所述基岛的另一侧，与所述基岛连接；其中，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚靠近所述基岛的一端为第一端，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚远离所述基岛的一端为第二端，所述第一端与所述第二端相对，所述第一引脚的第一端和所述第一引脚的第二端具有高度差，所述第二引脚的第一端和所述第二引脚的第二端具有高度差；所述第一引脚、第二引脚以及第三引脚中的任意一个或者多个引脚的第二端具有凹槽。2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一引脚的第二端、所述第二引脚的第二端与所述基岛的高度相同。3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一引脚的第一端高于所述第一引脚的第二端。4.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第二引脚的第一端高于所述第二引脚的第二端。5.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一引脚的第一端与所述第二引脚的第一端的高度相同。6.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一引脚的第一端的第一表面与所述基岛的第一表面之间的高度差为0.15毫米～0.3毫米。7.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一引脚的第一端与所述第一引脚的第二端的高度差为0.15毫米～0.3毫米，所述第二引脚的第一端与所述第二引脚的第二端的高度差为0.15毫米～0.3毫米。8.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽为非贯穿性凹槽，所述凹槽从所在引脚的第二表面向第一表面方向延伸。9.根据权利要求8所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽的深度大于0.1毫米。10.根据权利要求8所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽的深度为所在引脚的厚度的一半。11.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽为贯穿所在引脚厚度方向的通孔。12.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽沿平行于所述基岛的第一表面的方向的截面形状包括半圆形或矩形。13.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一引脚、第二引脚以及第三引脚的第二端具有凹槽。14.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一引脚以及第二引脚的第二端具有凹槽。15.一种功率封装结构，其特征在于，包括：引线框架；
芯片，位于所述引线框架的基岛的第一表面上；塑封体，包覆所述芯片和部分所述引线框架；其中，所述引线框架包括：基岛，所述芯片位于所述基岛的第一表面，且所述芯片与所述基岛电连接；第一引脚，位于所述基岛的一侧，与所述基岛分离；第二引脚，与所述第一引脚位于所述基岛的同一侧，与所述基岛分离；以及第三引脚，位于所述基岛的另一侧，与所述基岛连接；其中，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚靠近所述基岛的一端为第一端，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚远离所述基岛的一端为第二端，所述第一端与所述第二端相对，所述第一引脚的第一端和所述第一引脚的第二端具有高度差，所述第二引脚的第一端和所述第二引脚的第二端具有高度差；所述第一引脚、第二引脚以及第三引脚中的任意一个或者多个引脚的第二端具有凹槽。16.根据权利要求15所述的功率封装结构，其特征在于，所述第一引脚的第二端、所述第二引脚的第二端与所述基岛的高度相同。17.根据权利要求15所述的功率封装结构，其特征在于，所述第一引脚的第一端高于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘静，彭恒元，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：