【技术实现步骤摘要】
引线框架以及制造引线框架的方法
[0001]本申请是申请号为201611164034X、申请日为2016年12月15日、专利技术名称为“引线框架以及制造引线框架的方法”的专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及用于集成电路的引线框架以及制造引线框架的方法。
技术介绍
[0003]在一些应用中使用高温共熔管芯接合以用于将硅管芯接合到引线框架。在此类例子中,引线框架可以包括合金42基底材料。合金42是包括42%的镍含量和58%的铁含量并且具有低热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)的已知的材料。以此方式,引线框架的CTE可以与管芯材料的CTE有利地匹配。因此,当高温被应用于共熔管芯接合过程时,管芯和引线框架以类似速率膨胀,并且因此减小当材料随后冷却或加热时的任何机械困难的概率。例如,随着管芯和引线框架收缩的在管芯与引线框架之间的机械应力。
技术实现思路
[0004]根据本专利技术的第一方面,提供一种制造引线框架的方法,该方法包括:
[0005 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造引线框架的方法,包括:将嵌体插入到基底层中的凹痕中以提供引线框架材料,其中所述基底层包括第一材料并且所述嵌体包括第二材料;从所述引线框架材料中形成引线框架;其中所述第一材料包括铜和合金42中的一个,并且所述第二材料包括铜和合金42中的另一个;其特征在于通过铜镀覆来镀覆所述引线框架,其中所述铜镀覆具有小于2μm的厚度;并且通过铜镀覆来镀覆所述引线框架包括在所述引线框架的外表面的子集上提供铜镀覆。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一材料包括合金42,并且所述第二材料包括铜。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二材料具有4μm到20μm的厚度。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一材料包括铜,并且所述第二材料包括合金42。5.根据在前的任一项权利要求所述的方法,其中所述铜包括铜合金。6.根据在前的任一项权利要求所述的方法,其中所...
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