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公开了一种功率封装结构及其引线框架,所述引线框架包括:基岛,基岛的第一表面用于承载芯片;第一引脚,位于所述基岛的一侧,与基岛分离;第二引脚,与所述第一引脚位于所述基岛的同一侧,与所述基岛分离;以及第三引脚,位于所述基岛的另一侧,与所述基岛连...该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。
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公开了一种功率封装结构及其引线框架,所述引线框架包括:基岛,基岛的第一表面用于承载芯片;第一引脚,位于所述基岛的一侧,与基岛分离;第二引脚,与所述第一引脚位于所述基岛的同一侧,与所述基岛分离;以及第三引脚,位于所述基岛的另一侧,与所述基岛连...