一种模拟信号隔离实现装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种模拟信号隔离实现装置，用于实现模拟信号隔离，包括发送端、隔离模块和接收端，所述发送端的输入端输入信号并且所述发送端的输出端与所述隔离模块的输入端电性连接，所述隔离模块的输出端与所述接收端的输入端电性连接并且所述接收端的输出端输出隔离信号。本实用新型专利技术公开的一种模拟信号隔离实现装置，其不需要外接时钟信号，可以实现电压信号或者电流信号的隔离，其具有原理简单、结构可靠和易于实现等优点。结构可靠和易于实现等优点。结构可靠和易于实现等优点。

An analog signal isolation device

【技术实现步骤摘要】
一种模拟信号隔离实现装置


[0001]本技术属于模拟信号隔离
，具体涉及一种模拟信号隔离实现装置。

技术介绍

[0002]模拟信号隔离器可以对电流、电压等电量参数或温度、电阻等非电量参数进行高速精确测量，经隔离转换成标准的模拟信号输出。既可直接与指针表、数显表相接，也可以与自控仪表(如PLC)、各种A/D转换器以及计算机系统配接，广泛应用于电力、铁路、石化、冶金、化工、食品、仓储等行业的自动化系统中。
[0003]但是现有的模拟信号隔离的实现需要外接时钟信号才能实现电压信号或者电流信号等信号的隔离，具有使用复杂和成本高等问题。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种模拟信号隔离实现装置，其不需要外接时钟信号，可以实现电压信号或者电流信号的隔离，其具有原理简单、结构可靠和易于实现等优点。
[0005]为达到以上目的，本技术提供一种模拟信号隔离实现装置，用于实现模拟信号隔离，包括发送端、隔离模块和接收端，所述发送端的输入端输入(模拟)信号并且所述发送端的输出端与所述隔离模块的输入端电性连接，所述隔离模块的输出端与所述接收端的输入端电性连接并且所述接收端的输出端输出隔离信号，其中：
[0006]所述发送端包括输入缓冲器、振荡器和输出驱动单元，所述输入缓冲器的正极输入端输入信号Vin并且所述输入缓冲器的输出端依次通过所述振荡器和所述输出驱动单元后与所述隔离模块的输入端电性连接；
[0007]所述接收端包括预放大器、解调器和输出缓冲器，所述隔离模块的输出端依次通过所述预放大器和所述解调器与所述输出缓冲器的正极输入端电性连接并且所述输出缓冲器的输出端输出隔离信号。
[0008]作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述振荡器包括首尾相连的第一反相器、第二反相器、第三反相器和振荡缓冲器，其中：
[0009]所述第一反相器包括场效应管PMOS1和场效应管NMOS1，所述场效应管PMOS1的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS1的栅极和所述场效应管NMOS1的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS1的源极和所述场效应管NMOS1的漏极电性连接，所述场效应管PMOS1的栅极与所述振荡缓冲器的输入端电性连接；
[0010]所述第二反相器包括场效应管PMOS2和场效应管NMOS2，所述场效应管PMOS2的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS2的栅极和所述场效应管NMOS2的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS2的源极和所述场效应管NMOS2的漏极电性连接，所述场效应管PMOS2的栅极与所述场效应管PMOS1的源极电性连接；
[0011]所述第三反相器包括场效应管PMOS3和场效应管NMOS3，所述场效应管PMOS3的漏
极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS3的栅极和所述场效应管NMOS3的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS3的源极和所述场效应管NMOS3的漏极电性连接，所述场效应管PMOS3的栅极与所述场效应管PMOS2的源极电性连接，所述场效应管PMOS3的源极与所述振荡缓冲器的输入端电性连接；
[0012]所述振荡缓冲器的输出端与所述输出驱动单元的输入端电性连接。
[0013]作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述解调器包括开关S、电阻R和电容C，其中：
[0014]所述预放大器的输出端通过所述开关S与所述输出缓冲器的正极输入端电性连接，所述开关S远离所述预放大器的一端一路通过所述电阻R连接电源(VDD)并且所述开关S远离所述预放大器的一端另一路通过所述电容C接地。
[0015]作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述输入缓冲器的负极输入端和输出端连接并且所述输出缓冲器的负极输入端和输出端连接。
[0016]作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述场效应管NMOS1的源极、所述场效应管NMOS2的源极和所述场效应管NMOS3的源极均接地。
附图说明
[0017]图1是本技术的一种模拟信号隔离实现装置的结构示意图。
[0018]图2是本技术的一种模拟信号隔离实现装置的电路图。
[0019]附图标记包括：10、发送端；11、输入缓冲器；12、振荡器；13、输出驱动单元；20、隔离模块；30、接收端；31、预放大器；32、解调器；33、输出缓冲器。
具体实施方式
[0020]以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本技术的精神和范围的其他技术方案。
[0021]本技术公开了一种模拟信号隔离实现装置，下面结合优选实施例，对技术的具体实施例作进一步描述。
[0022]在本技术的实施例中，本领域技术人员注意，本技术涉及的缓冲器和输入信号等可被视为现有技术。
[0023]优选实施例。
[0024]本技术公开了一种模拟信号隔离实现装置，用于实现模拟信号隔离，包括发送端10、隔离模块20和接收端30，所述发送端10的输入端输入(模拟)信号并且所述发送端10的输出端与所述隔离模块20的输入端电性连接，所述隔离模块20的输出端与所述接收端30的输入端电性连接并且所述接收端30的输出端输出隔离信号，其中：
[0025]所述发送端10包括输入缓冲器11、振荡器12和输出驱动单元13，所述输入缓冲器10的正极输入端输入信号Vin并且所述输入缓冲器11的输出端依次通过所述振荡器12和所述输出驱动单元13后与所述隔离模块20的输入端电性连接；
[0026]所述接收端30包括预放大器31、解调器32和输出缓冲器33，所述隔离模块20的输
出端依次通过所述预放大器31和所述解调器32与所述输出缓冲器33的正极输入端电性连接并且所述输出缓冲器33的输出端输出隔离信号。
[0027]具体的是，所述振荡器12包括首尾相连的第一反相器、第二反相器、第三反相器和振荡缓冲器，其中：
[0028]所述第一反相器包括场效应管PMOS1和场效应管NMOS1，所述场效应管PMOS1的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS1的栅极和所述场效应管NMOS1的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS1的源极和所述场效应管NMOS1的漏极电性连接，所述场效应管PMOS1的栅极与所述振荡缓冲器的输入端电性连接；
[0029]所述第二反相器包括场效应管PMOS2和场效应管NMOS2，所述场效应管PMOS2的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS2的栅极和所述场效应管NMOS2的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS2的源极和所述场效应管NMOS2的漏极电性连接，所述场效应管PMOS2的栅极与所述场效应管PMOS1的源极电性连接；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模拟信号隔离实现装置，用于实现模拟信号隔离，其特征在于，包括发送端、隔离模块和接收端，所述发送端的输入端输入信号并且所述发送端的输出端与所述隔离模块的输入端电性连接，所述隔离模块的输出端与所述接收端的输入端电性连接并且所述接收端的输出端输出隔离信号，其中：所述发送端包括输入缓冲器、振荡器和输出驱动单元，所述输入缓冲器的正极输入端输入信号Vin并且所述输入缓冲器的输出端依次通过所述振荡器和所述输出驱动单元后与所述隔离模块的输入端电性连接；所述接收端包括预放大器、解调器和输出缓冲器，所述隔离模块的输出端依次通过所述预放大器和所述解调器与所述输出缓冲器的正极输入端电性连接并且所述输出缓冲器的输出端输出隔离信号。2.根据权利要求1所述的一种模拟信号隔离实现装置，其特征在于，所述振荡器包括首尾相连的第一反相器、第二反相器、第三反相器和振荡缓冲器，其中：所述第一反相器包括场效应管PMOS1和场效应管NMOS1，所述场效应管PMOS1的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS1的栅极和所述场效应管NMOS1的栅极电性连接并且所述场效应管PMOS1的源极和所述场效应管NMOS1的漏极电性连接，所述场效应管PMOS1的栅极与所述振荡缓冲器的输入端电性连接；所述第二反相器包括场效应管PMOS2和场效应管NMOS2，所述场效应管PMOS2的漏极连接所述输入缓冲器的输出端，所述场效应管PMOS2的栅极和所述场...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈全，唐茜，朱月丰，曹宏达，钟政，
申请(专利权)人：浙江巨磁智能技术有限公司，
类型：新型
国别省市：