切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路制造技术

一种切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路。该切换式转换器电路，用以根据脉宽调制信号，切换其中的电感一端的电压，以转换输入电压为输出电压。切换式转换器电路具有驱动电路，其包括上桥驱动器、下桥驱动器、上桥感测电路以及下桥感测电路。上桥感测电路用以感测上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅

【技术实现步骤摘要】
切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路


[0001]本专利技术涉及一种切换式转换器电路，特别涉及一种具有适应性空滞时间且可避免短路电流的切换式转换器电路。本专利技术还涉及切换式转换器电路中的驱动电路。

技术介绍

[0002]图1A显示一种现有技术的切换式转换器电路10的电路示意图。切换式转换器电路10包含驱动电路11与功率级电路12。如图所示，功率级电路12包括上桥开关121、下桥开关122与电感123。驱动电路11根据脉宽调制(pulse width modulation，PWM)信号P1，产生上桥信号UG与下桥信号LG。上桥开关121与下桥开关122分别根据上桥信号UG与下桥信号LG而操作，以将输入电压Vin转换为输出电压Vout，并产生电感电流IL，流经功率级电路12的电感123。
[0003]如图1A所示的切换式转换器电路10中，功率级电路12为一种降压型功率级电路。于正常操作时，上桥开关121与下桥开关122轮流导通，以将电感123与相位节点LX电连接的一端切换于输入电压Vin与接地电位GND之间，而使电感电流IL本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切换式转换器电路，用以根据一脉宽调制信号，切换一电感的一第一端于一第一电压与一第二电压之间，以转换一输入电压为一输出电压，该切换式转换器电路包含：一上桥金属氧化物半导体场效晶体管，耦接于该第一电压与该电感的该第一端之间；一下桥金属氧化物半导体场效晶体管，耦接于该第二电压与该电感的该第一端之间；以及一驱动电路，包括：一上桥驱动器，用以根据该脉宽调制信号，产生一上桥驱动信号，而驱动该上桥金属氧化物半导体场效晶体管；一下桥驱动器，用以根据该脉宽调制信号，产生一下桥驱动信号，而驱动该下桥金属氧化物半导体场效晶体管；一上桥感测电路，用以感测该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压，并根据该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压，产生一下桥使能信号，以示意该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的不导通状态，其中，该下桥使能信号使能该下桥驱动器，根据该脉宽调制信号而切换该下桥金属氧化物半导体场效晶体管；以及一下桥感测电路，用以感测该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压，并根据该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压，产生一上桥使能信号，以示意该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的不导通状态，其中，该上桥使能信号使能该上桥驱动器，根据该脉宽调制信号而切换该上桥金属氧化物半导体场效晶体管。2.如权利要求1所述的切换式转换器电路，其中，该下桥感测电路包括一下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管，其具有与该下桥金属氧化物半导体场效晶体管相同的导电型，且该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的栅极与该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接，且该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的源极与该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接，以使该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管根据该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压，于该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的漏极产生该上桥使能信号。3.如权利要求2所述的切换式转换器电路，其中，该下桥感测电路还包括一电流源，耦接于该上桥使能信号与该上桥驱动器的一自举电压之间，以使该上桥使能信号的多个逻辑位准，位准偏移至一启动电压区间，其中该上桥驱动器包括一使能逻辑电路，用以接收该上桥使能信号以使能该上桥驱动器根据该脉宽调制信号切换该上桥金属氧化物半导体场效晶体管。4.如权利要求2所述的切换式转换器电路，其中，该下桥感测电路还包括一电流源，耦接于该上桥使能信号与一直流电压之间，其中该直流电压用以产生该上桥驱动器的一自举电压，其中该上桥驱动器包括彼此耦接的一使能逻辑电路与一位准偏移电路，以接收该上桥使能信号，而使能该上桥驱动器根据该脉宽调制信号切换该上桥金属氧化物半导体场效晶体管。5.如权利要求1所述的切换式转换器电路，其中，该下桥感测电路包括一下桥比较器，用以比较该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的该栅
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源极电压与一下桥参考电压，以产生该上桥使能信号，其中该上桥驱动器包括彼此耦接的一使能逻辑电路与一位准偏移电路，用以接收该上桥使能信号以使能该上桥驱动器根据该脉宽调制信号切换该上桥金属氧
化物半导体场效晶体管。6.如权利要求2所述的切换式转换器电路，其中，该上桥感测电路的一上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的导通阈值电压的绝对值低于或等于该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的导通阈值电压的绝对值，且该下桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的导通阈值电压的绝对值低于或等于该下桥金属氧化物半导体场效晶体管的导通阈值电压的绝对值。7.如权利要求1所述的切换式转换器电路，其中，该上桥感测电路包括一上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管，其具有与该上桥金属氧化物半导体场效晶体管互补的导电型，且该上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的栅极与该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接，且该上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的源极与该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅极耦接，以使该上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管根据该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压，于该上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的漏极产生该下桥使能信号。8.如权利要求1所述的切换式转换器电路，其中，该上桥感测电路包括：一上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管，其具有与该上桥金属氧化物半导体场效晶体管相同的导电型；以及一上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管，其具有与该上桥金属氧化物半导体场效晶体管互补的导电型，且该上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管与该上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管串联耦接至该上桥驱动器的一自举电压；其中，该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅极与源极分别对应耦接于该上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的栅极与该上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，以使该上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管根据该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压而于该上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管的漏极产生该下桥使能信号。9.如权利要求1所述的切换式转换器电路，其中，该上桥感测电路包括：一上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管，其具有与该上桥金属氧化物半导体场效晶体管互补的导电型；以及一上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管，其具有与该上桥金属氧化物半导体场效晶体管互补的导电型，且该上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管与该上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管串联耦接至该上桥驱动器的一自举电压；其中，该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅极与源极分别对应耦接于该上桥感测金属氧化物半导体场效晶体管的栅极与该上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，以使该上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管根据该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压而于该上桥钳位金属氧化物半导体场效晶体管的漏极产生该下桥使能信号。10.如权利要求1所述的切换式转换器电路，其中，该上桥感测电路包括：一上桥比较器，用以比较该上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅
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源极电压与一上桥参考电压，并根据该电感的该第一端的电压，而产生该下桥使能信号；以及一位准偏移电路，用以将该下桥使能信号的位准向下偏移；
其中该下桥驱动器包括一使能逻辑电路，用以接收位准向下偏移后的该下桥使能信号，以使能该下桥驱动器根据该脉宽调制信号切换该下桥金属氧化物半导体场...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖庭维，陈建馀，游焜煌，邱建维，杨大勇，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：