一种单线双向隔离驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单线双向隔离驱动电路，该单线双向隔离驱动电路包括：依次连接的第一驱动子电路、第一电平自动切换子电路、隔离元件、第二电平自动切换子电路和第二驱动子电路，所述第一驱动子电路的一端设置第一输入输出端，所述第二驱动子电路的一端设置第二输入输出端；所述第一驱动子电路、第一电平自动切换子电路和隔离元件的一部分作为第一隔离端，所述隔离元件的另一部分、第二电平自动切换子电路和第二驱动子电路作为第二隔离端，所述第一隔离端和第二隔离端对称设置，且所采用的电路相同，均采用氧化物半导体场效应管作为驱动输出。本本实用新型专利技术使用氧化物半导体场效应管作为驱动输出提高了总线的驱动能力。效应管作为驱动输出提高了总线的驱动能力。效应管作为驱动输出提高了总线的驱动能力。

A single line bidirectional isolated driving circuit

【技术实现步骤摘要】
一种单线双向隔离驱动电路


[0001]本技术涉及电子电路
，具体涉及一种单线双向隔离驱动电路。

技术介绍

[0002]目前，随着制造自动化的成度不断提高，现场通信总线越来越多的用于制造现场的设备控制。双向单总线通讯可以减少通信线路、减化系统接线，因而具有广阔的应用前景。但常规的单线双向隔离电路复杂、驱动能力差、工作频率低、易受干扰引起不稳定，且驱动能力差。因此应用具有局限性，不能真正实现多主从通信的现场总线方式。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是为了克服以上现有技术存在的不足，提供了一种电路简单、稳定、驱动能力强的单线双向隔离驱动电路。
[0004]本技术的目的通过以下的技术方案实现：
[0005]一种单线双向隔离驱动电路包括：依次连接的第一驱动子电路、第一电平自动切换子电路、隔离元件、第二电平自动切换子电路和第二驱动子电路，所述第一驱动子电路的一端设置第一输入输出端，所述第二驱动子电路的一端设置第二输入输出端；所述第一驱动子电路、第一电平自动切换子电路和隔离元件的一部分作为第一隔离端，所述隔离元件的另一部分、第二电平自动切换子电路和第二驱动子电路作为第二隔离端，所述第一隔离端和第二隔离端对称设置，且所采用的电路相同，均采用氧化物半导体场效应管作为驱动输出。
[0006]优选地，所述氧化物半导体场效应管为N MOS管或者P MOS管。
[0007]优选地，所述隔离元件为磁耦、光耦和容耦的一种。
[0008]优选地，所述第一驱动子电路包括：电阻R1、电阻R2、场效应管Q1和场效应管Q2；所述第一电平自动切换子电路包括：场效应管Q3；所述第二电平自动切换子电路包括：场效应管Q4；所述第二驱动子电路包括：电阻R3、电阻R4、场效应管Q5和场效应管Q6；所述场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5和场效应管Q6均为N MOS管；所述隔离元件为磁耦；所述场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的栅极均通过电阻R1连接至电源端VCC1，所述场效应管Q1的漏极还作为第一输入输出端Bus_A，所述场效应管Q1的源极连接至地，所述场效应管Q1的栅极连接磁耦的OutA端，所述场效应管Q2的漏极通过电阻R2连接至电源端VCC1，所述场效应管Q3的漏极和所述场效应管Q2的漏极连接，所述场效应管Q2的源极、场效应管Q3的源极均连接至地，所述场效应管Q3的栅极连接磁耦的Out A端，所述场效应管Q3的漏极连接磁耦的In B端，所述磁耦的Vdd1端连接电源端VCC1；
[0009]所述场效应管Q4的栅极连接磁耦的Out B端，所述场效应管Q4的漏极和场效应管Q5的漏极均连接磁耦的In A端，所述场效应管Q4的漏极和场效应管Q5的漏极均通过电阻R3连接至电源端VCC2，所述场效应管Q4的源极和场效应管Q5的源极均连接至地，所述磁耦的Vdd2端连接电源端VCC2；所述场效应管Q6的栅极连接磁耦的Out B端，所述场效应管Q6的漏
极通过电阻R4连接至电源端VCC2，所述场效应管Q6的漏极和场效应管Q5的栅极连接，所述场效应管Q6的漏极还作为第二输入输出端Bus_B，所述场效应管Q6的源极连接至地，所述磁耦的Gnd1端和Gnd2端均连接至地。
[0010]本技术相对于现有技术具有如下优点：
[0011]本公开使用氧化物半导体场效应管(MOSFET)作为驱动输出提高了总线的驱动能力，从而使总线上能挂接更多的结点设备通信。且电路简单、抗干扰能力强，保障了总线的通信的安全和稳定性。
附图说明
[0012]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0013]图1为本实施例的单线双向隔离驱动电路的原理框图。
[0014]图2为本实施例的单线双向隔离驱动电路的电路图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明。
[0016]参见图1
‑
图2、一种单线双向隔离驱动电路包括：依次连接的第一驱动子电路、第一电平自动切换子电路、隔离元件、第二电平自动切换子电路和第二驱动子电路，所述第一驱动子电路的一端设置第一输入输出端，所述第二驱动子电路的一端设置第二输入输出端；
[0017]所述第一驱动子电路、第一电平自动切换子电路和隔离元件的一部分作为第一隔离端，所述隔离元件的另一部分、第二电平自动切换子电路和第二驱动子电路作为第二隔离端，所述第一隔离端和第二隔离端对称设置，且所采用的电路相同，均采用氧化物半导体场效应管作为驱动输出。
[0018]在本实施例，所述第一驱动子电路包括：电阻R1、电阻R2、场效应管Q1和场效应管Q2；所述第一电平自动切换子电路包括：场效应管Q3；所述第二电平自动切换子电路包括：场效应管Q4；所述第二驱动子电路包括：电阻R3、电阻R4、场效应管Q5和场效应管Q6；所述场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5和场效应管Q6均为N MOS管；所述隔离元件为磁耦；所述场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的栅极均通过电阻R1连接至电源端VCC1，所述场效应管Q1的漏极还作为第一输入输出端Bus_A，所述场效应管Q1的源极连接至地，所述场效应管Q1的栅极连接磁耦的OutA端，所述场效应管Q2的漏极通过电阻R2连接至电源端VCC1，所述场效应管Q3的漏极和所述场效应管Q2的漏极连接，所述场效应管Q2的源极、场效应管Q3的源极均连接至地，所述场效应管Q3的栅极连接磁耦的Out A端，所述场效应管Q3的漏极连接磁耦的In B端，所述磁耦的Vdd1端连接电源端VCC1；所述场效应管Q4的栅极连接磁耦的Out B端，所述场效应管Q4的漏极和场效应管Q5的漏极均连接磁耦的In A端，所述场效应管Q4的漏极和场效应管Q5的漏极均通过电阻R3连接至电源端VCC2，所述场效应管Q4的源极和场效应管Q5的源极均连接至地，所述磁耦的Vdd2端连接电源端VCC2；所述场效应管Q6的栅极连接磁耦的Out B端，所述场效应管Q6的漏极通过电阻R4连接
至电源端VCC2，所述场效应管Q6的漏极和场效应管Q5的栅极连接，所述场效应管Q6的漏极还作为第二输入输出端Bus_B，所述场效应管Q6的源极连接至地，所述磁耦的Gnd1端和Gnd2端均连接至地。
[0019]其中，所述磁耦的型号为：ADUM1201BRZ。
[0020]本公开的单线双向隔离驱动电路的具体工作原理为：
[0021]常态下第一输入输出端Bus_A、第二输入输出端Bus_B上都无通信信号时，分别通过上接电阻R1、R4接到高电平，总线一直保持高电平状态。
[0022]通信时，当第一输入输出端Bus_A端输出为低电平时，N MOS管(场效应管)Q1、Q2都不导通。此时，N MOS管Q2、Q3的漏极(D)，通过上拉电阻R2接至高电平，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单线双向隔离驱动电路，其特征在于，包括：依次连接的第一驱动子电路、第一电平自动切换子电路、隔离元件、第二电平自动切换子电路和第二驱动子电路，所述第一驱动子电路的一端设置第一输入输出端，所述第二驱动子电路的一端设置第二输入输出端；所述第一驱动子电路、第一电平自动切换子电路和隔离元件的一部分作为第一隔离端，所述隔离元件的另一部分、第二电平自动切换子电路和第二驱动子电路作为第二隔离端，所述第一隔离端和第二隔离端对称设置，且所采用的电路相同，均采用氧化物半导体场效应管作为驱动输出。2.根据权利要求1所述的单线双向隔离驱动电路，其特征在于，所述氧化物半导体场效应管为N MOS管或者P MOS管。3.根据权利要求1所述的单线双向隔离驱动电路，其特征在于，所述隔离元件为磁耦、光耦和容耦的一种。4.根据权利要求1所述的单线双向隔离驱动电路，其特征在于，所述第一驱动子电路包括：电阻R1、电阻R2、场效应管Q1和场效应管Q2；所述第一电平自动切换子电路包括：场效应管Q3；所述第二电平自动切换子电路包括：场效应管Q4；所述第二驱动子电路包括：电阻R3、电阻R4、场效应管Q5和场效应管Q6；所述场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5和场效应管Q6均为N MOS管；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭武，刘冬，宣贵宾，
申请(专利权)人：东莞市卓品电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：