石墨舟片及石墨舟制造技术

一种石墨舟片，设有硅片覆盖区，所述硅片覆盖区的正反面设有凹槽及位于所述凹槽所在区域的通孔。由此，可使硅片与石墨舟片贴合紧密，同时产生更均匀的电场，可有效解决背面绕镀问题，解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜，如氧化铝以以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON电池背面镀氧化硅的质量问题。池背面镀氧化硅的质量问题。池背面镀氧化硅的质量问题。

Graphite boat and graphite boat

【技术实现步骤摘要】
石墨舟片及石墨舟


[0001]本技术涉及一种用于双面镀膜的石墨舟片及具有该石墨舟片的石墨舟，属于太阳能电池镀膜


技术介绍

[0002]随着太阳能发电的普及，相关的光伏产品需求量越来越大，因此对光伏设备的要求越来越高，不仅要增加产能，而且需要更好的控制质量，管式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)设备是太阳能电池片生产中重要的设备，主要是完成硅片表面的镀膜。
[0003]在新型N型硅片上镀膜需要硅片上产生均匀的电场，传统的镂空石墨舟片因镂空面积较大，电流存在差异导致镂空位置镀膜偏薄；使用传统的实心石墨舟，重量增加60％以上石墨舟载具存在载重上限，对载具的考验较大，且实心石墨舟片在加热状态下整体的变形比较严重，对电池片整体镀膜影响较大且存在背面绕镀问题。
[0004]因此，亟需一种新的石墨舟片结构以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种能够有效解决管式PECVD在N型硅片上镀膜均匀性问题以及在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨舟片，设有硅片覆盖区，其特征在于：所述硅片覆盖区的正反面设有凹槽及位于所述凹槽所在区域的方形通孔。2.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于：所述凹槽的深度为0.3
‑
1.0mm。3.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于：所述凹槽为方形、圆形或多边形。4.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在于：多个所述通孔呈矩阵排列。5.根据权利要求1所述的石墨舟片，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖宝臣，张密超，左敏，杨柳，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：