【技术实现步骤摘要】
一种红外漫反射光电传感器电路
[0001]本技术涉及一种红外漫反射光电传感器电路。
技术介绍
[0002]红外光电传感器,也称红外光电开关,是一种红外调制型无损检测的光电传感器。其采用高效红外发光二极管和光敏三极管作为光电转换元件,依据工作方式不同,该类红外光电传感器可分别同轴反射式和对射式两种,而红外光电传感器使用时的检测方式:即根据在检测物体时,发射器所发出的光线被折回到接收器的途径的不同,可分为漫反射式、镜反射式以及对射式三种。
[0003]现市面上使用的红外光电传感器所涉及的电路,主要包含电源部分、发射部分、接收信号处理部分与输出部分,其中现使用市面上采用的电源部分中涉及的电源芯片大多为DC
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DC的电源芯片,而运用于红外光电传感器中的DC
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DC电源芯片所能承受的最大输入电源电压为36V左右,而超过36V左右的输入电源电压时,则会出现DC
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DC 电源芯片易烧坏的情况,同时该芯片的成本也较高,而现市面上使用的电源部分中很少涉及会DC
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DC电源芯片进行专门的保护,或部分生产商由于技术的局限,设计的电源部分,使得无法很好的对DC
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DC 电源芯片进行保护,在实际使用中,会出现DC
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DC电源芯片烧坏的情况,造成了使用不可靠,以及使用成本过高的问题;
[0004]同时现有的信号接收部分,一般采用运算放大器将信号进行两极放大,然后通过比较器,或者单片机内部的ADC采样设置阈值比较的触发输出的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种红外漫反射光电传感器电路,包括电源部分、发射部分、接收信号处理部分与输出部分,其特征在于:该红外漫反射光电传感器电路包括输入口IN1、IN2、选择性焊接电阻,所述的输出部分包括NPN输出电路、PNP输出电路,所述的NPN输出电路包括输出端口TP2、TP4,所述的PNP输出电路包括输出端口TP9、VIN电压输入端,所述的输出端口TP2、TP4分布于NPN输出电路的输出端,输出端口TP9分布于PNP输出电路的输出端,所述的输入口IN1、IN2分别分布于NPN输出电路与PNP输出电路的输入端;NPN输出电路或PNP输出电路通过输入口IN1或输入口IN2择一串接所述的选择性焊接电阻,构成所述的NPN输出电路或PNP输出电路的常开输出或常闭输出。2.根据权利要求1所述的红外漫反射光电传感器电路,其特征在于:所述的发射部分包括阈值比较电路与触发器U1A,接收信号处理部分包括触发器U1B、可调电阻RT1、电阻R17
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R20、R22
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R23、R25
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R27、R29、电容C7
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C8、C10、三极管Q6、Q10
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Q11、发光二极管LED1,所述的发射部分的阈值比较电路包括电阻R13
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R14、R16、三极管Q8、发光二极管D5,所述的触发器U1A的引脚CK分别与电阻R13的一端、电阻R16的一端、供电电压连接,电阻R13的另一端接三极管Q8的发射极,电阻R13与电阻R14并接,所述的发光二极管D5的一端与接地,另一端与三极管Q8的集电极连接,触发器U1B的引脚CK与电阻R16的另一端、三极管Q8的基极、触发器U1A的引脚Q分别连接;所述的触发器U1B的引脚D与可调电阻RT1的一端、电阻R19的一端、三极管Q10的集电极分别连接,三极管Q10的发射极与电阻R22的一端连接,电阻R22的另一端与电容C10的一端连接,电容C10的另一端接地,电阻R27与电容C10并接,三极管Q10的基极与电阻R17的一端、电阻R20的一端、电容C7的一端分别连接,可调电阻RT1的另一端、电阻R17的另一端、电阻R18的一端、三极管Q6的一端共接供电电压,三极管Q6的另一端与电阻R23的一端、三极管Q10的基极分别连接,三极管Q10的集电极与电阻R20的另一端共同接地,三极管Q10的发射极与电阻R18的另一端、电容C8的一端分别连接,电阻R23的另一端与电阻R29的一端、电容C8的另一端、电容C7的另一端分别连接,电阻R29的另一端接地;所述的触发器U1B的引脚Q、电阻R19的另一端、电阻R26的一端共接输入口IN1,触发器U1B的引脚/Q、电阻R25的一端共接输入口IN2,电阻R25的另一端与电阻R26的另一端共接发光二极管LED1的一端,发光二极管LED1的另一端接地,触发器U1B的引脚VDD接供电电压,触发器U1B的引脚S、引脚R分别接地。3.根据权利要求2所述的红外漫反射光电传感器电路,其特征在于:所述的发射部分还包括发射驱动电路,所述的触发器U1A的引脚D与触发器U1A的引脚CK、电阻R21的一端、电阻R28的一端分别连接,触发器U1A的引脚R与电容C9的一端、电阻R28的另一端、三极管Q12的集电极分别连接,触发器U1A的引脚VDD接地,触发器U1A的引脚/Q与电阻R21的另一端、电阻R15的一端分别连接,触发器U1A的引脚S与电阻R15的另一端、电阻R24的一端、电容C9的另一端分别连接,电阻R24的另一端与三极管Q12的基极连接,三极管Q12的发射极接地。4.根据权利要求1、2或3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡伊达,胡伊特,胡步浩,林华均,邱康康,吴伟明,张彭春,
申请(专利权)人:欣灵电气股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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