光照设备及其使用方法以及半导体处理设备技术

本申请公开一种光照设备及其使用方法以及半导体处理设备，能够减小因灯泡灼烧(Bulb burning)导致的UVLS发出的光源强度衰减，优化光刻效果。本申请中的光照设备包括：光源，用于输出第一功率的光信号，且所述光信号至少能够沿预设光路出射；放大灯罩，所述光信号出射时经过所述放大灯罩，所述放大灯罩表面设置有至少两个预设区域，各个所述预设区域的透光率相同；驱动部，通过传动器件连接到所述放大灯罩，用于驱动所述放大灯罩转动，所述放大灯罩转动过程中，始终以所述预设区域经过所述预设光路。路。路。

Lighting equipment and its use method, and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
光照设备及其使用方法以及半导体处理设备


[0001]本申请涉及半导体存储装置领域，具体涉及光照设备及其使用方法以及半导体处理设备。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路要经历材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序才可以制造出来，其中光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。
[0003]光刻工艺技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程如下：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。
[0004]光刻工艺的核心设备是光刻机，其直接决定了集成电路最小的特征尺寸。
[0005]现有技术中，光刻机中紫外线水平检测器(Ultra violet leveling sensor，以下简称UVLS)的灯箱(lamp house)中的灯会因为灯泡灼烧(Bulb burning)的现象，导致UVLS发出的光源强度衰减，影响最终的光刻效果。

技术实现思路

[0006]鉴于此，本申请提供一种光照设备及其使用方法以及半导体处理设备，能够减小因灯泡灼烧(Bulb burning)导致的UVLS发出的光源强度衰减，优化光刻效果。
[0007]本申请中的光照设备包括：光源，用于输出第一功率的光信号，且所述光信号至少能够沿预设光路出射；放大灯罩，所述光信号出射时经过所述放大灯罩，所述放大灯罩表面设置有至少两个预设区域，各个所述预设区域的透光率相同；驱动部，通过传动器件连接到所述放大灯罩，用于驱动所述放大灯罩转动，所述放大灯罩转动过程中，始终以所述预设区域经过所述预设光路。
[0008]可选的，所述预设区域分布在所述放大灯罩的整个表面。
[0009]可选的，所述驱动部能够驱动所述放大灯罩绕所述光源所在点位转动。
[0010]可选的，所述放大灯罩包括球形放大灯罩。
[0011]可选的，所述光源出射的光信号的波长范围为450～750nm。
[0012]可选的，所述驱动部驱动所述放大灯罩转动时，绕一经过所述光源所在点位的固定轴转动，且转动速度小于或等于1圈/分。
[0013]可选的，所述光源包括惰性气体以及激光光源，所述激光光源用于提供激光，所述惰性气体置于所述放大灯罩中，用于在所述激光的照射下激发发光。
[0014]本申请中的一种半导体处理设备，包括壳体以及所述的光照设备，且所述光照设备设置在所述壳体内，且所述壳体在所述预设光路上设置有透光区域，所述光信号能够通过所述透光区域穿过所述壳体。
[0015]可选的，所述半导体处理设备为光刻机。
[0016]可选的，还包括光学组件，设置在所述预设光路上，用于将沿所述预设光路出射的平行光聚焦到预设位置。
[0017]可选的，还包括：光强度侦测装置，设置到所述预设光路上，用于侦测所述光信号在所述预设光路方向上的强度。
[0018]本申请中的一种光照设备的使用方法，包括以下步骤：提供光源，所述光源能够提供第一功率的光信号，且所述光信号至少能够沿预设光路出射；提供放大灯罩，所述放大灯罩所述光信号出射时经过所述放大灯罩，所述放大灯罩表面设置有至少两个预设区域，各个所述预设区域的透光率相同；转动所述放大灯罩，并始终以所述预设区域经过所述预设光路。
[0019]可选的，所述放大灯罩转动时，绕一经过所述光源所在点位的固定轴转动，且转动速度小于或等于1圈/分。
[0020]本申请的光照设备及其使用方法以及半导体处理设备可以通过驱动部驱动所述光源的放大灯罩转动，且所述放大灯罩转动过程中始终以所述预设区域经过所述预设光路，有助于保证出光强度均匀，在出现灯泡烧灼(Bulb burning)灯罩的现象时，预设光路能够经过灯罩的其他预设区域，避免了灯罩被灼烧后影响最终的出光效果。当选用该光照设备作为光刻机的光源时，可以有效的优化光刻机的光刻效果，减小因灯泡灼烧现象导致的光源强度衰减。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本申请一实施例中所述光照设备的结构示意图；
[0023]图2为本申请一实施例中所述光照设备的使用方法的步骤流程示意图；
[0024]图3为一实施例中所述半导体处理设备的结构示意图。
具体实施方式
[0025]研究发现，出现上述问题的原因主要在于，目前照明系统中，随着曝光产率和制造效率的提高，常常需要使用达上千瓦甚至更高功率的汞灯光源，这些大功率的光源出射的光信号长时间穿过放大灯罩时，会导致放大灯罩高热、热灼烧，有可能改变放大灯罩的透光度，造成光刻效率低下，并有可能改变光信号的传播路径，对整个照明性能指标造成影响，影响到整个光刻机的产率。
[0026]以下结合附图以及实施例，对所述光照设备及其使用方法以及半导体处理设备作进一步的说明。
[0027]请参阅图1，为本申请一实施例中所述光照设备的结构示意图。
[0028]在该实施例中，所述光照设备包括：光源101，用于输出第一功率的光信号，且所述光信号至少能够沿预设光路出射；放大灯罩102，所述光信号出射时经过所述放大灯罩102，
所述放大灯罩102表面设置有至少两个预设区域，各个所述预设区域的透光率相同；驱动部103，通过传动器件104连接到所述放大灯罩102，用于驱动所述放大灯罩102转动，所述放大灯罩102转动过程中，始终以所述预设区域经过所述预设光路。
[0029]在该实施例中，所述光照设备可以通过驱动部103驱动所述光源101的放大灯罩102转动，且所述放大灯罩102转动过程中始终以所述预设区域经过所述预设光路，有助于保证出光强度均匀，在出现灯泡烧灼(Bulb burning)灯罩的现象时，预设光路能够经过灯罩的其他预设区域，避免了灯罩被灼烧后影响最终的出光效果。当选用该光照设备作为光刻机的光源101时，可以有效的优化光刻机的光刻效果，减小因灯泡灼烧现象导致的光源101强度衰减。
[0030]在一些实施例中，所述光源101包括惰性气体以及激光光源101，所述激光光源101用于提供激光，所述放大灯罩102密闭，内部充有惰性气体，用于在所述激光的照射下激发发光。(给出光源101提供的波长范围)
[0031]在一些其他的实施例中，所述光源101还可以包括汞灯，并且功率在800W以上，功率较大，能满足半导体工艺的需求，并且能够提供紫外光线。实际上，所述光源101还可以是其他光源101，本领域的技术人员可根据需要设置。
[0032]在一些实施例中，所述光源101出射的光信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光照设备，其特征在于，包括：光源，用于输出第一功率的光信号，且所述光信号至少能够沿预设光路出射；放大灯罩，所述光信号出射时经过所述放大灯罩，所述放大灯罩表面设置有至少两个预设区域，各个所述预设区域的透光率相同；驱动部，通过传动器件连接到所述放大灯罩，用于驱动所述放大灯罩转动，所述放大灯罩转动过程中，始终以所述预设区域经过所述预设光路。2.根据权利要求1所述的光照设备，其特征在于，所述预设区域分布在所述放大灯罩的整个表面。3.根据权利要求1所述的光照设备，其特征在于，所述驱动部能够驱动所述放大灯罩绕所述光源所在点位转动。4.根据权利要求1所述的光照设备，其特征在于，所述放大灯罩包括球形放大灯罩。5.根据权利要求1所述的光照设备，其特征在于，所述光源出射的光信号的波长范围为450～750nm。6.根据权利要求1所述的光照设备，其特征在于，所述驱动部驱动所述放大灯罩转动时，绕一经过所述光源所在点位的固定轴转动，且转动速度小于或等于1圈/分。7.根据权利要求1所述的光照设备，其特征在于，所述光源包括惰性气体以及激光光源，所述激光光源用于提供激光，所述惰性气体置于所述放大灯罩中，用于在所述激光的照射下激发发光。8.一种半导体处...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，颜泽斌，赖俊生，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：