一种高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法，原料组分包括主成分和辅助成分，其中，以重量百分比计，主成分包括：Fe2O3:64wt％～67wt％，ZnO:12wt％～18wt％，NiO:12％～19wt％，余量为CuO，辅助成分包括V2O5、MoO3和Co2O3，以重量百分比计，V2O5、MoO3和Co2O3的含量分别为主成分总重量的0.01wt％～2wt％、0.01wt％～0.05wt％和0.01wt％～0.03wt％。本发明专利技术的材料能在工作频率下稳定工作，其起始磁导率为380～410，比损耗系数在100kHz下测试值＜20

A NiCuZn soft magnetic ferrite material with high saturated magnetic flux density and low loss and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及软磁铁氧体材料
，具体涉及一种高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]软磁铁氧体材料是电子信息产业的重要支撑性材料，尤其是随着电子设备向高频化、小型化、大功率化、高集成化等方向发展的趋势。为了满足器件的小型化，软磁材料使用频率越来越高，但是由于电源需要输出更高能量密度，而输出电压越来越低，因此需要输出电流越来越高，这就要求软磁材料具有较高的饱和磁通密度，使之在大电流下不饱和。
[0003]软磁铁氧体材料主要分为两大类——MnZn系和NiCuZn系。其中MnZn系软磁铁氧体具有较高的饱和磁通密度，如中国专利CN110111361A可实现1MHz下Bs达471mT。然而MnZn系材料主要用于MHz以下的频段，而NiCuZn系则主要用于1MHz以上的射频微波频段。此外NiZn铁氧体还具有较高的电阻率，可以显著降低材料工作中的涡流产生的损耗，可以在较高的频率下正常工作，拥有较高的截止频率，因此可以具有较宽的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料，其特征在于，其原料组分包括主成分和辅助成分；其中，以重量百分比计，主成分包括：Fe2O3:64wt％～67wt％，ZnO:12wt％～18wt％，NiO:12％～19wt％，余量为CuO；辅助成分包括V2O5、MoO3和Co2O3，以重量百分比计，V2O5的含量为主成分总重量的0.01wt％～2wt％，MoO3的含量为主成分总重量的0.01wt％～0.05wt％，Co2O3的含量为主成分总重量的0.01wt％～0.03wt％。2.根据权利要求1所述的一种高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料，其特征在于，所述高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的磁导率范围为387～421，饱和磁通密度380～509mT，比损耗系数小于等于20
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‑6。3.权利要求1或2所述的高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于，包括如下过程：将Fe2O3粉末、ZnO粉末、NiO粉末、CuO粉末、V2O5粉末、MoO3粉末和Co2O3粉末进行一次球磨混匀，得到混合料A；将所述混合料A烘干后进行预烧，得到预烧料；将所述预烧料进行二次球磨、烘干、成型、烧结，得到所述高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料。4.权利要求3所述的高饱和磁通密度低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于，将Fe2O3粉末、ZnO粉末、NiO粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，马贺双，赵凡，王冬燚，
申请(专利权)人：西安锐磁电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：