【技术实现步骤摘要】
一种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器
[0001]本专利技术涉及电磁波和新型电磁材料
,尤其涉及一种超材料多层结构的太赫兹移相器。
技术介绍
[0002]超材料是一种由周期性排列的单元结构构成的人工复合材料,可以通过调整谐振单元结构来实现某些超常的电磁性质,例如负折射率、负磁导率、电磁诱导透明(EIT)、完美吸收等电磁现象。其电磁性质取决于不同结构的设计,不同尺寸的单元结构具有不同的电磁特性。
[0003]近年来,太赫兹技术在通信、成像、传感、安检、生命医学、无损检测等领域有着越来越广泛应用,各类太赫兹波调控太赫兹液晶移相器也成为被广泛研究的对象,这些太赫兹液晶移相器主要其中在对太赫兹波的调幅、调相、调频、调偏振、调波前等,而目前常见是通过超材料与不同材料体系、不同技术结合、不同驱动手段的方法实现太赫兹频段的调控。作为太赫兹波重要参量之一的相位也逐渐成为热门研究课题,太赫兹移相器广泛应用于太赫兹雷达、通信系统、仪器仪表、传感、实现空间扫描等诸多领域,是一种用来调节太赫兹波相位的太赫兹液晶移相器,保证太赫兹波 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器,其特征在于,包括:石英基底层,连接在石英基底层一侧面上的液晶层,设置在石英基底层和液晶层之间的下层弓型金属谐振层,设置在液晶层顶部的上层L型金属谐振层。2.根据权利要求1所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器,其特征在于,所述上层L型金属谐振层设于液晶层的边缘位置。3.根据权利要求2所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器,其特征在于,所述上层L型金属谐振层采用铜材料制成;所述上层L型金属谐振层的电导率5.8
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107S/m;所述上层L型金属谐振层的尺寸长边为102μm,短边为11μm,厚度为2.3μm。4.根据权利要求1所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器,其特征在于,所述液晶层采用向列型液晶材料制成,所述液晶层的尺寸为边长为102μm,厚度为0.9μm;所述液晶层中液晶分子的第一介电常数为ε
⊥
=2.47,第一介电常数的损耗正切tanδ
⊥
=0.02,所述液晶层中液晶分子的第二介电常数为ε
||
=3.6,第二介电常数损耗正切tanδ
||
=0.02...
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